中心論題：

• 傳統(tǒng)電源的優(yōu)劣性能。
• 開(kāi)關(guān)電源的電磁干擾源。
• 電磁兼容性設(shè)計(jì)的介紹。

• 根據(jù)反饋回路信息控制開(kāi)關(guān)的開(kāi)合調(diào)整占空比獲得穩(wěn)定電源輸出。
• 采用適當(dāng)?shù)?/span>EMI濾波器抑制共模騷擾。
• 通過(guò)緩沖和鉗位的方法克服反向尖峰電流和尖峰電壓。
• 新接地技術(shù)分離噪聲源和敏感電路。

電源是各種電子設(shè)備不可或缺的組成部分，其性能的優(yōu)劣直接關(guān)系到電子設(shè)備的技術(shù)指標(biāo)及能否安全可靠地工作。早年的線性穩(wěn)壓電源因其優(yōu)良的穩(wěn)壓性能、非常小的輸出紋波電壓等優(yōu)點(diǎn)而獲得了廣泛的應(yīng)用。但是其必須使用笨重的工頻變壓器與電網(wǎng)進(jìn)行隔離，并且調(diào)整管功率損耗大，致使電源體積和重量大，效率低下。開(kāi)關(guān)電源采用更高開(kāi)關(guān)頻率的功率管替代工頻變壓器，并且采用軟開(kāi)關(guān)、功率因數(shù)補(bǔ)償?shù)燃夹g(shù)使得其體積小，重量輕，效率更高，在中、小功率的市場(chǎng)已經(jīng)代替了線性穩(wěn)壓電源的地位。但是，干擾問(wèn)題卻隨之而來(lái)。由于開(kāi)關(guān)電源的工作頻率比較高(幾十到幾百kHz)，開(kāi)關(guān)電源本身又是一個(gè)很強(qiáng)的功率源，因此，開(kāi)關(guān)電源對(duì)電網(wǎng)會(huì)造成污染。開(kāi)關(guān)電源向周圍空間的輻射騷擾、開(kāi)關(guān)電源對(duì)同一電網(wǎng)中其他用電設(shè)備的高頻傳導(dǎo)干擾等電磁兼容方面的問(wèn)題成了阻礙開(kāi)關(guān)電源進(jìn)一步推廣發(fā)展的絆腳石。

20世紀(jì)90年代中期以來(lái)，世界各國(guó)從保護(hù)環(huán)境和保護(hù)人的身體健康出發(fā)，先后發(fā)展了強(qiáng)制性產(chǎn)品認(rèn)證，電子和電氣產(chǎn)品的電磁兼容性問(wèn)題受到了制造商和消費(fèi)者的高度重視，產(chǎn)品的電磁兼容性也成了產(chǎn)品進(jìn)入世界市場(chǎng)大門的通行證，而開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容性更是首當(dāng)其沖。因此，只有在電源設(shè)計(jì)的過(guò)程中，嚴(yán)格地進(jìn)行電磁兼容性設(shè)計(jì)才能保證生產(chǎn)出滿足電磁兼容性要求的合格產(chǎn)品，使產(chǎn)品能夠在世界各國(guó)市場(chǎng)暢通無(wú)阻，被消費(fèi)者接受。

電磁兼容(EMC)是指電子設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中能正常工作，且不對(duì)該環(huán)境中任何事物構(gòu)成不能承受的電磁騷擾的能力。其包括電磁干擾(EMI)和電磁敏感(EMS)兩方面的內(nèi)容。EMI是指電器產(chǎn)品向外發(fā)出干擾。EMS是指電器產(chǎn)品抵抗電磁干擾的能力。一臺(tái)具備良好電磁兼容性能的設(shè)備應(yīng)既不受周圍電磁噪聲的影響，也不對(duì)周圍環(huán)境造成電磁干擾。電磁干擾的三個(gè)要素是干擾源、耦合途徑和敏感設(shè)備。因此，電磁兼容性設(shè)計(jì)的任務(wù)就可以概括為：削弱干擾源的能量，隔離和減弱噪聲耦合途徑及提高設(shè)備對(duì)電磁騷擾的抵抗能力。

