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CMF20120D:美國(guó)科銳投產(chǎn)采用SiC的+1200V耐壓功率MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2011-01-24 來(lái)源:電子元件技術(shù)網(wǎng)

產(chǎn)品特性:
  • 容易提高開(kāi)關(guān)頻率
  • 開(kāi)關(guān)損失最大可削減50%
  • 削減電源裝置整體體積和重量
應(yīng)用范圍:
  • 太陽(yáng)能發(fā)電用逆變器等

美國(guó)科銳(Cree)宣布,已經(jīng)投產(chǎn)了采用SiC(碳化硅)材料的+1200V耐壓功率MOSFET“CMF20120D”。科銳是繼2010年12月的羅姆之后第二家宣布投產(chǎn)SiC功率MOSFET的企業(yè)。不過(guò),科銳在發(fā)布資料中稱(chēng)自己“是業(yè)界第一個(gè)投產(chǎn)的”。目標(biāo)用途包括,太陽(yáng)能發(fā)電用逆變器裝置、高電壓輸出DC-DC轉(zhuǎn)換器裝置以及馬達(dá)驅(qū)動(dòng)用逆變器裝置等。

漏極電流方面,連續(xù)通電時(shí)最大為33A(25℃工作時(shí)),脈沖通電時(shí)最大為78A(25℃工作時(shí))。導(dǎo)通電阻在柵源間電壓為+20V、周?chē)鷾囟葹?5℃時(shí)只有80mΩ(標(biāo)準(zhǔn)值)。另外,即使周?chē)鷾囟壬仙?125℃,導(dǎo)通電阻也只有95mΩ(標(biāo)準(zhǔn)值),溫度上升對(duì)導(dǎo)通電阻增加的影響非常小??倴艠O電荷僅90.8nC(標(biāo)準(zhǔn)值)。因此,容易提高開(kāi)關(guān)頻率。封裝采用TO-247-3。

科銳表示,如果使用SiC功率MOSFET,與使用Si功率MOSFET的電源裝置相比,開(kāi)關(guān)損失最大可削減50%。另外,與采用Si材料IGBT的電源裝置相比,可將裝置整體的轉(zhuǎn)換效率最大改善2%,而且能將開(kāi)關(guān)頻率提高至2~3。如果提高開(kāi)關(guān)頻率,能夠縮小外置部件,因此可削減電源裝置整體的體積和重量。

德國(guó)研究機(jī)構(gòu)弗勞恩霍夫太陽(yáng)能系統(tǒng)研究所(Fraunhofer ISE)在試制采用投產(chǎn)的SiC功率MOSFET的7kW輸出太陽(yáng)能發(fā)電用逆變器裝置時(shí),獲得了最高97.81%的轉(zhuǎn)換效率。采用+1200V耐壓IGBT構(gòu)成相同輸出的逆變器裝置時(shí),最大轉(zhuǎn)換效率為95.89%。通過(guò)采用SiC功率MOSFET,將轉(zhuǎn)換效率提高了1.92個(gè)百分點(diǎn)。
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