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50V RF LDMOS:飛思卡爾推出高功率密度功率管

發(fā)布時間:2010-05-28

產(chǎn)品特性:

  • 該MRFE6VP6300H還包含創(chuàng)新的靜電放電(ESD)保護技術
  • 在電壓駐波比為65:1的負載中提供300 WCW的全額定輸出功率

應用范圍:

  • CO2激光器、等離子體發(fā)生器和磁共振成像(MRI)掃描儀
  • 對應用中所遇到的具有潛在破壞性的阻抗失配條件下使用


飛思卡爾半導體日前推出一款RF LDMOS功率管,工作頻率為1.8至600 MHz ,最適于在CO2激光器、等離子體發(fā)生器和磁共振成像(MRI)掃描儀等應用中所遇到的具有潛在破壞性的阻抗失配條件下使用。新MRFE6VP6300H FET是世界首款50V LDMOS 晶體管,在電壓駐波比(VSWR)為65:1的負載中提供300WCW的全額定輸出功率。
 
射頻功率管生成的最大功率到達天線時,所有固態(tài)射頻功率放大器的運行最有效。在理想條件下,這會產(chǎn)生1:1的VSWR,生成的全部額定功率都通過傳輸線到達負載,沒有任何額定功率反射回放大器。大部分應用的VSWR水平很少超過2.5:1,而大部分RF功率管無論其采取什么技術,都可以處理5:1或10:1的VSWR。
 
但是,RF功率放大器用來點燃CO2 激光器和離子發(fā)生器或在MRI系統(tǒng)里生成電磁場,都會短暫出現(xiàn)生成的額定功率幾乎全部被反射回放大器的情況。這些異常情況給大部分RF功率管帶來了難題。
 
飛思卡爾新推出的MRFE6VP6300H產(chǎn)品主要針對這類應用,能夠?qū)?00W滿CW輸出功率生成高達 65:1的VSWR。它是這個性能級別里唯一商用的50 V LDMOS晶體管產(chǎn)品。
 
飛思卡爾副總裁兼RF部門總經(jīng)理 Gavin Woods表示,“這一重要技術成果又一次顯示了飛思卡爾在RF功率市場始終保持行業(yè)第一的記錄。有了這款新晶體管,CO2激光器、等離子體發(fā)生器、磁共振成像掃描儀和其他工業(yè)設備的制造商可以獲得前所未有的穩(wěn)定性和射頻功率性能。”
 
MRFE6VP6300H可用于推拉式或單端配置,并放置在緊湊型NI780 - 4陶瓷封裝中。頻率為130兆赫時,該設備生成300W的CW輸出功率,增益為25分貝,效率達80%。

該MRFE6VP6300H還包含創(chuàng)新的靜電放電(ESD)保護技術,這不僅使它成為第三類功率器件,還支持大的柵源電壓范圍(-6V至+10 V),因而在高效模式(如C類)下運行時能提高性能。

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