本文以電動(dòng)沖擊鉆的充電電源電路設(shè)計(jì)過(guò)程為例，討論開(kāi)關(guān)電源的電磁干擾源和電磁兼容性設(shè)計(jì)內(nèi)容。

開(kāi)關(guān)電源的電磁干擾源
本電源采用美國(guó)Power Integrate(PI)公司TOPSwitch GX246Y集成電源模塊。該模塊將高電壓功率MOSFET、脈寬調(diào)制控制、故障保護(hù)以及其他的控制電路集成在單片CMOS芯片上，屬于低成本、高靈活性的智能功率開(kāi)關(guān)，具有如下突出特點(diǎn)：
(1)外部可編程精確限流；
(2)更寬的占空比使得輸出功率更大，輸入電容減?。?br /> (3)具有欠壓、過(guò)壓保護(hù)功能；
(4)輸入電壓前饋技術(shù)縮小了最大占空比Dmax，抑制了脈動(dòng)紋波，并在輸入線電壓較高時(shí)限制Dmax；
(5)頻率抖動(dòng)功能減少了電磁干擾以及相應(yīng)的濾波器損耗；
(6)l32 kHz的開(kāi)關(guān)頻率減少了變壓器的尺寸，從而減小了電源的尺寸；
(7)空載時(shí)可降低工作頻率，使輸出電路無(wú)需加假負(fù)載，降低了能量損耗。
利用PI公司提供的PI Expert軟件做成的電源模塊結(jié)構(gòu)圖如圖1所示。
 
該電路首先將工頻電流整流成為直流，再通過(guò)高頻變壓器把原邊的電壓耦合到副邊，輸出+18V/3A的電壓和電流。TOPSwitch GX246Y根據(jù)反饋回路信息控制開(kāi)關(guān)的開(kāi)合，調(diào)整占空比，使電源獲得穩(wěn)定可靠的輸出。
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此電路產(chǎn)生電磁干擾的最基本原因是其在工作的過(guò)程中產(chǎn)生了非常高的di/dt和du/dt。所產(chǎn)生的浪涌電流和尖峰電壓形成了強(qiáng)烈干擾源。工頻整流濾波使用大容量電容充、放電，開(kāi)關(guān)管高頻通斷，輸出整流二極管的反向恢復(fù)都是屬于這種類型干擾。另外，開(kāi)關(guān)管的驅(qū)動(dòng)波形，MOSFET漏源波形等開(kāi)關(guān)電源中的電壓、電流波形都是接近矩形波形狀的周期波，因此，其頻率都是MHz級(jí)別的，這些高頻信號(hào)對(duì)開(kāi)關(guān)電源的基本信號(hào)，特別是控制電路的信號(hào)造成干擾。

a  輸入整流電路的電磁干擾
在輸入電路中，整流橋4個(gè)整流管(圖1中的EMI＆Rectify部分)只有在脈動(dòng)電壓超過(guò)輸入濾波電容上的電壓時(shí)才能導(dǎo)通，電流才從市電電源輸入，并對(duì)濾波電容充電。一旦濾波電容上的電壓高于市電電源的瞬時(shí)電壓，整流管便截止。所以，輸入電路的電流是脈沖性質(zhì)的，并且有著豐富的高次諧波電流。這是因?yàn)檎麟娐返姆蔷€性特性，整流橋交流側(cè)的電流嚴(yán)重失真。

忽略換流過(guò)程和電流脈動(dòng)的影響，整流電路交流側(cè)輸入電流in的第n次諧波電流的幅值Inm可表示為Inm=Ilm，式中：n=2k±l(k=l，2，3…)；Ilm為基波電流幅值，于是交流側(cè)電流in可表示為
 
