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羅姆推出耐壓30V功率MOSFET,產(chǎn)品陣容擴(kuò)充達(dá)16種

發(fā)布時(shí)間:2012-06-20

產(chǎn)品特性:
  • 低導(dǎo)通電阻、低容量
  • 實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)的高效率
  • 采用小型封裝,有助于更加節(jié)省空間
適用范圍:
  • 服務(wù)器、筆記本電腦以及平板電腦等

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)面向服務(wù)器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出了功率MOSFET。新系列的產(chǎn)品陣容為耐壓30V的共16種產(chǎn)品。羅姆獨(dú)家的高效特性,有助于各種設(shè)備的DC/DC電源電路實(shí)現(xiàn)更低功耗。另外,根據(jù)不同用途提供3種小型封裝,可減少安裝面積,更加節(jié)省空間。前期工序在羅姆的總部(日本京都市),后期工序在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國),從2012年4月開始出售樣品(樣品價(jià)格30~50日元/個(gè)),從5月份開始以月產(chǎn)100萬個(gè)的規(guī)模進(jìn)行量產(chǎn)。

近年來,隨著服務(wù)器和筆記本電腦等的高性能化發(fā)展,CPU等的功耗不斷增加,工作電壓越發(fā)低電壓化,設(shè)備的電源電路的溫升和電池驅(qū)動(dòng)時(shí)間減少已成為很大問題。在這種情況下,在同期整流方式降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器等各種電源電路中內(nèi)置功率MOSFET,使之承擔(dān)與提高電源的電力轉(zhuǎn)換效率直接相關(guān)的重要作用。為了實(shí)現(xiàn)高效低損耗的功率MOSFET,降低導(dǎo)通電阻和柵極容量是非常重要的,然而權(quán)衡兩者的關(guān)系后,往往很難同時(shí)兼顧。

新系列產(chǎn)品,除了進(jìn)一步微細(xì)化,采用羅姆獨(dú)家的低容量構(gòu)造和新的“溝槽式場(chǎng)板結(jié)構(gòu)”,同時(shí)實(shí)現(xiàn)了低柵極容量與低導(dǎo)通電阻。作為DC/DC轉(zhuǎn)換器用功率MOSFET的性能指數(shù)所使用的“FOM”與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比降低了50%,達(dá)到了業(yè)界頂級(jí)的高效性。由此,不僅降低了同期整流型DC/DC電源電路的高邊(High Side)的開關(guān)損耗,而且降低了低邊(Low Side)的導(dǎo)通損耗,可大大提高電路整體的效率。另外,能夠在高頻下進(jìn)行同期整流動(dòng)作,使外圍部件的小型化成為可能。此外,本產(chǎn)品為了確保在同期整流電路中的性能,針對(duì)Rg(柵極電阻)、UIS(L負(fù)載雪崩耐量)實(shí)施了100%試驗(yàn),在質(zhì)量方面也具有高可靠性。羅姆今后也將充分發(fā)揮獨(dú)創(chuàng)的先進(jìn)工藝加工技術(shù),不斷推進(jìn)設(shè)想到客戶需求的晶體管產(chǎn)品的開發(fā)。

<特點(diǎn)>

1)低導(dǎo)通電阻、低容量
進(jìn)一步微細(xì)化,同時(shí),采用羅姆獨(dú)家的低容量構(gòu)造和新的“溝槽式場(chǎng)板結(jié)構(gòu)”,實(shí)現(xiàn)了低容量與低導(dǎo)通電阻兼?zhèn)涞脑?。與羅姆傳統(tǒng)產(chǎn)品相比,表示功率MOSFET的性能指數(shù)的“FOM”數(shù)值可降低50%。
2)實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)的高效率
在同期整流型DC/DC電源電路中采用此次的功率MOSFET,可大大降低電力損耗,因此有助于設(shè)備的更低功耗。特別是高頻下的特性卓越,使外圍部件的小型化成為可能。

3)采用小型封裝,有助于更加節(jié)省空間,產(chǎn)品陣容中還包括復(fù)合封裝
根據(jù)不同用途,提供3種小型封裝。HSMT8比HSOP8的安裝面積減少了65%,為節(jié)省空間做出巨大貢獻(xiàn)。而且,產(chǎn)品陣容中還包括DC/DC電源電路中的高邊(High Side)用MOSFET與低邊(Low Side)用MOSFET復(fù)合化的新封裝HSOP8(Dual)。不僅安裝面積減小,而且還可有助于減少安裝次數(shù)。


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