華盛頓大學(xué)研制出的LED 挑戰(zhàn)全球最薄
發(fā)布時(shí)間:2014-06-25 責(zé)任編輯:echotang
【導(dǎo)讀】LED行業(yè)發(fā)展至今,質(zhì)量不斷提升,價(jià)格不斷降低,現(xiàn)在工程師又將研發(fā)重心轉(zhuǎn)移到薄厚,今日華盛頓研發(fā)出超薄LED挑戰(zhàn)全球最薄。
雖然LED發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)變得非常薄,但研發(fā)人員對這個(gè)「薄」的追求似乎永無止盡。日前,華盛頓大學(xué)的研究人員宣布他們研制出全球最薄的LED,只有3顆原子的厚度,是目前現(xiàn)有的技 術(shù)所能做到最薄的LED,其運(yùn)用的重點(diǎn)成份為二硒化鎢(tungsten diselenide),是已知最薄的半導(dǎo)體。
該項(xiàng)研究報(bào)告聯(lián)合作者徐曉東(Xiaodong Xu音譯)稱:這種薄度加上可摺疊的LED,將對未來便攜式集合電子設(shè)備的研發(fā)有相當(dāng)重要的作用。
另外,由于這種LED極其薄,所以未來研究人員可在某些微型計(jì)算機(jī)芯片中用光學(xué)信號(hào)代替現(xiàn)在所使用的電子,進(jìn)而加大其運(yùn)行效率,并降低在這一過程中產(chǎn)生的熱量。
這種LED的厚度要比現(xiàn)在的LED薄上10到20倍,但依然可以發(fā)出可見的亮度。另外,這種薄型LED它既具有彈性也很堅(jiān)固,還可摺疊,這樣的特性將大大增加了其靈活度,同時(shí)對未來可穿戴設(shè)備發(fā)展也將起推進(jìn)作用。
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