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羅姆實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET一體化封裝 可替代Si-IGBT

發(fā)布時(shí)間:2012-06-18 來源:羅姆

產(chǎn)品特點(diǎn):
  • SCH2080KE實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝
  • 無開啟電壓,具備卓越的電流電壓特性
  • 正向電壓降低70%以上,減少了損耗和部件個(gè)數(shù)
  • 無尾電流,可進(jìn)行低損耗開關(guān)
應(yīng)用領(lǐng)域:
  • 工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器

羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC MOSFET“SCH2080KE”。本產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝,比Si-IGBT相比,工作損耗降低了70%,并可達(dá)到50kHz以上的開關(guān)頻率。

本產(chǎn)品于世界首次成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓(VF)降低70%以上,實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時(shí)還可減少部件個(gè)數(shù)。該產(chǎn)品生產(chǎn)基地在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣),從6月份開始出售樣品,從7月份開始陸續(xù)量產(chǎn)。

現(xiàn)在,在1200V級(jí)別的逆變器和轉(zhuǎn)變器中一般使用Si-IGBT,但尾電流和外置FRD的恢復(fù)導(dǎo)致的功率轉(zhuǎn)換損耗較大,因此,更低損耗、可高頻動(dòng)作的SiC-MOSFET的開發(fā)備受期待。但是,傳統(tǒng)的SiC-MOSFET,體二極管通電導(dǎo)致的特性劣化(導(dǎo)通電阻和正向電壓的上升/耐性劣化)和柵氧化膜故障等可靠性方面的課題較多,之前無法實(shí)現(xiàn)真正的全面導(dǎo)入。

此次,羅姆通過改善晶體缺陷相關(guān)工藝和元件構(gòu)造,成功地攻克了包括體二極管在內(nèi)的可靠性方面的所有課題。而且,與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比,單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約30%,實(shí)現(xiàn)了芯片尺寸的小型化。
 圖1:SiC-MOSFET與Si-IGBT的損耗特性比較
圖1:SiC-MOSFET與Si-IGBT的損耗特性比較

另外,通過獨(dú)創(chuàng)的安裝技術(shù),還成功將傳統(tǒng)上需要外置的SiC-SBD一體化封裝,使SiC-MOSFET的體二極管長(zhǎng)久以來的課題—降低正向電壓成為可能。
由此,與一般的逆變器中所使用的Si-IGBT相比,工作時(shí)的損耗降低了70%以上,實(shí)現(xiàn)了更低損耗的同時(shí),還實(shí)現(xiàn)了50kHz以上的更高頻率,而且有助于外圍部件的小型化。

另外,此次還同時(shí)開發(fā)了與SiC-SBD非同一封裝的型號(hào)SiC-MOSFET“SCT2080KE”,提供滿足不同電路構(gòu)成和客戶需求的產(chǎn)品。兩種產(chǎn)品將在6月19日(周二)~21日(周四)于上海世博展覽館舉行的聚集電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、電力特性等最新技術(shù)的專業(yè)類展會(huì)“PCIM Asia 2012”的羅姆展臺(tái)展出。詳細(xì)特點(diǎn)描述如下:

SiC-MOSFET與SiC-SBD一體化封裝


成功實(shí)現(xiàn)“SCH2080KE”與傳統(tǒng)上需要外置的SiC-SBD的一體化封裝,降低了正向電壓??蓽p少部件個(gè)數(shù),而且有助于進(jìn)一步節(jié)省空間。產(chǎn)品陣容中還包括傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的“SCT2080KE”,可滿足客戶的多種需求。
 圖2:SCH2080KE實(shí)現(xiàn)SiC-MOSFET與SiC-SBD一體化封裝
圖2:SCH2080KE實(shí)現(xiàn)SiC-MOSFET與SiC-SBD一體化封裝

無開啟電壓,具備卓越的電流電壓特性

通過優(yōu)化工藝和元件構(gòu)造,與第1代產(chǎn)品相比,單位面積的導(dǎo)通電阻降低約30%。不存在一般使用的Si-IGBT長(zhǎng)久以來所存在的開啟電壓,因此即使在低負(fù)載運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)損耗也很低。
 圖3:SiC-MOSFET不存在Si-IGBT的開啟電壓
圖3:SiC-MOSFET不存在Si-IGBT的開啟電壓

正向電壓降低70%以上,減少了損耗和部件個(gè)數(shù)
SiC-MOSFET的體二極管,在SiC物質(zhì)特性的原理上決定了其開啟電壓較大,高達(dá)2.5V以上,常常成為逆變器工作時(shí)的損耗。“SCH2080KE”集SiC-SBD與SiC-MOSFET于同一封裝內(nèi),大大降低了正向電壓。不僅損耗更低,還可減少部件個(gè)數(shù)。
圖4:SCH2080KE憑借SiC-SBD將正向電壓降低了70%
圖4:SCH2080KE憑借SiC-SBD將正向電壓降低了70%

無尾電流,可進(jìn)行低損耗開關(guān)
由于不會(huì)產(chǎn)生Si-IGBT中常見的尾電流,因此關(guān)斷時(shí)的開關(guān)損耗可減少90%,有助于設(shè)備更加節(jié)能。另外,達(dá)到了Si-IGBT無法達(dá)到的50kHz以上的開關(guān)頻率,因此,可實(shí)現(xiàn)外圍設(shè)備的小型化、輕量化。
 圖5:SiC-MOSFET不會(huì)產(chǎn)生Si-IGBT中常見的尾電流
圖5:SiC-MOSFET不會(huì)產(chǎn)生Si-IGBT中常見的尾電流
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