而直流側(cè)的諧波次數(shù)是n倍。所以，整流電路直流側(cè)高次諧波電流不僅使電路產(chǎn)生畸變功率，增加電路的無(wú)功功率，而且高頻諧波會(huì)沿著傳輸線路產(chǎn)生傳導(dǎo)干擾和輻射干擾，危害電網(wǎng)安全。

b 開(kāi)關(guān)電路
開(kāi)關(guān)管負(fù)載為高頻變壓器初級(jí)線圈，是感性負(fù)載。在開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通瞬間，初級(jí)線圈產(chǎn)生很大的涌流，并在初級(jí)線圈的兩端出現(xiàn)較高的浪涌尖峰電壓；在開(kāi)關(guān)管斷開(kāi)瞬間，由于初級(jí)線圈的漏磁通，致使一部分能量沒(méi)有從一次線圈傳輸?shù)蕉尉€圈，儲(chǔ)藏在電感中的這部分能量將和集電極電路中的電容、電阻形成帶有尖峰的衰減震蕩，疊加在關(guān)斷電壓上，形成關(guān)斷電壓尖峰。如果尖峰有足夠高的幅度，那么很有可能把TOPwitch GX246Y內(nèi)的開(kāi)關(guān)管擊穿。

c 高頻變壓器初次級(jí)之間分布電容引起的共模傳導(dǎo)騷擾
高頻變壓器是開(kāi)關(guān)電源中實(shí)現(xiàn)能量?jī)?chǔ)存、隔離、輸出、電壓變換的重要部件，可惜的是它的漏感和分布電容對(duì)電路的電磁兼容性性能帶來(lái)不可忽略的影響。漏感的影響在開(kāi)關(guān)電路的電磁干擾問(wèn)題上已經(jīng)討論。共模干擾是一種相對(duì)大地的干擾，所以不會(huì)通過(guò)變壓器“電生磁和磁生電”的機(jī)理來(lái)傳遞，而必須通過(guò)變壓器繞組間的耦合電容來(lái)傳遞。而在開(kāi)關(guān)電源的高頻變壓器初次級(jí)之間存在著分布電容是個(gè)不爭(zhēng)的事實(shí)。用一個(gè)裝置電容(裝置對(duì)地的分布電容)來(lái)與整個(gè)開(kāi)關(guān)電源等效，就得到了如圖2所示的干擾通道。
 
共模干擾通過(guò)變壓器的耦合電容，經(jīng)過(guò)裝置電容再返回大地，就得到一個(gè)由變壓器耦合電容與裝置電容構(gòu)成的分壓器。共模電壓就按照分壓器中電容量的大小來(lái)分壓，分到的電壓為
 
式中：Z為繞組間的耦合阻抗；Z2為負(fù)載對(duì)地的等效阻抗；e1為初級(jí)干擾(共模電壓)；e2為次級(jí)干擾(共模電壓)。

脈沖變壓器初級(jí)線圈，開(kāi)關(guān)管和濾波電容構(gòu)成的高頻開(kāi)關(guān)電流環(huán)路可能會(huì)產(chǎn)生較大的空間輻射，形成輻射騷擾。

d  副邊整流電路輸出
開(kāi)關(guān)電源工作時(shí)，副邊整流電路的高速恢復(fù)二極管也處于高頻通斷狀態(tài)。由高頻變壓器次級(jí)線圈、整流二極管和濾波電容也構(gòu)成了高頻開(kāi)關(guān)電流的環(huán)路。因此，同樣有可能對(duì)空間形成電磁輻射。
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當(dāng)二極管正向?qū)〞r(shí)，在P區(qū)和N區(qū)分別有少數(shù)載流子電子和空穴導(dǎo)電，當(dāng)突然加反向電壓時(shí)，儲(chǔ)存電荷在反向電場(chǎng)作用下被復(fù)合，形成反向恢復(fù)電流，盡管電流非常小，但是這個(gè)轉(zhuǎn)變過(guò)程非常短暫，因此，di/dt相當(dāng)可觀，就會(huì)在副邊整流電路中形成高頻衰減振蕩。它會(huì)對(duì)外界形成差模輻射，甚至導(dǎo)致整流二極管被擊穿。

