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節(jié)省66%線(xiàn)路板空間 飛兆推出業(yè)界最佳功率密度30V MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2012-04-27 來(lái)源:飛兆半導(dǎo)體

FDMC8010的產(chǎn)品特性:FDMC8010
  • 3.3mm x 3.3mm PQFN外形尺寸節(jié)省66%的線(xiàn)路板空間
  • 具有業(yè)界最佳RDS(ON),最大僅為1.3 m?
  • 減小了傳導(dǎo)損耗,從而提高散熱效率25%
FDMC8010的應(yīng)用范圍:
  • 要求在小空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)最低RDS(ON) 的電源應(yīng)用


在能源效率標(biāo)準(zhǔn)和最終系統(tǒng)要求的推動(dòng)之下,電源設(shè)計(jì)人員需要有助于縮減其應(yīng)用電源的外形尺寸且不影響功率密度的高能效解決方案。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.3mm x 3.3mm PQFN外形尺寸提供業(yè)界最佳功率密度和低傳導(dǎo)損耗,能夠滿(mǎn)足這些需求。

FDMC8010采用飛兆半導(dǎo)體的PowerTrench® 技術(shù),非常適合要求在小空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)最低RDS(ON) 的應(yīng)用,包括:高性能DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)(POL)、高效負(fù)載開(kāi)關(guān)和低端切換、穩(wěn)壓器模塊(VRM)以及ORing功能。設(shè)計(jì)人員使用FDMC8010器件,能夠?qū)⒎庋b尺寸從5mm x 6mm減小為3.3mm x 3.3mm,節(jié)省66%的MOSFET占位面積。

在隔離型1/16th brick DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中,Power 33 MOSFET的最大RDS(ON)僅為1.3m?,與具有同等占位面積的競(jìng)爭(zhēng)解決方案相比減小了25%。此外,該器件減小了傳導(dǎo)損耗,從而提高散熱效率多達(dá)25%。 

特性和優(yōu)勢(shì)
  • 高性能技術(shù),具有業(yè)界最佳RDS(ON),最大僅為1.3 m?
  • 3.3mm x 3.3mm行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸,PQFN,節(jié)省線(xiàn)路板空間
  • FDMC8010具有更低的傳導(dǎo)損耗,能夠?qū)崿F(xiàn)比競(jìng)爭(zhēng)解決方案更高的功率密度和更高的效率。
  • 無(wú)鉛RoHS封裝

新增PowerTrench®器件豐富了飛兆半導(dǎo)體中等電壓范圍MOSFET產(chǎn)品陣容,作為齊全的PowerTrench MOSFET產(chǎn)品系列的一部分,它能夠滿(mǎn)足現(xiàn)今電子產(chǎn)品的電氣和散熱性能要求,在實(shí)現(xiàn)更高能效水平方面發(fā)揮重要的作用。

價(jià)格:訂購(gòu)1,000個(gè)  FDMC8010     每個(gè)0.87美元

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產(chǎn)品的 PDF 格式數(shù)據(jù)表可從此網(wǎng)址獲取:http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMC8010.pdf

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