你的位置:首頁 > 測試測量 > 正文

LM5114:德州儀器新推用于配合電源轉(zhuǎn)換器的低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器

發(fā)布時(shí)間:2012-02-13

產(chǎn)品特性:

  • +4 V 至 +12.6 V 單電源支持各種應(yīng)用
  • 具有7.6 A 高峰值關(guān)斷電流功能
  • -40 攝氏度至 +125 攝氏度的寬泛工作溫度
  • 高靈活低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器帶來高效率與高電源密度

適用范圍:

  • 應(yīng)用于高性能電信、網(wǎng)絡(luò)以及數(shù)據(jù)中心

 

日前,德州儀器 (TI) 宣布推出用于配合高密度電源轉(zhuǎn)換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場效應(yīng)晶體管 (FET) 使用的低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。LM5114 可驅(qū)動(dòng)同步整流器與功率因數(shù)轉(zhuǎn)換器等低側(cè)應(yīng)用中的 GaN FET 與 MOSFET。該系列加上 2011 年推出的業(yè)界首款 100 V 半橋 GaN FET 驅(qū)動(dòng)器 LM5113,可為高性能電信、網(wǎng)絡(luò)以及數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中使用的大功率 GaN FET 與 MOSFET 提供完整的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換驅(qū)動(dòng)器解決方案。

LM5114 可通過 5 V 電源電壓的獨(dú)立源極與基極輸出(sink and source output)驅(qū)動(dòng)標(biāo)準(zhǔn) MOSFET 與 GaN FET。它具有使用較大或并行 FET 的大功率應(yīng)用中所需的 7.6 A 高峰值關(guān)斷電流功能。此外,提高的下拉強(qiáng)度還有助于該器件驅(qū)動(dòng) GaN FET。獨(dú)立源極與汲極輸出可取消驅(qū)動(dòng)器路徑中的二極管,準(zhǔn)確控制升降時(shí)間。

LM5114 低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的主要特性與優(yōu)勢:

• 可優(yōu)化升降時(shí)間的獨(dú)立源極與汲極輸出支持更高的效率;
• +4 V 至 +12.6 V 單電源支持各種應(yīng)用;
• 0.23 歐姆的開漏下拉汲極輸出可避免無意接通;
• 7.6 A/1.3 A 峰值汲極/源極驅(qū)動(dòng)器電流可最大限度減少電壓突變(DV/DT)的影響;
• 匹配反相及非反相輸入之間的延遲時(shí)間,可降低停滯時(shí)間損耗;
• 12 ns 典型傳播延遲可在提高效率的同時(shí),支持高開關(guān)頻率;
• 高達(dá) 14 V 的邏輯輸入(不受 VCC 影響);
• -40 攝氏度至 +125 攝氏度的寬泛工作溫度。

要采購柵極驅(qū)動(dòng)器么,點(diǎn)這里了解一下價(jià)格!
特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