你的位置:首頁 > 電源管理 > 正文

關(guān)于一種具有過流保護功能的驅(qū)動電路的設(shè)計

發(fā)布時間:2013-01-10 責任編輯:Lynnjiao

【導(dǎo)讀】絕緣柵雙極晶體管既具有MOSFET的工作速度快、開關(guān)頻率高、輸入阻抗高、驅(qū)動電路簡單、熱溫度性好的優(yōu)點,又包含了GTR的載流量大、阻斷電壓高等多項優(yōu)點,是取代GTR的理想開關(guān)器件。

IGBT目前被廣泛使用的具有自關(guān)斷能力的器件,廣泛應(yīng)用于各類固態(tài)電源中。IGBT的工作狀態(tài)直接影響整機的性能,所以合理的驅(qū)動電路對整機顯得很重要,但是如果控制不當,它很容易損壞,其中一種就是發(fā)生過流而使IGBT損壞,本文主要研究了IGBT的驅(qū)動和短路保護問題,就其工作原理進行分析,設(shè)計出具有過流保護功能的驅(qū)動電路,并進行了仿真研究。

IGBT的驅(qū)動要求和過流保護分析
  
IGBT的驅(qū)動
  
IGBT是電壓型控制器件,為了能使IGBT安全可靠地開通和關(guān)斷.其驅(qū)動電路必須滿足以下的條件:
  
IGBT的柵電容比VMOSFET大得多,所以要提高其開關(guān)速度,就要有合適的門極正反向偏置電壓和門極串聯(lián)電阻。
  
(1)門極電壓
  
任何情況下,開通狀態(tài)的柵極驅(qū)動電壓都不能超過參數(shù)表給出的限定值(一般為20v),最佳門極正向偏置電壓為15v土10%。這個值足夠令I(lǐng)GBT飽和導(dǎo)通;使導(dǎo)通損耗減至最小。雖然門極電壓為零就可使IGBT處于截止狀態(tài),但是為了減小關(guān)斷時間,提高IGBT的耐壓、dv/dt耐量和抗干擾能力,一般在使IGBT處于阻斷狀態(tài)時.可在門極與源極之間加一個-5~-15v的反向電壓。
  
(2)門極串聯(lián)電阻心
  
選擇合適的門極串聯(lián)電阻Rg對IGBT的驅(qū)動相當重要,Rg對開關(guān)損耗的影響見圖1。 

Rg對開關(guān)損耗的影響
圖1:Rg對開關(guān)損耗的影響  

IGBT的輸入阻抗高壓達109~1011,靜態(tài)時不需要直流電流.只需要對輸入電容進行充放電的動態(tài)電流。其直流增益可達108~109,幾乎不消耗功率。為了改善控制脈沖的前后沿陡度和防止振蕩,減少IGBT集電極大的電壓尖脈沖,需在柵極串聯(lián)電阻Rg,當Rg增大時,會使IGBT的通斷時間延長,能耗增加;而減少RF又會使di/dt增高,可能損壞IGBT。因此應(yīng)根據(jù)IGBT電流容量和電壓額定值及開關(guān)頻率的不同,選擇合適的Rg,一般選心值為幾十歐姆至幾百歐姆。具體選擇Rg時.要參考器件的使用手冊。
  
(3)驅(qū)動功率的要求
  
IGBT的開關(guān)過程要消耗一定的來自驅(qū)動電源的功耗,門極正反向偏置電壓之差為△Vge,工作頻率為f,柵極電容為Cge,則電源的最少峰值電流為:
  
驅(qū)動電源的平均功率為:
  
IGBT的過流保護
  
IGBT的過流保護就是當上、下橋臂直通時,電源電壓幾乎全加在了開關(guān)管兩端,此時將產(chǎn)生很大的短路電流,IGBT飽和壓降越小,其電流就會越大,從而損壞器件。當器件發(fā)生過流時,將短路電流及其關(guān)斷時的I—V運行軌跡限制在IGBT的短路安全工作區(qū),用在損壞器件之前,將IGBT關(guān)斷來避免開關(guān)管的損壞。

