- 最大RDS(ON)值為25mΩ
- 柵極施加電壓是5V
- 高速DC/DC電源
- 負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器
- D類(lèi)音頻放大器
- 硬件開(kāi)關(guān)和高頻電路
宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出了第二代eGaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)系列產(chǎn)品中的最新成員EPC2010,具更卓越性能,不僅環(huán)保、不含鉛,而且符合RoHS(有害物質(zhì)限制)指令。
EPC2010 FET是一款200VDS器件,最大RDS(ON)值為25mΩ,柵極施加電壓是5V。這種eGaN FET與第一代EPC1010 eGaN器件相比具有明顯的性能優(yōu)勢(shì)。
EPC2010將脈沖電流額定值提高到60A(而EPC1010為40A),并且改進(jìn)了很低柵極電壓時(shí)的RDS(ON)值,電容值也更低。
與具有相同導(dǎo)通電阻值的先進(jìn)硅功率MOSFET相比,EPC2010體積更小,開(kāi)關(guān)性能更高出許多倍。受益于更高性能eGaN FET的應(yīng)用很多,其中包括高速DC/DC電源、負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器、D類(lèi)音頻放大器、硬件開(kāi)關(guān)和高頻電路。
“宜普是第一家實(shí)現(xiàn)氮化鎵功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管商用化的公司。隨著第二代產(chǎn)品的推出,宜普進(jìn)一步提升了氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能標(biāo)桿。另外,宜普的新一代eGaN產(chǎn)品也是首個(gè)無(wú)鉛化且符合RoHS的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管。” 宜普公司合夥創(chuàng)始人及首席執(zhí)行官Alex Lidow表示。