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待機(jī)平均電流僅為0.1uA的超低功耗16Kb FRAM

發(fā)布時(shí)間:2012-11-28 責(zé)任編輯:easonxu

【導(dǎo)讀】富士通半導(dǎo)體推出帶新的小封裝的超低功耗16Kb FRAM,有助于延長(zhǎng)電池壽命并適應(yīng)更加小型化的便攜式應(yīng)用。與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品相比,其待機(jī)電流和工作電流目前是全世界最低的。尤其是在待機(jī)模式下,平均電流僅為0.1uA。


富士通半導(dǎo)體有限公司近日宣布其低功耗鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器FRAM又添小封裝成員-SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標(biāo)準(zhǔn)封裝SOP-8,SON-8是為該產(chǎn)品添加的新型封裝。

富士通推出超低功耗16Kb FRAM
圖1:富士通推出超低功耗16Kb FRAM

便攜式醫(yī)療設(shè)備和便攜式測(cè)量設(shè)備使用FRAM有助于延長(zhǎng)電池壽命。SON-8封裝使得終端產(chǎn)品更加小型化。這些優(yōu)勢(shì)給客戶帶來(lái)了便利。

與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比,富士通FRAM的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在高速存儲(chǔ)、高耐久性和低功耗等方面。富士通FRAM廣泛應(yīng)用于需要高可靠性的能量表領(lǐng)域。

富士通帶I2C接口的16Kb FRAM-MB85RC16的一大優(yōu)勢(shì)是低功耗。與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品相比,其待機(jī)電流和工作電流目前是全世界最低的。尤其是在待機(jī)模式下,平均電流僅為0.1uA,對(duì)于便攜式測(cè)量設(shè)備,待機(jī)時(shí)間更長(zhǎng),這一特性延長(zhǎng)了電池壽命。

由于運(yùn)行時(shí)電流也很小,該產(chǎn)品也適用于需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的可便攜式設(shè)備。與傳統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)EEPROM相比,燒寫(xiě)時(shí)可降低98%的電流消耗。

燒寫(xiě)時(shí)可降低98%的電流消耗
圖2:燒寫(xiě)時(shí)可降低98%的電流消耗

為了滿足電池供電的便攜式應(yīng)用或者移動(dòng)應(yīng)用的低功耗要求,富士通開(kāi)發(fā)了新的小封裝SON-8,作為MB85RC16的標(biāo)準(zhǔn)封裝陣容。

富士通的FRAM產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于各種先進(jìn)領(lǐng)域,如計(jì)量、工業(yè)設(shè)備和FA設(shè)備。然而對(duì)于電池供電的便攜式設(shè)備和移動(dòng)設(shè)備,其終端產(chǎn)品越來(lái)越小型化,占板面積也有限,所以有進(jìn)一步小型化的要求。

為滿足這一需求,富士通在其超低功耗FRAM-MB85RC16添加了SON-8封裝。與現(xiàn)有的SOP-8封裝相比,SON-8封裝的占板面積減少了80%。封裝尺寸為3mm x 2mm。

SON-8封裝的占板面積減少了80%
圖3:SON-8封裝的占板面積減少了80%

使用帶SON-8封裝的MB85RC16可延長(zhǎng)電池壽命,并使最終產(chǎn)品小型化。
 

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