產(chǎn)品特性：

• 采用MICRO FOOT芯片級(jí)封裝
• 1.2mm×1.0mm 的超小占位面積
• 1.2 V 時(shí)0.084 ?的低導(dǎo)通電阻范圍

應(yīng)用范圍：

• 手機(jī)、PDA、
• 數(shù)碼相機(jī)、MP3 播放器
• 智能電話

日前，Vishay推出新型 20V p 通道TrenchFET功率MOSFET，該器件采用MICRO FOOT芯片級(jí)封裝，具有很小占位面積以及 1.2 V 時(shí)超低的導(dǎo)通電阻。

隨著便攜式電子設(shè)備的體積越來越小，以及它們功能的不斷增加，電源管理電路的可用板面空間會(huì)極大減少。為實(shí)現(xiàn)消費(fèi)者對(duì)電池充電間隔間的電池運(yùn)行時(shí)間的期望，設(shè)計(jì)人員需要具有低功耗的更小 MOSFET 封裝 — 這恰恰是新型 Vishay Siliconix Si8445DB所具有的特點(diǎn)。

憑借 1.2mm×1.0mm 的超小占位面積，Si8445DB比業(yè)界大小僅次于它的器件小20%，同時(shí)具有 0.59mm 的相同超薄厚度。Si8445DB具有 1.2V VGS時(shí) 0.495?～4.5V VGS時(shí) 0.084 ?的低導(dǎo)通電阻范圍。1.2 V 時(shí)的低導(dǎo)通電阻額定值降低了對(duì)電平位移電路的需求，從而節(jié)約了便攜式電子設(shè)計(jì)中的空間及功率。

該新器件的典型應(yīng)用將包括手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)、MP3 播放器及智能電話等便攜式設(shè)備中的低閾值負(fù)載開關(guān)、充電器開關(guān)及電池管理。

目前，該新型 MICRO FOOT 芯片級(jí)功率 MOSFET 的樣品與量產(chǎn)批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 10～12 周。