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利用先進(jìn)的電荷平衡技術(shù),導(dǎo)通電阻極低的MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2012-12-27 責(zé)任編輯:easonxu

【導(dǎo)讀】新型MOSFET輸出電容具有較低的存儲(chǔ)電能(Eoss),可提高輕負(fù)載條件下的效率,另外所提供的體二極管穩(wěn)定性一流,可提高諧振轉(zhuǎn)換器中系統(tǒng)的可靠性。


服務(wù)器、電信、計(jì)算等高端的AC-DC開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用以及工業(yè)電源應(yīng)用需要較高的功率密度,因此要獲得成功,設(shè)計(jì)人員需要采用占據(jù)更小電路板空間并能提高穩(wěn)定性的高性價(jià)比解決方案。

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出600V N溝道SuperFET II MOSFET系列產(chǎn)品,幫助設(shè)計(jì)人員解決這些挑戰(zhàn)。

圖題:600V N溝道SuperFET II MOSFET
圖題:600V N溝道SuperFET II MOSFET

SuperFET II和SuperFET II Easy Drive以兩種產(chǎn)品系列推出,這些MOSFET的輸出電容具有較低的存儲(chǔ)電能(Eoss),可提高輕負(fù)載條件下的效率,另外所提供的體二極管穩(wěn)定性一流,可提高諧振轉(zhuǎn)換器中系統(tǒng)的可靠性。

這些MOSFET利用先進(jìn)的電荷平衡技術(shù),導(dǎo)通電阻極低,并且具有較低的柵極電荷(Qg)性能,可實(shí)現(xiàn)較低的品質(zhì)因數(shù)(FOM)。 這些器件集成了某些特性,其中包括可極大降低柵極振蕩并提高系統(tǒng)整體性能的柵極電阻(Rg),從而在簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)中減少了元器件數(shù)目,實(shí)現(xiàn)了效率和性價(jià)比更高的設(shè)計(jì)。

優(yōu)勢(shì)與特點(diǎn):

SuperFET II MOSFET
開(kāi)關(guān)速度更快,可最大限度提高系統(tǒng)效率
功率密度更高
SuperFET II MOSFET Easy-Drive
易于設(shè)計(jì)和使用
開(kāi)關(guān)性能得到優(yōu)化
電磁干擾(EMI)噪聲低
異常情況下能可靠運(yùn)行

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