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PQFN2x2系列:IR推出新款超小型功率MOSFET用于便攜設備

發(fā)布時間:2011-06-16 來源:EDN china

產(chǎn)品特性:

  • 超小型、高密度、高效率
  • 導通電阻極低

應用范圍:

  • 智能手機、電腦、數(shù)碼相機、服務器和網(wǎng)絡通訊設備


全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 擴展其封裝系列,推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術,為一系列的低功耗應用,包括智能手機、平板電腦、攝像機、數(shù)碼相機、筆記本電腦、服務器和網(wǎng)絡通訊設備,提供超小型、高密度和高效率的解決方案。

新款的PQFN2x2器件提供20V、25 V和30 V的選擇,并帶有標準或邏輯水平柵極驅(qū)動器。這些器件只需要4平方毫米的占位空間,采用IR最新的低電壓N-通道和P-通道硅技術,從而達到極低的導通電阻 (RDS(on)) ,以及等同PQFN3.3x3.3或PQFN5x6封裝的高功率密度。

IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“IR的新型PQFN2x2器件進一步擴展IR廣闊的功率 MOSFET系列,也可以滿足我們客戶的需求,進一步縮小封裝尺寸,并結(jié)合基準硅技術。這些新器件擁有超小尺寸和高密度,非常適合于高度數(shù)字化內(nèi)容相關的應用。”

這個PQFN2x2系列包括為負載開關的高側(cè)而優(yōu)化的P-通道器件,帶來一個更簡單的驅(qū)動解決方案。同時,新器件的厚度少于1 mm,使它們與現(xiàn)有的表面貼裝技術兼容,并且擁有行業(yè)標準的占位空間,還符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令 (RoHS) 。

產(chǎn)品規(guī)格

組件編號 配  置  BV (V) 最大Vgs (V) 在10V下典型/最大RDS
(on)(m?)
在4.5V下典型/最大RDS
(on)(m?)
在2.5V下典型/最大RDS
(on)(m?)
IRFHS9301 單一 -30 -20 30/37 48/60       -
IRLHS2242 單一 -20 -12
 
    - 25/31  43 / 53
IRLHS6242 單一 +20 +12
 
    - 9.4/11.7 12.4/15.5
IRLHS6342 單一 +30 +12     - 12 / 16 15 /20
IRFHS8242 單一 +25 +20 10/13 17 / 21        -
IRFHS8342 單一 +30 +20 13/16
 
20 / 25        -  


      
       
    
      
    
     
     
 

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