中心議題：

• IGBT對驅(qū)動電路的要求
• IGBT驅(qū)動電路優(yōu)化設(shè)計

解決方案：

• 觸發(fā)脈沖要具有足夠快的上升和下降速度
• 柵極串連電阻Rg要恰當(dāng)
• 柵射電壓要適當(dāng)

多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關(guān)特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特點，近年來在各種電能變換裝置中得到了廣泛應(yīng)用。但是，IGBT的門極驅(qū)動電路影響IGBT的通態(tài)壓降、開關(guān)時間、快開關(guān)損耗、承受短路電流能力及du/dt等參數(shù)，并決定了IGBT靜態(tài)與動態(tài)特性。因此設(shè)計高性能的驅(qū)動與保護電路是安全使用IGBT的關(guān)鍵技術(shù)。

IGBT對驅(qū)動電路的要求
　　
（1）觸發(fā)脈沖要具有足夠快的上升和下降速度，即脈沖前后沿要陡峭；
　　
（2）柵極串連電阻Rg要恰當(dāng)。Rg過小，關(guān)斷時間過短，關(guān)斷時產(chǎn)生的集電極尖峰電壓過高；Rg過大，器件的開關(guān)速度降低，開關(guān)損耗增大；
　　
（3）柵射電壓要適當(dāng)。增大柵射正偏壓對減小開通損耗和導(dǎo)通損耗有利，但也會使管子承受短路電流的時間變短，續(xù)流二極管反向恢復(fù)過電壓增大。因此，正偏壓要適當(dāng)，通常為+15V。為了保證在C-E間出現(xiàn)dv/dt噪聲時可靠關(guān)斷，關(guān)斷時必須在柵極施加負(fù)偏壓，以防止受到干擾時誤開通和加快關(guān)斷速度，減小關(guān)斷損耗，幅值一般為-（5～10）V；
　　
（4）當(dāng)IGBT處于負(fù)載短路或過流狀態(tài)時，能在IGBT允許時間內(nèi)通過逐漸降低柵壓自動抑制故障電流，實現(xiàn)IGBT的軟關(guān)斷。驅(qū)動電路的軟關(guān)斷過程不應(yīng)隨輸入信號的消失而受到影響。
　　
當(dāng)然驅(qū)動電路還要注意像防止門極過壓等其他一些問題。日本FUJI公司的EXB841芯片具有單電源、正負(fù)偏壓、過流檢測、保護、軟關(guān)斷等主要特性，是一種比較典型的驅(qū)動電路。其功能比較完善，在國內(nèi)外得到了廣泛。
　　
驅(qū)動芯片EXB841的控制原理
　　
圖1為EXB841的驅(qū)動原理。其主要有三個工作過程：正常開通過程、正常關(guān)斷過程和過流保護動作過程。14和15兩腳間外加PWM控制信號，當(dāng)觸發(fā)脈沖信號施加于14和15引腳時，在GE兩端產(chǎn)生約16V的IGBT開通電壓；當(dāng)觸發(fā)控制脈沖撤銷時，在GE兩端產(chǎn)生-5.1V的IGBT關(guān)斷電壓。過流保護動作過程是根據(jù)IGBT的CE極間電壓Uce的大小判定是否過流而進行保護的，Uce由二極管Vd7檢測。當(dāng)IGBT開通時，若發(fā)生負(fù)載短路等發(fā)生大電流的故障，Uce會上升很多，使得Vd7截止，EXB841的6腳“懸空”，B點和C點電位開始由約6V上升，當(dāng)上升至13V時，Vz1被擊穿，V3導(dǎo)通，C4通過R7和V3放電，E點的電壓逐漸下降，V6導(dǎo)通，從而使IGBT的GE間電壓Uce下降，實現(xiàn)軟關(guān)斷，完成EXB841對IGBT的保護。射極電位為-5.1V，由EXB841內(nèi)部的穩(wěn)壓二極管Vz2決定。


