- 兼具低RDS (ON) 和低總柵極電荷
- 品質因數降低了40%
- 最佳的反向恢復特性di/dt和dv/dt
- 將開關和傳導損耗減少20%
- 擊穿電壓范圍(-500V 至1000V)
- 電源、照明、顯示和工業(yè)應用
相比SuperFET™ MOSFET器件,SupreMOS™600V超級結MOSFET在相同RDS(ON)下提供了更低的柵級電荷,并且具有出色的開關性能,能夠將開關和傳導損耗減少20%,從而提高效率。另外,SupreMOS™器件具有較低的輸入和輸出電容,能夠提高輕負載條件下的效率。這些特性可讓電源滿足能源之星規(guī)范中適用于臺式電腦的80 PLUS 金(Gold) 級別和用于服務器的白金(Platinum)級別的要求。
SupreMOS™器件是飛兆半導體全面之MOSFET產品系列的一部分,為設計人員帶來寬闊的擊穿電壓范圍(-500V 至1000V)、先進封裝和業(yè)界領先的品質因數(FOM),為各種電能轉換環(huán)境提供所需的高效功率管理功能。
價格(訂購1000個,每個):
FCP22N60N 1.60美元
FCPF22N60N 1.60美元
FCA22N60N 1.80美元
FCP16N60N 1.50美元
FCPF16N60NT 1.50美元
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