產(chǎn)品特性：

• 超薄小封裝
• 超低導(dǎo)通電阻
• 最高的柵源電壓分別為 ±5V 、8V

應(yīng)用范圍：

• 手機(jī)、PDA
• 數(shù)碼相機(jī)、MP3 播放器
• 智能電話等便攜式設(shè)備

日前，為滿足對便攜式設(shè)備中更小元件的需求，Vishay推出 20V p 通道 TrenchFET功率 MOSFET，該器件采用 MICRO FOOT芯片級封裝，具有超薄厚度及最低導(dǎo)通電阻。

Vishay Siliconix Si8441DB具有 0.59mm 的超薄厚度，以及 1.5mm×1mm 的占位面積。這也是在 1.2V 額定電壓時(shí)提供導(dǎo)通電阻的首款此類器件。該新器件的典型應(yīng)用將包括手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)、MP3 播放器及智能電話等便攜式設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)及電池保護(hù)。

該Si8441DB提供了 1.2V VGS時(shí) 0.600? 至 4.5V VGS時(shí) 0.080?的導(dǎo)通電阻范圍，且具有最高 ±5V 的柵源電壓。1.2V 額定電壓時(shí)的低導(dǎo)通電阻降低了對電平位移電路的需求，從而節(jié)約了便攜式電子設(shè)計(jì)中的空間。

日前還推出了采用相同 MICRO FOOT 封裝的 20V p 通道 Si8451DB。Si8451DB的最高額定柵源電源為 8V，其導(dǎo)通電阻范圍介于 1.5V 時(shí) 0.200Ω 至 4.5V 時(shí) 0.080Ω，這是迄今為止具有這些額定電壓的器件所實(shí)現(xiàn)的最佳值。

隨著便攜式電子設(shè)備的體積越來越小，以及它們功能的不斷增加，電源管理電路的可用板面空間會極大減少。為實(shí)現(xiàn)消費(fèi)者對電池充電間隔間的電池運(yùn)行時(shí)間的期望，設(shè)計(jì)人員需要具有低功耗的更小 MOSFET 封裝 — 這恰恰是 Si8441DB及Si8451DB所具有的特點(diǎn)。

目前，這些新型 MICRO FOOT 芯片級功率 MOSFET 的樣品與量產(chǎn)批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 10～12 周。