中心議題：

• 多模式開關(guān)電源控制芯片的低功耗設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

• 在輕載下采取PFM 模式，通過降低開關(guān)頻率來降低功耗
  
• 采用多模式反激式控制降低了芯片的輕載功耗

引 言

開關(guān)電源的效率與功耗已成為設(shè)計(jì)師關(guān)注的焦點(diǎn)，而多模式控制已經(jīng)成為電源控制芯片中高效率低功耗設(shè)計(jì)的主流趨勢。

所謂多模式控制就是在開關(guān)電源的工作中根據(jù)負(fù)載情況的不同采用不同的控制策略，以降低其功耗，提高效率。它是針對常用開關(guān)電源在輕載和待機(jī)條件下效率低的特點(diǎn)提出的，其設(shè)計(jì)思想可描述為：在重載下采用PWM 模式，以發(fā)揮其重載下效率高的優(yōu)點(diǎn)；在輕載下采取PFM 模式，通過降低開關(guān)頻率來降低功耗；而在極輕載條件下（待機(jī)模式下）則采取BURST模式來降低功耗。

目前，由于能源緊缺，國際國內(nèi)均對降 低用電設(shè)備的輕載和待機(jī)功耗給予了極大注意。應(yīng)指出的是，傳統(tǒng)的多模式控制策略雖然改善了開關(guān)電源的輕載與待機(jī)效率，但未對控制芯片本身的靜態(tài)功耗予以足 夠的重視，考慮到家電、辦公設(shè)備等設(shè)備數(shù)量巨大，倘能將控制芯片的靜態(tài)電流由毫安級降低一至兩個數(shù)量級，其節(jié)電效能就十分可觀。

文中給出一種低功耗開關(guān)電源控制芯片供電系統(tǒng)的設(shè)計(jì)并予以實(shí)現(xiàn)，其特點(diǎn)是可以降低控制芯片在輕載與待機(jī)模式下的功耗。

針對當(dāng)前應(yīng)用廣泛的系統(tǒng)芯片的需要，分別設(shè)置了一個數(shù)字模塊供電單元和兩個模擬模塊供電單元，其中一個模擬模塊供電單元專門用于在重載條件下為控制模塊供電，而在輕載和待機(jī)模式下則被關(guān)斷，以降低芯片的靜態(tài)功耗。

1 系統(tǒng)與電路設(shè)計(jì)

1.1 系統(tǒng)構(gòu)成

整個系統(tǒng)的構(gòu)成如圖1所示。系統(tǒng)中包括一個欠壓鎖定電路（UVLO，Under voltage lockout），用于保證電路在合適的電壓范圍內(nèi)正常工作；一個帶隙基準(zhǔn)電壓源和一個專為數(shù)字模塊供電的電壓源（記為VDD_D），分別為芯片提供基準(zhǔn)偏置和數(shù)字部分的電源。具體構(gòu)成時此兩模塊包含在UVLO模塊內(nèi)。兩個電壓調(diào)整器（REGULATOR）分別產(chǎn)生一個5 V和一個4.3 V 的穩(wěn)定電壓，其中5 V穩(wěn)定電壓源輸出記為REG，用于在重載時為控制器供電（輕載時關(guān)斷）；4.3 V 穩(wěn)定電壓源輸出記為VDD_AD，用于輕載時的供電。當(dāng)然，必要時還可以利用帶隙基準(zhǔn)產(chǎn)生更多不同的電壓以滿足復(fù)雜控制模式的需要。

圖1電源系統(tǒng)框圖

此外，本設(shè)計(jì)中還設(shè)置了一個REF-OK模塊來判斷上電后電源系統(tǒng)是否已進(jìn)入正常工作狀態(tài)。

1.2 欠壓鎖定電路的設(shè)計(jì)

欠壓鎖定電路又稱UVLO，見圖2.圖中 VDD為芯片外部供電電源，設(shè)計(jì)值為12 V.欠壓鎖定電路的窗口設(shè)置為7~9.5 V，即上電后電壓上升到大于9.5V 時芯片開始正常工作，而當(dāng)供電電壓小于7 V時芯片停止工作。考慮到欠壓鎖定電路在電源控制芯片中的重要性，設(shè)計(jì)給出了兩種實(shí)現(xiàn)方案，并對兩種控制策略的性能進(jìn)行了分析與比較。

圖2 兩個比較器實(shí)現(xiàn)的欠壓鎖定電路

圖2給出第一種欠壓鎖定電路的原理圖，稱為U-VLO1，這是用兩個比較器實(shí)現(xiàn)的欠壓鎖定電路。VDD是外部供電電壓源，K1、K2 是小于1的常數(shù)，且K1》K2，VREF為1.25 V帶隙基準(zhǔn)電壓，LATCH是由兩個反相器組成的鎖存器。圖中標(biāo)的UVLO_out代表欠壓鎖定信號，狀態(tài)設(shè)置是UVLO_out=0時有效。

