CMOS晶體管的新聞事件：

• 2013年將由平面晶體管向三維溝道的晶體管過渡

CMOS晶體管的事件影響：

• 對各公司的微細化競爭帶來影響
• 元件材料及曝光技術(shù)出現(xiàn)轉(zhuǎn)折

邏輯LSI的基本元件——CMOS晶體管的發(fā)展估計將在2013年前后15nm工藝達到量產(chǎn)水平時迎來重大轉(zhuǎn)折點。將由現(xiàn)行的平面型晶體管向具備三維溝道的立體型晶體管過渡。美國英特爾及臺灣臺積電（TSMC）等知名半導體廠商均已開始表現(xiàn)出這種技術(shù)意向。LSI的制造技術(shù)發(fā)生巨變之后，估計也會對各公司的微細化競爭帶來影響。

元件材料及曝光技術(shù)也會出現(xiàn)轉(zhuǎn)折

“估計一多半的半導體廠商都會在15nm工藝時向FinFET過渡”（英特爾）。“在20nm以后的工藝中，立體晶體管不可或缺”（臺積電）。各公司此前從未對現(xiàn)行晶體管技術(shù)的界限作出過這樣的斷言。這是因為各企業(yè)認識到現(xiàn)行技術(shù)無法解決漏電流増大等問題。另外，各公司目前瞄準11nm以后的工藝，正在開發(fā)使用Ge及Ⅲ-V族半導體的高遷移率溝道技術(shù)。估計此前主要以硅為對象的材料技術(shù)早晚也會迎來重大轉(zhuǎn)變。

關(guān)于對微細化起到關(guān)鍵作用的光刻技術(shù)，EUV曝光及EB曝光等新技術(shù)正不斷走向?qū)嵱没?。目前已相繼出現(xiàn)為生產(chǎn)線引進曝光裝置并形成15nm以后微細圖案的事例。