通過這協(xié)議產生的抗輻射加固設計(RHBD) ASIC將基于安森美半導體的ONC110 110納米(nm)工藝，用于ASIC設計及生產。引入RHBD ASIC擴展了公司包含遵從國際武器貿易規(guī)章認證(ITAR)、美國國防微電子業(yè)務處(DMEA)可信供應商認證及DO-254支援的軍事及航空產品陣容。

 

輻射測試已經顯示這些ASIC在遭受超過100 MeVcm2/mg的線性能量轉移(LETs)攻擊時具備強大的抗單粒子翻轉(SEU)及抗單粒子閉鎖(SEL)性能，而雙端口靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)提供40 MeVcm2/mg的抗雙位翻轉(DBU)性能。此外，還引入了新穎的RHBD觸發(fā)器(flip flop)架構，稱作自修復邏輯(SRL)。這SRL觸發(fā)器已經顯示出在高達700兆赫茲(MHz)頻率時抗單粒子效應的強固性。這些新RHBD IC的首要目標將是高可靠性應用，如太空探索、衛(wèi)星通信及監(jiān)控、航空、無人飛行器(UAV)、商用飛機、核能、粒子物理研究及軍事裝備。

 

ICs LLC首席執(zhí)行官(CEO) Joe Feeley博士說：“隨著業(yè)界邁向更小半導體工藝結構，減輕輻射效應正成為一個日益重要的問題。用于抗SEU的傳統(tǒng)RHBD方案并沒有為高速電路提供充足的保護，SRL方案則提供充足保護。安森美半導體是解決這重要問題的唯一方案供應商，使客戶能夠為重要的實時應用生產容錯型ASIC。”

 

安森美半導體軍事/航空、數(shù)字及定制代工副總裁Vince Hopkin說：“得益于與ICs LLC達成的這影響深遠的協(xié)議，安森美半導體能配合我們客戶的要求，提供擁有更大數(shù)量邏輯門及更小幾何尺寸工藝技術的ASIC，同時還針對因暴露在輻射環(huán)境下導致的故障提供充沛保護。結合我們的‘’’可信’供貨源身份及提供高度安全之開發(fā)流程能力，增添RHBD于產品陣容表示我們處在極有利的位置，能夠服務多種多樣的航空、軍事及太空項目，而這些項目中非常講究數(shù)據及知識產權(IP)的完整性。”

 

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