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電路的工作原理可簡述如下：12 V供電電壓可在VDD比較低時建立一個PTAT （ProportiONal toabsolute temperature）電流源，然后利用其建立起帶隙基準(zhǔn)電壓源；當(dāng)VDD由0上升時，帶隙基準(zhǔn)電壓r首先建立，此時兩個比較器的輸出為低電位，P1導(dǎo)通，輸出為高電位；當(dāng)K1VDD大于 r時，COMP1輸出跳變，N1管導(dǎo)通，鎖存器鎖存上一個信號，UVLO為高電位（注意其為低電位有效）；當(dāng)K2VDD大于VREF 時，N2導(dǎo)通，則UVLO-out為低電位，使能其他模塊；隨著VDD減小，K2VDD首先小于VREF，N2關(guān)斷，則鎖存器鎖存信號，UVLO-out保持；當(dāng) VDD減小到K1 VDD小于VREF時COMP1跳變，P1導(dǎo)通，N1關(guān)斷，則輸出UVLO-out為高電位，關(guān)斷整個控制芯片。

表1 UVLO 的狀態(tài)對應(yīng)表

另一個方案是利用一個比較器實(shí)現(xiàn)的UVLO電路，稱UVLO2.該電路的特點(diǎn)是通過外部遲滯實(shí)現(xiàn)了欠壓鎖定功能，可應(yīng)用于高壓和低壓場合，如圖3.電路的工作原理如下：當(dāng)VDD由0上升到一個比較小的值時，帶隙基準(zhǔn)電壓VREF首先建立，當(dāng)VDD上升到：

時，比較器開始跳變，N1關(guān)斷，UVLO-out為0，使能整個控制芯片。當(dāng)外部電源電壓開始減小到：

時，比較器跳轉(zhuǎn)，N1開通，UVLO-out開始變l.通過合理設(shè)置R1、R2、R3值就可以使VDD1=9.5 V，VDD2=7V，即VDD上升到9.5 V時UVLO輸出為零，芯片正常工作； VDD下降到7 V 時芯片停止工作。

圖3 用外部遲滯實(shí)現(xiàn)的欠壓鎖定電路

兩種方案的工作特性對比結(jié)果如表2所列。需要指出的是，若直接用門電路實(shí)現(xiàn)施密特觸發(fā)，由于“的工藝離散性，將使觸發(fā)電壓難以準(zhǔn)確控制。

表2 兩種欠壓鎖定電路比較

經(jīng)比較可知，UVL02結(jié)構(gòu)較為簡單，面積小，啟動電流小，有利于降低功耗。因此，本設(shè)計(jì)最終采用了UVL02方案。此外，為最大限度減小功耗，設(shè)計(jì)中將帶隙基準(zhǔn)電壓、數(shù)字電源和欠壓鎖定電路集成在一起。具體電路圖見圖4。

圖4 欠壓鎖定和數(shù)字電源的具體電路圖

圖中利用帶隙基準(zhǔn)電壓加上四個二極管連接的三極管產(chǎn)生一個大于4 V 的電壓，然后經(jīng)過M0S管產(chǎn)生一個大約2.65 V左右的電壓。這個電壓在基準(zhǔn)電壓建立后就產(chǎn)生了，主要用于為欠壓鎖定電路的數(shù)字部分供電，并且擔(dān)任了為整個系統(tǒng)的數(shù)字電路供電的任務(wù)。
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1.3 5 V基準(zhǔn)電壓源（REG）

圖5為5 V穩(wěn)定電壓源（REG）的電路原理。其中P1、P2、P3、P4組成共源共柵結(jié)構(gòu)，可以提高電流鏡的鏡像精度，同時提高電源抑制比。Q3、Q4、R 1、R2組成一個帶隙基準(zhǔn)電壓，這樣可以減小額外的電流支路，降低功耗。Q1、Q2組成達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，增加輸出能力。P5、P6增加匹配，減小溝道長度調(diào)制效應(yīng)。Q1、Q2、R3、R4、R5、R6、Q4、P5、P6組成一個負(fù)反饋環(huán)路，將REG電壓穩(wěn)定在5 V。圖中C具有兩種作用：1、記憶直流工作點(diǎn)；2、補(bǔ)償環(huán)路電容。

穩(wěn)壓機(jī)理如下：當(dāng)負(fù)載增加時，REG電壓下降，則Q4基極下降，集電極升高，經(jīng)過P5、P6，使得Q1、Q2基極升高，REG 電壓升高；反之亦然。

REG電壓是片上多數(shù)模塊的供電電壓，驅(qū)動能力設(shè)計(jì)為4mA。

圖5 5 V 穩(wěn)定電壓源

1.4 4.3 V穩(wěn)定電壓源

4.3 V 的穩(wěn)定電壓源（VDD-AD）用來在輕載時為系統(tǒng)供電，始終保持工作，在BURST模式下由它為模擬模塊供電。

圖6 4.3 V 的穩(wěn)定電壓源

是帶隙基準(zhǔn)電壓，通過一個運(yùn)放、一個達(dá)林頓結(jié)構(gòu)的晶體管和一個電阻分壓網(wǎng)絡(luò)組成負(fù)反饋環(huán)路來產(chǎn)生4.3 V 的穩(wěn)定電壓。其穩(wěn)壓機(jī)理如下：當(dāng)負(fù)載增大時，VDD-AD電壓下降，此時A點(diǎn)電壓下降，使運(yùn)放的輸出上升，則Q1、Q2基極升高，REG電壓重新升高，獲得穩(wěn)定；反之亦然。

