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IRF6718:IR新款動態(tài)ORing和熱插拔應(yīng)用大罐式DirectFET封裝 25V MOSFET

發(fā)布時間:2009-08-12

產(chǎn)品特性:
  • 極低的通態(tài)電阻:在10V Vgs時典型為0.5mΩ
  • 比D2PAK的占位面積縮小60%,高度縮小85%
  • 實現(xiàn)了改善的安全工作區(qū)(SOA)能力
應(yīng)用范圍:
  • 電子保險絲及熱插拔應(yīng)用
  • 高密度DC-DC應(yīng)用

國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型25V器件提供業(yè)界最低的通態(tài)電阻 (RDS(on)),并且使動態(tài)ORing、熱插拔及電子保險絲等DC開關(guān)應(yīng)用達到最佳效果。

IRF6718在新款大罐式DirectFET封裝中融入了IR新一代硅技術(shù),提供極低的通態(tài)電阻(在10V Vgs時典型為0.5mΩ),同時比D2PAK的占位面積縮小60%,高度縮小85%。新器件大幅減少了有關(guān)旁路元件的傳導損耗,從而大大提高整體系統(tǒng)的效率。

IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“IRF6718是IR第一款采用大罐式DirectFET封裝的器件,與同類器件相比擁有更低的通態(tài)電阻,可實現(xiàn)卓越的效率及熱性能,適合于高密度DC-DC應(yīng)用,如比D2PAK尺寸更小的服務(wù)器。另外,該器件還有助于節(jié)省電路板空間及整體系統(tǒng)的成本,因為在特定功率損耗下,它比現(xiàn)有解決方案使用更少的器件。”

此外,IRF6718為電子保險絲及熱插拔電路實現(xiàn)了改善的安全工作區(qū)(SOA)能力。該器件采用無鉛設(shè)計,并符合RoHS標準。

IRF6718是IR針對DC開關(guān)應(yīng)用的25V DirectFET系列的衍生產(chǎn)品。IRF6717中罐式和IRF6713小罐式DirecFET也適合DC開關(guān)應(yīng)用,并且在各自的PCB尺寸內(nèi)提供業(yè)界最佳的通態(tài)電阻。

器件編號

典型RDS(on) @10V (mΩs)

典型RDS(on) @4.5V (mΩs)

VGS (V)

ID @ TA=25ºC (A)

封裝面積    (mm x mm)

典型RDS(on)

@10V x 面積

(mΩ x mm2)

IRF6718

0.5

1.0

+/-20

61

7 x 9.1

31.9

IRF6717

0.95

1.6

+/-20

38

4.9 x 6.3

29.3

IRF6713

2.2

3.5

+/-20

22

3.8 x 4.8

40.1


上述器件的數(shù)據(jù)及應(yīng)用說明已在IR的網(wǎng)站www.irf.com提供。IR已開始接受量產(chǎn)訂單。
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