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拓鋒半導體亮相第75屆中國電子展,主打溝槽MOSFET產(chǎn)品

發(fā)布時間:2010-04-27

新聞事件:

  • 拓鋒參展第75屆中國電子展

行業(yè)影響:

  • 拓鋒強調(diào)技術(shù)與誠信,為客戶提供更多價值
  • 本土分立半導體廠商走向品牌之路

第75屆中國電子展于4月9日-11日在深圳會展中心上演,展會聚集了多家國內(nèi)外知名電子元器件廠商,而本土多家分立半導體領(lǐng)先廠商集體亮相也成為展會的亮點,拓鋒半導體就是其中的一員。

深圳市拓鋒半導體科技有限公司專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)、銷售半導體分立器件,產(chǎn)品包括BJT、MOSFET、LDO、二極管、三端穩(wěn)壓器等,雖然沒有自己的工廠,但拓鋒依靠自己的技術(shù)和產(chǎn)業(yè)信息積累,通過從大陸、臺灣、香港、日本等地區(qū)的晶圓廠購買芯片,委托國內(nèi)封裝廠進行封裝,并通過自己專業(yè)的銷售團隊服務(wù)珠三角地區(qū)客戶,力圖打造本土分立半導體的領(lǐng)先品牌。拓鋒的業(yè)務(wù)模式非常類似集成電路領(lǐng)域的無晶圓設(shè)計公司(Fabless),也許有工程師朋友會質(zhì)疑分立半導體相比集成電路對設(shè)計要求不高,而全靠制造工藝,而事實上分立半導體在器件技術(shù)參數(shù)、質(zhì)量控制、應用選型方面,同樣需要深厚的技術(shù)積累和豐富的產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗。

圖:拓鋒半導體展臺

在拓鋒半導體的展臺,電子元件技術(shù)網(wǎng)有幸采訪到拓鋒半導體總經(jīng)理林有親先生。林老在半導體器件物理和集成電路制造、電路設(shè)計領(lǐng)域有三十多年的從業(yè)經(jīng)驗,先后在中科院物理研究所、航天九院771研究所擔任技術(shù)骨干,并在退休后創(chuàng)建了拓鋒半導體。林有親表示,拓鋒半導體一直強調(diào)技術(shù)和誠信的企業(yè)方針,并將產(chǎn)品質(zhì)量和客戶服務(wù)放在首位。

本次參展拓鋒主打MOSFET系列產(chǎn)品,林有親介紹,拓鋒的TRENCH MOSFET產(chǎn)品線包括SI23XX系列、AO34XX系列、2SK3018系列、BSS138、XP151A等,產(chǎn)品按VISHAY公司和ALPHA§OMEGA等公司的同型號電參數(shù)規(guī)格測試,確保產(chǎn)品規(guī)格和品質(zhì)。此外,拓鋒許多產(chǎn)品都采用了8英寸晶圓廠的產(chǎn)品,相比以往AO的6英寸晶圓的電參數(shù)標準具備更低的漏電流和導通電阻RDS(on),性能更優(yōu)。

拓鋒半導體總經(jīng)理林有親

目前拓鋒MOSFET產(chǎn)品的客戶主要主要以數(shù)碼類為主,比如MP3/MP4/MP5硬盤播放器、數(shù)碼相框、數(shù)碼相機、液晶驅(qū)動、移動DVD、網(wǎng)絡(luò)播放器、DVD解碼板、筆記本電腦、手機、DV攝像機等、電子書、車載DVD等應用,主要還是面向低功率市場。林有親表示,未來會繼續(xù)拓展MOSFET產(chǎn)品線,并向中高壓、大電流領(lǐng)域滲透。林總舉例說,比如我們有做電動小飛機的客戶,由于馬達功率較高,要求MOSFET電流達到30A,而針對許多電機、馬達驅(qū)動的應用也需要電流達到幾安到幾十安培,使用較大導通電流的MOSFET有助于減少并聯(lián)的MOSFET的數(shù)量并增加設(shè)計余量。對于目前熱門的電動自行車應用,通常需要MOSFET電流達到70安培以上,電壓達到100V以上。林總透露,拓鋒目前也在準備進入LED市場。

受益于中國電子制造業(yè)的快速發(fā)展,國內(nèi)分立半導體廠商進步很快,不過相比國際領(lǐng)先廠商還是有一定差距。“在高端領(lǐng)域還是國際廠商的天下,不過在中低端的應用中國內(nèi)廠商的產(chǎn)品已經(jīng)與國外大廠不相上下,我們的產(chǎn)品完全按照Vishay等國際大廠的電參標準,只有在一些二級參數(shù)方面略有差距,” 林有親表示,“比如漏電流要求在100nA以下的產(chǎn)品,也許Vishay能做到50nA,但我們也能做到80nA,相比來說我們產(chǎn)品的性價比具備更大的優(yōu)勢。”

隨著半導體工藝的進步,分立半導體也在不斷經(jīng)歷技術(shù)變革,從VDMOS到TRENCH MOS,MOSFET的導通電流得以不斷提升,不斷改善的工藝讓MOSFET向高輸出、高密度、高頻率、高效率發(fā)展;新型QFN、BGA、SO-8、Direct FET等封裝技術(shù)也讓MOSFET體積不斷縮小,散熱性能不斷提高;而新型低VCEsat的BJT也有望在中功率應用中挑戰(zhàn)MOSFET的地位。本土廠商在分立半導體領(lǐng)域起步較晚,需要不斷提升技術(shù)和品質(zhì),并努力創(chuàng)新,才能在競爭中不斷前進。
 

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