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STD60N3LH5/STD85N3LH5:意法半導(dǎo)體新功率MOSFET系列

發(fā)布時間:2008-02-20

產(chǎn)品特性:

  • 低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗
  • 開關(guān)頻率高 意法半導(dǎo)體新STripFET技術(shù)的功率MOSFET  STD60N3LH5和STD85N3LH5
  • 30V(BVDSS)器件
  • 采用DPAK和IPAK封裝

應(yīng)用范圍:

  • 筆記本電腦
  • 服務(wù)器
  • 電信設(shè)備
  • 網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)

意法半導(dǎo)體推出兩款適用于直流—直流轉(zhuǎn)換器的全新功率MOSFET(金屬互補氧化物場效應(yīng)晶體管)產(chǎn)品。新產(chǎn)品采用ST最新版STripFET制造技術(shù),擁有極低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,在一個典型的穩(wěn)壓模塊內(nèi),兩種損耗的減少可達3瓦。新產(chǎn)品實現(xiàn)了低的品質(zhì)因數(shù):FOM = 導(dǎo)通電阻Rds(on) x柵電荷量(Qg)。

除高能效外,新款MOSFET準許實際電路的開關(guān)頻率高于正常開關(guān)頻率,這樣可以縮減電路無源器件的尺寸。例如,把電路的開關(guān)頻率提高10%,輸出濾波器需要的無源器件的尺寸就可以縮小10%。

STD60N3LH5和STD85N3LH5是ST新系列STripFET V的頭兩款產(chǎn)品,因為導(dǎo)通電阻小,柵電荷總量被大幅度降低,新系列產(chǎn)品性能優(yōu)異,能效明顯提高。兩款產(chǎn)品都是30V(BVDSS)器件。因為柵電荷量(Qg)僅為8.8nC(納庫化),在10V電壓時,導(dǎo)通電阻Rds(on)為7.2毫歐,所以STD60N3LH5是非隔離直流—直流降壓轉(zhuǎn)換器中的控制型場效應(yīng)晶體管的理想選擇。在10V電壓時,導(dǎo)通電阻Rds(on)為4.2毫歐,柵電荷量為14nC,因此STD85N3LH5是同步場效應(yīng)晶體管的最佳選擇。兩款新產(chǎn)品都采用DPAK和IPAK封裝,不久還將推出采用SO-8、PowerFLAT 3.3x3.3、PowerFLAT 6x5和PolarPAK®封裝的產(chǎn)品。新系列STripFET V產(chǎn)品最適合應(yīng)用于筆記本電腦、服務(wù)器、電信設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)。

ST的STripFET技術(shù)利用非常高的等效單元密度和更小的單元特征尺寸來實現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗,同時硅面積占用率較低。STripFET V是最新一代的STripFET技術(shù),與上一代技術(shù)相比,硅阻和活動區(qū)的關(guān)鍵指標改進大約35%,單位活動區(qū)內(nèi)的柵電荷總量降低25%。

 

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