意法半導體(STMicroelectronics，ST)新組件包括首個可承受950V峰值電壓的超接面(super-junction)晶體管(MOSFET)、同類產(chǎn)品中能效最高的900V晶體管以及唯一采用省空間 PowerFLAT 8x8 HV 超薄封裝的850V組件。超接面技術可提高 MOSFET 的工作電壓，降低導通電阻-芯片尺寸比，使電源產(chǎn)品在縮減總體封裝尺寸的同時提高系統(tǒng)可靠性和能效。

在展示 SuperMESH 5 組件的高能效的同時，意法半導體還公布首個成功應用超高壓 MOSFET 的客戶設計。意大利固態(tài)照明創(chuàng)新企業(yè)TCI在其最新的 LED 驅動器設計中采用 LEDIPAK 封裝的950V STU6N95K5 做主電源開關，為設計先進且功能豐富的LED照明燈提供電源，使其成為高成本效益的小型 LED 照明市場的能效標竿。

 意法半導體新的超接面 MOSFET 的其它主要應用包括平面電視、PC電源、 LED 照明驅動器及氣體放電式燈(HID)的電子安定器(electronic ballast)。 MOSFET 將讓設計人員能夠達到能源之星和歐洲的能源相關產(chǎn)品法規(guī)(ErP) 等生態(tài)設計標準中日益嚴格的能效上限和下限要求。

例如，最新能源之星電視產(chǎn)品技術要求(5.3版)提出了更嚴格的生態(tài)設計規(guī)定，50吋以上的平面電視的最大絕對功率為108.0瓦。同時 ErP 的照明法規(guī)提高了2012-2017年間制造的各類 HID 燈的能效下限標準。

意法半導體新的超接面 MOSFET 耐高壓特性可提高系統(tǒng)安全性和可靠性。對于 HID 燈安定器和其它以電源線或更高電壓為電源的系統(tǒng)，例如太陽能微轉換器和電動汽車充電站，耐高壓是一個重要優(yōu)勢。為最大幅度減少電動汽車的充電時間和工作成本，充電站需要極高的功率轉換效率。在微型發(fā)電機轉換器內，高能效的 MOSFET 讓設計人員能夠使用更高的開關頻率，輸出高質量的 AC 電能，同時降低能耗和解決方案尺寸。

新的 MOSFET 晶體管是首批采用意法半導體的 SuperMESH 5 第五代超接面技術的產(chǎn)品。新產(chǎn)品包括采用不同封裝的900V STx21N90K5 、950V STx20N95K5 以及950V STx6N95K5 。 STL23N85K5 850V 采用 PowerFLAT 8x8 HV 高壓表面安裝封裝，占板面積為64mm2，較業(yè)界標準的 D2PAK 封裝小56%。此外，這款產(chǎn)品的高度為1mm，較標準 D2PAK 封裝低77%，適用于超薄型應用設計。

900V STP21N90K5 的靈敏值(FOM)反映了該產(chǎn)品開啟電源以及開啟和關閉時的總體能效，較市場上唯一可比產(chǎn)品低62.5%。如果不使用其它品牌而選用STP21N90K5，設計人員即可大幅提高能效。

新 SuperMESH 5 產(chǎn)品已開始提供樣品或接受訂單，該系列產(chǎn)品未來還將增加新款800V組件。