圖1EXB841的工作原理[page]
　
作為IGBT的專用驅(qū)動芯片，EXB841有著很多優(yōu)點，能夠滿足一般用戶的要求。但在大功率高壓高頻脈沖電源等具有較大電磁干擾的全橋逆變應(yīng)用中，其不足之處也顯而易見。
　　
（1）過流保護閾值過高。通常IGBT在通過額定電流時導(dǎo)通壓降Uce約為3.5V，而EXB841的過流識別值為7.5V左右，對應(yīng)電流為額定電流的2～3倍，此時IGBT已嚴(yán)重過流。
　　
（2）存在虛假過流。一般大功率IGBT的導(dǎo)通時間約為1µs左右。實際上，IGBT導(dǎo)通時尾部電壓下降是較慢的。實踐表明，當(dāng)工作電壓較高時，Uce下降至飽和導(dǎo)通時間約為4～5µs，而過流檢測的延遲時間約為2.7µs.因此，在IGBT開通過程中易出現(xiàn)虛假過流。為了識別真假過流，5腳的過流故障輸出信號應(yīng)延遲5µs，以便保護電路對真正的過流進行保護。
　　
（3）負(fù)偏壓不足。EXB841使用單一的20V電源產(chǎn)生+15V和-5V偏壓。在高電壓大電流條件下，開關(guān)管通斷會產(chǎn)生干擾，使截止的IGBT誤導(dǎo)通。
　　
（4）過流保護無自鎖功能。在過流保護時，EXB841對IGBT進行軟關(guān)斷，并在5腳輸出故障指示信號，但不能封鎖輸入的PWM控制信號。
　　
（5）無報警電路。在系統(tǒng)應(yīng)用中，IGBT發(fā)生故障時，不能顯示故障信息，不便于操作。
　　
針對以上不足，可以考慮采取一些有效的措施來解決這些問題。以下結(jié)合實際設(shè)計應(yīng)用的具體電路加以說明。

驅(qū)動電路優(yōu)化設(shè)計
　　
本文基于EXB841設(shè)計IGBT的驅(qū)動電路如圖2所示，包括外部負(fù)柵壓成型電路、過流檢測電路、虛假過流故障識別與驅(qū)動信號鎖存電路，故障信息報警電路。
　　
⑴外部負(fù)柵壓成型電路
　　
針對負(fù)偏壓不足的問題，設(shè)計了外部負(fù)柵壓成型電路。
　　
如圖2所示，用外接8V穩(wěn)壓管Vw1代替驅(qū)動芯片內(nèi)部的穩(wěn)壓管Vz2，在穩(wěn)壓管兩端并聯(lián)了兩個電容值分別為105µf和0.33µf的去耦濾波電容。為防止柵極驅(qū)動電路出現(xiàn)高壓尖峰，在柵射極間并聯(lián)了反向串聯(lián)的16V（V02）和8V（V03）穩(wěn)壓二極管。為了改善控制脈沖的前后沿陡度和防止震蕩，減小IGBT集電極的電壓尖脈沖，需要在柵極串聯(lián)電阻Rg。柵極串連電阻Rg要恰當(dāng)，Rg過小，關(guān)斷時間過短，關(guān)斷時產(chǎn)生的集電極尖峰電壓過高；Rg過大，器件的開關(guān)速度降低，開關(guān)損耗增大。優(yōu)化電路采用了不對稱的開啟和關(guān)斷方法。在IGBT開通時，EXB841的3腳提供+16V的電壓，電阻Rg2經(jīng)二極管Vd1和Rg1并聯(lián)使Rg值較小。關(guān)斷時，EXB841內(nèi)部的V5導(dǎo)通，3腳電平為0，優(yōu)化驅(qū)動電路在IGBT的E極提供-8V電壓，使二極管V01截止，Rg=Rg1具有較大值。并在柵射極間并聯(lián)大電阻，防止器件誤導(dǎo)通。