產品特性：

• 耐壓為600V
• 導通電阻為0.4Ω
• 解決可靠性、高溫工藝引起的特性不均等問題

應用范圍：

• 變頻器和轉換器

羅姆宣布已開發(fā)完成使用SiC的DMOSFET（double-diffusion metal-oxide-semiconductor FET），并已開始量產。計劃從2010年12月開始量產供貨定制產品，2011年夏季供貨通用產品。計劃此后花1年左右的時間在耐壓為600V～1200V、電流為5A～20A的范圍內充實產品。

羅姆過去一直積極致力于SiC的元件開發(fā)。2010年4月已開始量產SiC制肖特基勢壘二極管（SBD）。羅姆表示，此次通過開發(fā)自主的工藝技術和篩選法，解決了由SiC結晶缺陷帶來的可靠性課題和由高溫工藝引起的特性不均等量產SiC制晶體管所面臨的所有問題，成功實現(xiàn)了量產。

目標是以在空調、太陽能電池及產業(yè)設備等產品中進行電力轉換的變頻器和轉換器用途為首，實現(xiàn)廣泛的應用。另外，生產基地方面，晶圓制造在德國SiCrystal AG進行，前工序在ROHM APOLLO DEVICE（福岡縣）進行，后工序在泰國ROHM Integrated Systems (Thailand)進行。

此次已開始量產的產品，耐壓為600V，導通電阻為0.4Ω，導通電阻降至相同耐壓、相同芯片尺寸的Si制DMOSFET的1/10以下。另外，開關時間縮短到了低導通電阻的Si制IGBT的約1/5以下。羅姆指出，這樣同時實現(xiàn)了Si制元件無法實現(xiàn)的高速度和低導通電阻。

將具有上述特性的SiC制功率晶體管應用于變頻器和轉換器等，除可以大幅減少損失外，由于隨著高頻化、周邊部件能夠實現(xiàn)小型化，因此還能減小封裝面積和降低周邊部件的成本。另外，羅姆指出與Si制晶體管相比，高溫時電阻升高得非常少，因此還具有輸出功率高時導通損失小的優(yōu)點。與現(xiàn)在正銷售的SiC-SBD組合構成電源回路，能夠以更低的耗電量，為開發(fā)小型系統(tǒng)做出貢獻。

在此次的量產中，羅姆通過開發(fā)自主的電場緩和構造和開發(fā)自主的篩選法確保了可靠性，并通過開發(fā)在SiC特有的高達1700℃的高溫工藝下抑制特性劣化的技術等，得以“全球首次”（羅姆）確立SiC晶體管（DMOSFET）的量產體制。

羅姆將SiC元件業(yè)務定位于新一代半導體業(yè)務的核心技術之一，以強化DMOSFET和SBD的更高耐壓、更大電流產品的產品陣容。另外，羅姆表示，將進一步擴充配備溝道構造MOSFET和SiC元件的IPM（intelligent power module）等SiC關聯(lián)產品的產品陣容，并推進產品的量產。