VDD-AD是檢測模塊的供電電壓，設(shè)計(jì)驅(qū)動能力為2 mA.芯片負(fù)載減小時，關(guān)斷REG，減小了芯片的靜態(tài)功耗，這樣既能保證芯片的驅(qū)動能力，又同時降低了芯片的靜態(tài)功耗。

圖7 REF-OK 電路的設(shè)計(jì)

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1.5 REF_OK模塊

REF_0K 模塊用以標(biāo)志電源系統(tǒng)是否建立好，以控制決定供電單元是否正常開始工作。其中兩個比較參考電平REFOK1、REF0K2的關(guān)系始終保持為REFOK1 《REF0K2.電路的工作原理如表3，形成的滯回窗口不僅保證了REG的精度，而且提高了整個供電單元的抗干擾性能。

表3 REF_OK 的基本功能表

1.6 模式控制邏輯

模式控制邏輯用以保證在進(jìn)行模式選擇時，電源系統(tǒng)正常工作。當(dāng)FB電壓底于0.5 V時，該控制邏輯通過內(nèi)部電流滯回比較器自動選擇進(jìn)入待機(jī)模式。RUN信號（其為高電位有效）用來關(guān)斷綠色多模式反激變換器中的其它控制模塊，以實(shí)現(xiàn)低待機(jī)功耗。

圖8 模式控制邏輯

2.版圖設(shè)計(jì)及測試結(jié)果

2.1 版圖設(shè)計(jì)

圖9給出了制得的多模式開關(guān)電源控制芯片的顯微照片，其中用線框標(biāo)出的部分就是所設(shè)計(jì)的供電模塊，包括：欠壓鎖定電路，數(shù)字電源，模擬電壓源（5 V穩(wěn)定電壓源，4.3 V穩(wěn)定電壓源），REF_OK等子模塊。兩個模擬電壓源因功率較大，可視為熱源，將其統(tǒng)一放置在版圖的左邊，而PTAT、帶隙基準(zhǔn)等敏感模塊則盡量遠(yuǎn)離熱源，放置在版圖的右邊，欠壓鎖定電路也放置在版圖的右上角。

圖9 芯片的顯微照片

2.2 Regulator的測試

5 V 電壓的PSR測試波形如圖10所示。由此圖可見，其PSR可以達(dá)到-60 dB.該供電模塊在工作頻率為40~130 kHz的綠色多模式反激式控制器中的應(yīng)用表明，它對來自電源的干擾具有較好的抑制能力。

圖10 5 V電源的PSR

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2.3 供電系統(tǒng)的測試

UVLO的啟動電流測量值僅為17.8 A，實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)的低啟動電流。系統(tǒng)上電和掉電的測試結(jié)果如圖11和圖12所示?？梢娤到y(tǒng)在VDD的設(shè)置門限內(nèi)工作良好，REF-OK可以正確指示各個供電模塊正常工作。掉電過程正好相反。

圖11 供電模塊的上電和掉電過程（1）

圖12 供電模塊的上電和掉電過程（2）

2.4 模式控制和效率測試

系統(tǒng)的多模式控制測試結(jié)果見圖13。中載或重載下系統(tǒng)采用PWM 模式工作，許多單元的供電電源為REG=5 V.極輕載條件下則關(guān)斷5 V的供電電源，減小系統(tǒng)的待機(jī)功耗，同時也有利于減小EMI和噪聲。其過程如下：當(dāng)FB電壓低于一個閾值時，待機(jī)模式選擇，則SHUTDOWN信號變高，關(guān)斷5 V 電壓源REG模塊，同時VDD-AD繼續(xù)給芯片供電，保證在輕載時芯片的檢測能夠連續(xù)實(shí)現(xiàn)。

圖13 供電單元多模式下的節(jié)能過程

圖14給出了集成了該低功耗電源系統(tǒng)的綠色多模式反激式控制器的效率圖（工作頻率為40~130kHz），并與傳統(tǒng)的反激變換器效率進(jìn)行了比較。由圖可知，采用多模式反激式控制降低了芯片的輕載功耗，提高了效率。
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圖14 反激變換器效率比較

3 結(jié) 論

提出了一種開關(guān)電源控制芯片供電系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案，可在不同負(fù)載條件下為芯片提供合適的供電方案，保證其高效低功耗工作。設(shè)置的UVLO模塊保證了芯片在電源波動過程中的正常工作。芯片測試的結(jié)果很好地驗(yàn)證了設(shè)計(jì)思想。