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實(shí)現(xiàn)98%以上的效率的碳化硅雙極結(jié)型晶體管

發(fā)布時(shí)間:2012-11-28 責(zé)任編輯:easonxu

【導(dǎo)讀】飛兆推出適合功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的碳化硅雙極結(jié)型晶體管,可實(shí)現(xiàn)98%以上的效率、電流密度和可靠性,更高的開關(guān)頻率,在相同尺寸的系統(tǒng),輸出功率提升40%。電感、電容和散熱片更小,PCB空間減少30~50%,系統(tǒng)總體成本降低20%。


飛兆半導(dǎo)體近日發(fā)布了可提高功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)能效的碳化硅(SiC) 雙極結(jié)型晶體管(BJT)。該系列BJT采用TO-247、TO258及裸片封裝。適于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、幾十kW級(jí)DC-DC轉(zhuǎn)換器、新能源汽車、風(fēng)能、光伏逆變器及井下作業(yè)等應(yīng)用。

SiC BJT的主要特性包括:

①1200V功率轉(zhuǎn)換開關(guān),開關(guān)、傳導(dǎo)及驅(qū)動(dòng)器損耗低,對(duì)于TO-247封裝,25℃下,15A及50A電流時(shí)的Ron分別為57mΩ和17mΩ;直流增益>70。

②直接驅(qū)動(dòng):常關(guān)功能降低了風(fēng)險(xiǎn)和復(fù)雜度,并減少了限制性能的設(shè)計(jì);穩(wěn)定的基極輸入,對(duì)過壓/欠壓峰值不敏感,在較低驅(qū)動(dòng)電壓VBE(SAT)=3.5V下,也可打開;較寬的開關(guān)電壓窗口。

③額定工作溫度高:Tj=175℃;由于RON具有正溫度系數(shù),增益具有負(fù)溫度系數(shù),因此易于并聯(lián);穩(wěn)定持久的Vbe正向電壓和反向阻隔能力。漏電流低于10μA。

④開關(guān)速度約20ns;開關(guān)行為與溫度無關(guān);沒有IGBT拖尾電流。

SiC BJT比Si IGBT有更大技術(shù)優(yōu)勢(shì)(見圖1),“這種優(yōu)勢(shì)也將決定今后的市場份額比例。”飛兆亞太區(qū)市場營銷副總裁藍(lán)建銅指出。5kW升壓電路SiC 器件性能比較如圖2所示。150℃時(shí)的電壓與電流特性曲線,25℃和150℃下的開關(guān)損耗如圖3所示。

SiC BJT與Si IGBT的比較
圖1:SiC BJT與Si IGBT的比較

SiC BJT與Si IGBT的比較
圖2 5kW升壓電路SiC器件性能比較

150℃時(shí)的電壓與電流特性曲線
圖3:150℃時(shí)的電壓與電流特性曲線,25℃和150℃下的開關(guān)損耗

藍(lán)建銅表示,SiC雙極結(jié)型晶體管(BJT)系列可實(shí)現(xiàn)98%以上的效率、電流密度和可靠性,更高的開關(guān)頻率,這是因?yàn)閭鲗?dǎo)和開關(guān)損耗較低(30-50%),在相同尺寸的系統(tǒng),輸出功率提升40%。電感、電容和散熱片更小,PCB空間減少30~50%,系統(tǒng)總體成本降低20%。

另外,飛兆開發(fā)的即插即用分立式驅(qū)動(dòng)器電路板(15A和50A)與SiC BJT配合使用時(shí),能夠在減少開關(guān)損耗和增強(qiáng)可靠性的基礎(chǔ)上提高開關(guān)速度。藍(lán)建銅透露,2013年將開發(fā)出集成度更高的SiC BJT驅(qū)動(dòng)器芯片。

不過他指出:“由于目前的工藝問題造成良率不高,SiC器件價(jià)格比Si材料的IGBT貴10倍左右。市場拐點(diǎn)將出現(xiàn)在2015年,屆時(shí)價(jià)格有望降到現(xiàn)在的50%。”

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