IGBT的驅(qū)動和過流保護電路分析
  
根據(jù)以上的分析.本設(shè)計提出了一個具有過流保護功能的光耦隔離的IGBT驅(qū)動電路,如圖2。

IGBT驅(qū)動和過流保護電路
圖2:IGBT驅(qū)動和過流保護電路  

圖2中,高速光耦6N137實現(xiàn)輸入輸出信號的電氣隔離,能夠達到很好的電氣隔離,適合高頻應(yīng)用場合。驅(qū)動主電路采用推挽輸出方式,有效地降低了驅(qū)動電路的輸出阻抗,提高了驅(qū)動能力,使之適合于大功率IGBT的驅(qū)動,過流保護電路運用退集電極飽和原理,在發(fā)生過流時及時的關(guān)斷IGBT,其中V1.V3.V4構(gòu)成驅(qū)動脈沖放大電路。V1和R5構(gòu)成一個射極跟隨器,該射極跟隨器提供了一個快速的電流源,減少了功率管的開通和關(guān)斷時間。利用集電極退飽和原理,D1、R6、R7和V2構(gòu)成短路信號檢測電路.其中D1采用快速恢復(fù)二極管,為了防止IGBT關(guān)斷時其集電極上的高電壓竄入驅(qū)動電路。為了防止靜電使功率器件誤導(dǎo)通,在柵源之間并接雙向穩(wěn)壓管D3和D4。如是IGBT的門極串聯(lián)電阻。

正常工作時:
  
當控制電路送來高電平信號時,光耦6N137導(dǎo)通,V1、V2截止,V3導(dǎo)通而V4截止,該驅(qū)動電路向IBGT提供+15V的驅(qū)動開啟電壓,使IGBT開通。
  
當控制電路送來低電平信號時,光耦6N137截至,VI、V2導(dǎo)通。V4導(dǎo)通而v3截止,該驅(qū)動電路向IBGT提供-5v的電壓,使IGBT關(guān)閉。
  
當過流時:
  
當電路出現(xiàn)短路故障時,上、下橋直通此時+15V的電壓幾乎全加在IGBT上.產(chǎn)生很大的電流,此時在短路信號檢測電路中v2截止,A點的電位取決于D1、R6、R7和Vces的分壓決定,當主電路正常工作時,且IGBT導(dǎo)通時,A點保持低電平,從而低于B點電位。所有A1輸出低電平,此時V5截止,而c點為高電平,所以正常工作時。輸入到光耦6N137的信號始終和輸出保持一致。當發(fā)生過流時,IGBT集電極退飽和,A點電位升高,當高于B電位(即是所設(shè)置的電位)時,即是當電流超過設(shè)計定值時,A1翻轉(zhuǎn)而輸出高電平,V5導(dǎo)通,從而將C點的電位箝在低電位狀態(tài),使與門4081始終輸出低電平,即無論控制電路送來是高電平或是低電平,輸人到光耦6N137的信號始終都是低電平,從而關(guān)斷功率管。從而達到過流保護。直到將電路的故障排除后,重新啟動電路。
 
仿真與實驗
  
本設(shè)計電路在orCAD軟件的仿真圖形如下:
  
向驅(qū)動電路輸入,高電平為+15v,低電平為-5v的方波信號。IGBT的輸出波形如圖3所示:

IGBT輸出信號
圖3:IGBT輸出信號  

根據(jù)前面的原理和分析,該電路的實際電路輸出波形如圖4所示:

實際電路輸出波形
圖4:實際電路輸出波形 

(1)該驅(qū)動電路能夠為IGBT提供+15v和-5V驅(qū)動電壓確保IGBT的開通和關(guān)斷。
(2)本電路的可根據(jù)負載的需要動態(tài)調(diào)節(jié)最大電流,可以有很廣的使用范圍。
(3)具有過流保護功能,當過流時,保護電路起作用,及時的關(guān)斷IGBT,防止IGBT損壞。
(4)本設(shè)計采用分立元件組成驅(qū)動電路,降低整個系統(tǒng)的成本。

要采購開關(guān)么,點這里了解一下價格!
特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