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實(shí)現(xiàn)高降壓比的三種緊湊型解決方案
本文將闡述為何非隔離式DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器（在本文中簡(jiǎn)稱(chēng)為降壓轉(zhuǎn)換器）在高輸出電流下將高DC輸入電壓轉(zhuǎn)換為很低的輸出電壓時(shí)會(huì)面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，并介紹可以實(shí)現(xiàn)高降壓比，同時(shí)保持小尺寸的三種不同方法。
2024-04-03
DC-DC 降壓轉(zhuǎn)換器
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自適應(yīng)能量采集PMIC有助于構(gòu)建環(huán)保的自動(dòng)互聯(lián)設(shè)備
人們常提議利用環(huán)境能量采集技術(shù)為遠(yuǎn)程物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的電池充電，但這種技術(shù)尚未普及。本博客探討了導(dǎo)致這一情況的原因，并介紹了Nexperia（安世半導(dǎo)體）的創(chuàng)新型電源管理集成電路(PMIC)，該集成電路將從根本上提高能量采集的可行性，且環(huán)境效益顯著。
2024-04-03
能量 PMIC 環(huán)保 自動(dòng)互聯(lián)設(shè)備
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基于RTC的低功耗精準(zhǔn)時(shí)鐘同步
時(shí)鐘同步的應(yīng)用廣泛，但常規(guī)的時(shí)鐘同步方案或?qū)K端設(shè)備要求高，或原理相對(duì)復(fù)雜。對(duì)此，本文利用大普的RTC秒上升沿即時(shí)生效原理，設(shè)計(jì)一種低功耗、高精確時(shí)鐘同步方案。
2024-04-03
RTC 時(shí)鐘
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利用雙MOSFET最大限度地提高開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的功率密度和性能
工業(yè)和汽車(chē)開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器都需要體積小、效率高、電氣噪聲低的金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。雙 MOSFET 方法有助于滿(mǎn)足這些要求。
2024-03-29
雙MOSFET 開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器
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光的波長(zhǎng)對(duì)視覺(jué)成像性能的影響
當(dāng)光穿過(guò)介質(zhì)（玻璃、水、空氣等）時(shí)，不同的波長(zhǎng)會(huì)以不同的角度彎曲。這通常是在陽(yáng)光穿過(guò)棱鏡并產(chǎn)生彩虹效果時(shí)觀察到的；較短的波長(zhǎng)比較長(zhǎng)的波長(zhǎng)彎曲得更多。當(dāng)試圖在成像系統(tǒng)中解析細(xì)節(jié)和獲取信息時(shí)，同樣的情形會(huì)產(chǎn)生問(wèn)題。
2024-03-29
波長(zhǎng) 視覺(jué)成像
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如何為您的PCB選擇正確的阻焊層厚度和類(lèi)型
在研究電路板時(shí)，特別是作為電子行業(yè)的初學(xué)者，我總會(huì)好奇為什么 PCB 的頂層是綠色的。答案各有不同，但每個(gè)人都同意一件事：阻焊層有助于檢查，為導(dǎo)體提供保護(hù)，并防止手工裝配過(guò)程中的視覺(jué)疲勞。各種 PCB 阻焊層類(lèi)型在應(yīng)用方式、成分以及價(jià)格方面各不相同。
2024-03-28
PCB 阻焊層
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【測(cè)試解讀】ESD保護(hù)設(shè)計(jì)中的傳輸線(xiàn)脈沖TLP，怎么測(cè)？
隨著電子器件在汽車(chē)和其他產(chǎn)品上的應(yīng)用越來(lái)越廣泛（智能化），芯片的集成度也越來(lái)越高、體形也越來(lái)越小、研發(fā)的難度也越來(lái)越高，這些器件通常具有線(xiàn)間距短、線(xiàn)細(xì)、集成度高、運(yùn)算速度快、功耗低和高輸入阻抗的特點(diǎn)，這也導(dǎo)致了這類(lèi)器件對(duì)靜電的要求越來(lái)越高。
2024-03-27
測(cè)試 ESD保護(hù) 脈沖TLP
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數(shù)字示波器的DSO體系結(jié)構(gòu)及功能
數(shù)字存儲(chǔ)示波器（通常稱(chēng)為 DSO）是為了彌補(bǔ)模擬示波器的諸多不足而發(fā)明的。 DSO 輸入一個(gè)信號(hào)，并通過(guò)模數(shù)轉(zhuǎn)換器將其數(shù)字化。圖 顯示了是德科技數(shù)字示波器采用的一種 DSO 體系結(jié)構(gòu)。
2024-03-27
數(shù)字示波器的 DSO 體系結(jié)構(gòu)
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GaAs 二極管在高性能功率轉(zhuǎn)換中的作用
高壓硅二極管具有較低的正向傳導(dǎo)壓降，但由于其反向恢復(fù)行為，會(huì)在功率轉(zhuǎn)換器中產(chǎn)生顯著的動(dòng)態(tài)損耗。SiC 二極管表現(xiàn)出可忽略不計(jì)的反向恢復(fù)行為，但確實(shí)表現(xiàn)出比硅更高的體電容和更大的正向傳導(dǎo)壓降。由于 GaAs 技術(shù)能夠提供硅和 SiC 的有用特性，本文探討了一項(xiàng)比較 10kW、100kHz 相移全橋 (PSFB) ...
2024-03-26
GaAs 二極管 功率轉(zhuǎn)換
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