電磁兼容性設(shè)計(jì)
開(kāi)關(guān)電源存在著共模干擾和差模干擾兩種電磁干擾形式，根據(jù)前面分析的電磁干擾源，結(jié)合它們的耦合途徑，可以從EMI濾波器、吸收電路、接地和屏蔽等幾個(gè)方面來(lái)抑制干擾，把電磁干擾衰減到允許限度之內(nèi)。

a  采用交流輸入EMT濾波器
采用適當(dāng)?shù)腅MI濾波器，可以很有效地抑制交流電源輸入端的低頻段差模騷擾和高頻段共模騷擾。在EMI濾波器(如圖3所示)中，差模電容Cx用來(lái)短路差模噪聲電流，而中間連線接地的共模電容Cy則用來(lái)短路共模噪聲電流。共模扼流圈L(電感)是由兩股等同并且按同方向繞制在一個(gè)磁芯上的線圈組成。當(dāng)負(fù)載電流流過(guò)共模扼流圈時(shí)，串聯(lián)在火線上的線圈所產(chǎn)生的磁力線和串聯(lián)在零線上線圈所產(chǎn)生的磁力線方向相反，它們?cè)诖判局邢嗷サ窒?。因此，即使在大?fù)載電流的情況下，磁芯也不會(huì)飽和。而對(duì)于共模干擾電流，兩個(gè)線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)是同方向的，會(huì)呈現(xiàn)較大電感，從而起到衰減共模干擾信號(hào)的作用。
 
b 利用吸收及箝位電路
開(kāi)關(guān)管或二極管在開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中，管中產(chǎn)生的反向尖峰電流和尖峰電壓，可以通過(guò)緩沖和鉗位的方法予以克服。緩沖吸收電路可以減少尖鋒電壓的幅度和減少電壓波形的變化率，這對(duì)于半導(dǎo)體器件使用的安全性非常有好處。與此同時(shí)，緩沖吸收電路還降低了射頻輻射的頻譜成分，有益于降低射頻輻射的能量。箝位電路主要用來(lái)防止半導(dǎo)體器件和電容器被擊穿的危險(xiǎn)。兼顧箝位電路保護(hù)作用和開(kāi)關(guān)電源的效率要求，TVS管的擊穿電壓選擇為初級(jí)繞組感應(yīng)電壓的1.5倍。根據(jù)TopSwitch的使用指導(dǎo)，選擇RCD和TVS結(jié)合的方式來(lái)抑制電磁干擾，如圖4所示。
 
當(dāng)TVS上的電壓超過(guò)一定幅度時(shí)，器件迅速導(dǎo)通，從而將浪涌能量泄放掉，并將浪涌電壓的幅值限制在一定的幅度。在開(kāi)關(guān)管漏極和輸出二極管的正極引線上可串聯(lián)帶可飽和磁芯線圈或微晶磁珠，材質(zhì)一般為鈷(Co)，當(dāng)通過(guò)正常電流時(shí)磁芯飽和，電感量很小。一旦電流要反向流過(guò)時(shí)，它將產(chǎn)生很大的反電勢(shì)，這樣就能有效地抑制二極管D2的反向浪涌電流。

c  屏蔽措施及變壓器的繞制
在設(shè)計(jì)高頻變壓器時(shí)必須把漏感減至最小。因?yàn)槁└性酱螅a(chǎn)生的尖峰電壓幅值愈高，漏極箝位電路的損耗就越大，這必然導(dǎo)致電源效率降低。減小漏感可以采取以下措施：
(1)減少原邊繞組的匝數(shù)；
(2)增大繞組的寬度；
(3)增加繞組的高、寬比；
(4)減小各繞組之問(wèn)的絕緣層；
(5)增加繞組之間的耦合程度。屏蔽是抑制開(kāi)關(guān)電源輻射騷擾的有效方法，而隔離變壓器是共模噪聲的另一個(gè)主要來(lái)源。如圖5所示，變壓器主要的寄生參數(shù)為：漏感LK，繞組間電容CR，交叉耦合電容CTc變壓器繞組間的交叉耦合電容為共模噪聲流過(guò)整個(gè)系統(tǒng)提供了通路。 
 
在變壓器的繞制過(guò)程中采用法拉第屏蔽(Faraday shield)來(lái)減小交叉耦合電容。法拉第屏蔽簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是用銅箔或鋁箔包繞在原邊繞組和副邊繞組之間，形成一個(gè)靜電屏蔽層隔離區(qū)，并接地，其中原邊繞組和副邊繞組如圖6所示交錯(cuò)繞制，以減小交叉耦合電容。

