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從基礎(chǔ)到應(yīng)用全面解析無(wú)鉛焊接工藝技術(shù)
在電子制作過(guò)程中,焊接工作是必不可少的。它不但要求將元件固定在電路板上,而且要求焊點(diǎn)必須牢固、圓滑,所以焊接技術(shù)的好壞直接影響到電子制作的成功與否。而鉛(Pb),是一種有毒的金屬,對(duì)人體有害。本次半月談我們將關(guān)注無(wú)鉛焊接工藝技術(shù)的行業(yè)現(xiàn)狀,無(wú)鉛焊接工具產(chǎn)品的創(chuàng)新,無(wú)鉛焊接工藝的...
2010-03-11
基礎(chǔ) 無(wú)鉛焊接 焊接工藝 技術(shù) 測(cè)試工作坊
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ARM Cortex-M3內(nèi)核MCU又添新兵,初創(chuàng)公司主打超低功耗應(yīng)用
采用Cortex-M3內(nèi)核的MCU廠商通常關(guān)注以下幾點(diǎn)特性:更低的功耗,更高的運(yùn)算能力,更低的價(jià)格,更多的外設(shè)。日前,一家來(lái)自挪威的初創(chuàng)公司Energy Micro就主打低功耗特性,發(fā)布了新的Cortex-M3內(nèi)核MCU產(chǎn)品系列。
2010-03-11
Cortex-M3 Energy Micro MCU
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中電器材LED照明解決方案研討會(huì)成功召開(kāi)
3月5日下午,中國(guó)電子器材深圳有限公司攜手美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司(NSC)與臺(tái)灣興華電子(CSC)在深圳市華強(qiáng)北電子科技大廈成功舉辦LED照明解決方案研討會(huì)
2010-03-11
中電器材 LED照明 LED路燈 研討會(huì)
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FSEZ1307/FSEZ1317/FAN103:飛兆半導(dǎo)體提供種類最豐富的初級(jí)端調(diào)節(jié)PWM控制器系列
飛兆半導(dǎo)體公司業(yè)界領(lǐng)先的初級(jí)端調(diào)節(jié)(PSR)脈寬調(diào)制(PWM)控制器系列為移動(dòng)充電器、適配器及LED照明應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供了多種解決方案,以滿足能源之星(ENERGY STAR?) Level V等標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)格的功率和穩(wěn)壓規(guī)范要求。
2010-03-11
FSEZ1307 FSEZ1317 FAN103 飛兆半導(dǎo)體 PWM控制器
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分析師紛紛提高2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)
Semiconductor International 全球1月半導(dǎo)體的銷售額數(shù)據(jù)出籠,讓分析師們的眼睛一亮,紛紛提高2010年的預(yù)測(cè)。為什么如此迫不及待,值得思考。
2010-03-10
半導(dǎo)體 iSuppli Gartner 電子產(chǎn)業(yè)
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恩智浦華麗轉(zhuǎn)型,搶占高性能混合信號(hào)芯片市場(chǎng)
隨著臺(tái)灣地區(qū)的半導(dǎo)體廠商在低成本手機(jī)、數(shù)字電視等領(lǐng)域的SoC方案不斷占領(lǐng)市場(chǎng)份額,SoC在這些領(lǐng)域的利潤(rùn)也在不斷被拉低,不少歐美大廠逐漸放棄了這些領(lǐng)域的數(shù)字芯片業(yè)務(wù),而轉(zhuǎn)而強(qiáng)調(diào)對(duì)設(shè)計(jì)和工藝要求更高、利潤(rùn)也更高的模擬和混合信號(hào)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。
2010-03-10
混合信號(hào) 恩智浦 模擬
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恩智浦半導(dǎo)體推出新一代高效率低VCEsat晶體管
這些晶體管稱為突破性小信號(hào)(BISS)晶體管,正如其名,它們?yōu)闇p少打開(kāi)導(dǎo)通電阻確立了新的基準(zhǔn),使開(kāi)關(guān)時(shí)間減到絕對(duì)最小值。超低VCEsat 分支的晶體管在1 A時(shí)實(shí)現(xiàn)了50 mV的超低飽和電壓。4種新的高速開(kāi)關(guān)晶體管使開(kāi)關(guān)和存儲(chǔ)時(shí)間降低到125 ns。新型BISS-4產(chǎn)品表明,雙極晶體管技術(shù)為要求更高性能和降低...
2010-03-10
恩智浦 新一代 高效率 低VCEsat 晶體管
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IR推出行業(yè)首批商用氮化鎵集成功率級(jí)器件
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出行業(yè)首個(gè)商用集成功率級(jí)產(chǎn)品系列,采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺(tái)。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負(fù)載點(diǎn) (POL) 應(yīng)用設(shè)計(jì)的,包括服務(wù)器、路由器、交換機(jī),以及通用POL DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2010-03-10
IR 商用 集成 氮化鎵 功率級(jí)器件
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136D:Vishay推出新款鉭外殼液鉭電容器
近日,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列鉭外殼液鉭電容器——136D。對(duì)于高可靠性應(yīng)用,136D器件可在-55℃~+85℃溫度范圍內(nèi)工作,在電壓降額的情況下可在+200℃下工作,在120Hz和+25℃條件下的ESR低至0.44Ω。
2010-03-09
136D Vishay 鉭 電容器
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