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PSMN1R0-30YLC:恩智浦推出業(yè)界最低RDSon的MOSFET用于電子產(chǎn)品

發(fā)布時間:2010-12-08 來源:ednchina

PSMN1R0-30YLC的產(chǎn)品特性:恩智浦MOSFET PSMN1R0-30YLC

  • Power-SO8封裝
  • 擁有業(yè)界最低RDSon,4.5V時僅為1.4mΩ
  • 超低QG、QGD和QOSS確保了高系統(tǒng)效率

PSMN1R0-30YLC的應用范圍:

  • 電子產(chǎn)品
  • 隔離電源和電源OR-ing中的同步降壓調(diào)節(jié)器、同步整流器

恩智浦半導體NXP SemicONductors N.V.日前發(fā)布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET,擁有業(yè)界最低RDSon,4.5V時僅為1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC,專門針對4.5V開關應用優(yōu)化,采用LFPAK封裝技術,是目前業(yè)界最牢固的Power-SO8封裝。NextPower技術已專門針對高性能DC-DC轉換應用進行了優(yōu)化,例如隔離電源和電源OR-ing中的同步降壓調(diào)節(jié)器、同步整流器。

特性和優(yōu)勢:

針對4.5V柵極驅(qū)動的低RDSon而專門優(yōu)化的先進NextPower技術

Power-SO8封裝確保高可靠性,溫度最高可達175℃

超低QG、QGD和QOSS確保了高系統(tǒng)效率

PSMN1R0-30YLC現(xiàn)已開始供貨。

PSMN1R0-30YLC是25V和30V NextPower LFPAK系列MOSFET的首款產(chǎn)品,全系列產(chǎn)品將在未來幾個月中陸續(xù)推出。

積極評論:

恩智浦半導體Power MOSFET營銷經(jīng)理Charles Limonard表示:“恩智浦NextPower系列MOSFET將幫助設計者實現(xiàn)高性能(高效率)、小尺寸和低成本。恩智浦致力于開發(fā)和創(chuàng)新,并不斷改善導通電阻RDSon、開關速度和熱效率等關鍵參數(shù),從而推出具有業(yè)界領先水平的MOSFET器件。”

Limonard還表示,“PSMN1R0-30YLC具有領先于同類器件的超低RDSon,可顯著降低功耗;這反過來能提高新一代電子產(chǎn)品的能效,使能效等級更高,尺寸更小”。

鏈接

采用LFPAK封裝的N溝道30 V 1.15 mΩ 邏輯電平MOSFET-PSMN1R0-30YLC數(shù)據(jù)手冊和產(chǎn)品信息:http://www.nxp.com/pip/PSMN1R0-30YLC.html

 

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