圖6中N1A、N1B是原邊繞組，分兩次繞；N2A、N2B是副邊繞組；N3、N4分別是輔助繞組；SCREEN為銅箔屏蔽。安規(guī)上一般要求散熱器接地，那么開(kāi)關(guān)管漏極與散熱器之間的寄生電容就為共模噪聲提供了通路，可以在漏極和散熱器之間加一銅箔或鋁箔并接地以減小此寄生電容。
 
d  接地技術(shù)
開(kāi)關(guān)電源同樣也需要重視地線的連接，地線承擔(dān)著參考電平的重任，特別是控制電路的參考地，如電流檢測(cè)電阻的地電平和無(wú)隔離輸出的分壓電阻的地電平?？刂菩盘?hào)的地電平誤差應(yīng)盡可能的小，因此，采用控制部分一點(diǎn)接地，然后將公共連接點(diǎn)再單點(diǎn)接至功率地。這種接地方式可以使噪聲源和敏感電路分離。另外，地線盡量鋪寬，對(duì)空白區(qū)域可敷銅填滿，力求盡量降低地電平誤差和EMI。

另外，在裝置中盡量采用表面貼裝元器件，使組裝密度更高，體積更小，重量更輕，可靠性更高，高頻特性好，減小電磁和射頻干擾。

e PCB元件布局及走線
[page] 開(kāi)關(guān)電源的印制電路板設(shè)計(jì)也是解決開(kāi)關(guān)電源電磁兼容性問(wèn)題的一個(gè)至關(guān)重要的方面。在設(shè)計(jì)中采用了以下措施保證電磁兼容性。

(1)把交流的輸入濾波部分，高壓整流和濾波部分，高頻逆變部分，低壓整流輸出部分從左到右依次排列布局，使信號(hào)方向保持一致，便于生產(chǎn)中檢修、調(diào)試，并且可以減少信號(hào)的環(huán)路，使印制電路板的平面與磁力線相平行，這樣交變磁場(chǎng)就不會(huì)切割印制電路板平面內(nèi)的導(dǎo)線，減少電磁干擾。并且把控制電路和功率電路分開(kāi)，中間采用鋁板隔離，防止干擾信號(hào)騷擾控制電路。
(2)盡可能地縮小高頻大電流電路所包圍的面積，縮短高電壓元器件的連線，設(shè)法減少它們的分布參數(shù)和相互間的電磁干擾，特別是易受干擾的元器件不能彼此靠得很近。
(3)縮小控制電路所包圍的面積。因?yàn)?，這部分電路是開(kāi)關(guān)電源中最敏感的部分?？s小其面積，實(shí)際上就是減小了干擾“接收天線”的尺寸，有利于降低對(duì)外部干擾的響應(yīng)能力，提高開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容性。
(4)有脈沖電路流過(guò)的區(qū)域遠(yuǎn)離輸出端子，使噪聲源于直流輸出部分分離；交流輸入部分盡量遠(yuǎn)離輸出部分，以避免由于相互間靠得太近，通過(guò)線路間的耦合，將原本“干凈”的輸出由于受到輸入部分的電磁騷擾發(fā)射而受“污染”。
(5)TOPSwitch GX246Y的漏極連接到變壓器和箝位二極管的連接線盡量簡(jiǎn)短，因?yàn)檫B接線上有很高的開(kāi)關(guān)電壓，會(huì)引起附加的共模電磁干擾的發(fā)射。

試驗(yàn)結(jié)果
經(jīng)過(guò)以上電磁兼容性設(shè)計(jì)，開(kāi)關(guān)電源的輸出電壓調(diào)整率△V0/V0=O.12/12=l％，達(dá)到了預(yù)期設(shè)計(jì)要求。圖7是紋波電壓輸出圖，圖8是其工作時(shí)的噪音分析圖。
 

結(jié)語(yǔ)
如今，開(kāi)關(guān)電源體積越來(lái)越小，功率密度越來(lái)越大，EMl/EMC問(wèn)題成為了開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)定性的一個(gè)關(guān)鍵因素，也是最容易忽視的一個(gè)方面。實(shí)踐證明，EMI問(wèn)題越早考慮，越早解決，費(fèi)用越小，效果越好。隨著各國(guó)電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)的加強(qiáng)，電磁兼容性設(shè)計(jì)在開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)過(guò)程中的位置也愈加重要，因此，必須充分重視電磁兼容性設(shè)計(jì)的作用和重要性。