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SiZ710DT:Vishay Siliconix推出低導通電阻MOSFET器件用于筆記本電腦

發(fā)布時間:2010-11-19 來源:電子元件技術網(wǎng)

產(chǎn)品特性:
  • 采用PowerPAIR® 6mmx3.7 mm封裝
  • TrenchFET Gen III技術
  • 10V下3.3m?低導通電阻
  • +70℃下的最大電流為24A
應用范圍:
  • 筆記本電腦等

日前,Vishay Intertechnology, Inc宣布,推出首款采用PowerPAIR® 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術的非對稱雙通道TrenchFET®功率MOSFET --- SiZ710DT,新器件比前一代器件的導通電阻減小43%,同時具有更高的最大電流并提高效率。SiZ710DT在一個小尺寸封裝中整合了低邊和高邊MOSFET,具有業(yè)界同類器件中最低的導通電阻,比DC-DC轉換器中使用兩個分立器件的方案能節(jié)省很多空間。

Vishay將在Electronica 2010的A5-143展位進行產(chǎn)品演示,向來賓展示在同步降壓電路中該產(chǎn)品的優(yōu)異性能和PowerPAIR封裝節(jié)省空間的功效。

在PowerPAIR封裝出現(xiàn)之前,設計者只能使用兩個單獨的器件來達到系統(tǒng)電源、POL、低電流DC/DC,以及筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務器和游戲機所需的低導通電阻和更高的最大電流。SiZ710DT的性能規(guī)格使設計者能用SiZ710DT比兩個分立 PowerPAK 1212-8 器件小1/3,或是比兩個分立SO-8 器件小2/3的一個器件完成設計,節(jié)省方案成本和空間,包括兩個分立MOSFET之間的PCB間隙和標注面積。此外,在更低電流和更低電壓應用中替換SO-8器件還可以提高效率。

一片PowerPAK 1212-8或SO-8的導通電阻可以分別低至5m?或4m?。然而,SiZ710DT的低邊Channel 2 MOSFET利用了非對稱結構在優(yōu)化空間上的效果,在10V和4.5V下的導通電阻低至3.3m?和4.3m?,在+25℃和+70℃下的最大電流為30A和24A。另外,高邊Channel 1 MOSFET的導通電阻也有改善,在10V和4.5V下分別為6.8m?和9.0m?。

由于兩個MOSFET已經(jīng)在PowerPAIR封裝內(nèi)部連接,布線變得更加簡單,同時也減小了PCB印制的寄生電感,提高了效率。此外,SiZ710DT的引腳進行了精心布置,輸入引腳排在一側,輸出引腳排在另一側。

器件通過Rg和UIS的所有測試,符合RoHS指令2002/95/EC,并滿足IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定。


 
新款SiZ710DT TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,并已實現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。
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