機遇與挑戰(zhàn)：

• 中國半導體業(yè)又重新開始沖剌
• 半導體業(yè)是電子工業(yè)基礎

市場數據：

• 上海華力12英寸項目啟動及中芯國際擴充北京12英寸生產線產能至4.5萬片
• 可能在北京再建一條12英寸生產線

沉寂了一段時間后，中國半導體業(yè)又重新開始沖剌，表現為上海華力12英寸項目啟動及中芯國際擴充北京12英寸生產線產能至4.5萬片，包括可能在北京再建一條12英寸生產線等。

然而，從國外媒體來的訊息表示的觀點有些不同。如美國InformaTIon Network認為中國半導體業(yè)在政府資金支持下，在未來的5年內將投資250億美元，可能再次掀起高潮。但也不排除，有的市場分析公司對于投資的回報率存有質疑，其實這一切才是正常的。因為中國半導體業(yè)是屬于戰(zhàn)略產業(yè)，不是完全可用市場機制，單一的經濟規(guī)律來解釋得通。

中國半導體業(yè)的重要地位

站在國家利益角度，進行半導體業(yè)突破是必須的，因為半導體業(yè)是電子工業(yè)基礎，它的成功能反映中國電子工業(yè)的基礎水平。

從全球范圍看半導體業(yè)是壟斷性產業(yè)，除美，日本之外，主要集中在韓國及臺灣地區(qū)。而那些第一世界中的發(fā)達國家如英、法、意大利等并沒都有自已的半導體業(yè)。那就要問中國為什么一定要搞半導體業(yè)，能否也是“拿來主義”?答案是肯定的，由于國情不同，中國一定要有自已的半導體業(yè)。

而且，還有一個非常特殊的問題，即在發(fā)展高科技，包括半導體業(yè)中，西方有一個瓦圣納條約，專門用來對付中國等國家，所謂出口高技術有限制，通常是N-2，即要落后于西方兩代以上的技術才能出口到中國。千萬不要忽視，這是阻礙中國半導體業(yè)進步的重要因素之一，所以中央領導每次與美國對陣，總是提出希望放寬高技術出口限制，然而美國等總是拿這張牌來要挾我們。

另外，為什么說發(fā)展半導體業(yè)是電子工業(yè)的基礎。因為傳統工業(yè)中使用材料的純度通常是99%-99.99%，而在半導體業(yè)中如今使用的硅材料達 99.9999999%，即9個“9”，所以為了減少污染，半導體制造工藝中所使用各種氣體，水，試劑，包括金屬材料等，也必須達到9個“9”的純度要求，相當于把整個工業(yè)基礎水平由“工業(yè)級”提高到“電子級”。所以發(fā)展半導體業(yè)能帶動整個電子工業(yè)的基礎水平提升。

正如大連市長戴玉林的切身體會，越來越覺得英特爾帶給大連的，絕不止于即將產生的巨大產值、稅收和各種經濟效益。比如他認為，英特爾來后大連市發(fā)生的一個重要變化，是將基礎設施的規(guī)劃設計水準提高到了國際一流?，F在到大連開發(fā)區(qū)考察的企業(yè)對水、電、氣等基礎設施基本不怎么過問，“因為他們知道英特爾在這里，基礎設施方面就不會有任何問題”。當初對于工廠的供電，英特爾提的要求是“采用雙回路”、“供電連續(xù)性要達到99.9999%”，后者的意思是一年365天中停電時間不能超過15分鐘。

由此，發(fā)展中國半導體業(yè)的重要地位已十分清晰，目前引進技術十分必要，可以節(jié)省時間，但是不可能依賴它，因為也不可能，它不是一個用錢就能解決一切的產業(yè)，必須通過自已的努力，逐步地縮小與世界先進水平之間的差距，最終實現自主的發(fā)展。[page]

有可能突破嗎?

這個問題從上到下，包括業(yè)界都在思考，因為根據歷史的經驗，中國有一定的可能性，但也面臨諸多困難。例如，在2004年時，以中芯國際為代表的半導體業(yè)曾取得全球代工位居第三以及與臺積電之間的工藝技術差距僅1年左右的水平。然而，如今差距可能擴大到2-3年。仔細分析原因是復雜的，尤其可能涉及到國家的工業(yè)基礎水平。

如果客觀地分析目前中國半導體業(yè)發(fā)動再次沖擊的有利方面包括1)能從過去發(fā)展的經驗中，如IP的缺失等，一定會有所改進 2)近期又引進一批優(yōu)秀人材 3)國家表示愿意重新加大投入4)全球半導體形勢轉好，給中國的發(fā)展騰出空間。

因此，此次中國半導體業(yè)發(fā)動再次沖擊有成功的可能性，但也不能輕視放在中國面前的許多障礙。從目前的競爭態(tài)勢中，如高端技術的自主突破是首位。

差距有多大

目前中芯國際自David Wang上臺后，又喜賀特許的楊士寧加盟，隨之引進一批骨干人材。目前己經開始65nm產品的量產，月產為4000片左右，并正努力沖擊45nm技術及準備32nm的研發(fā)，應該說已取得了長足的進步。另外上海華立正緊鑼密鼓的進行設備訂貨及技術前期準備工作，如與IMEC簽訂65nm技術合作協議與培訓人材。

但是臺積電在Q12010年時65nm占營收27%及40-45nm占營收為14%。并正在擴充其12英寸生產線Fab 12與Fab14的產能。到2010年第四季度時兩個工廠合計40nm產能將達到16萬片，比去年同期翻一番。該公司40nm工藝的銷售額比例在2009 年第四季度為9%，預計2010年底將提高到20%。

聯電目標在今年下半年實現65nm占營收的30-40%，即2010年銷售額有近10億美元，及45-40nm占3%。

另外，IBM、GlobalFoundries、三星電子、意法半導體四家行業(yè)巨頭聯合宣布，他們將合作實現半導體制造工廠的同步，共同使用IBM 技術聯盟開發(fā)的28nm低功耗工藝生產相關芯片。

IBM技術聯盟的28nm低功耗工藝使用Bulk CMOS、HKMG(高K金屬柵極)技術，特別是有意通過獨特的Gate First(前柵極)技術推動HKMG的標準化，號稱在靈活性和制造性方面都優(yōu)于其他類型的HKMG技術(主要是Intel)，芯片核心尺寸更小，設計和生產兼容性更好。預計今年底就會有工廠率先完成同步過程，隨后不久便可以開始投產。

由此，全球代工的第一陣營中，包括臺積電，聯電，GlobalFoundries及三星基本上已進入45-40nm量產，而跨入28nm的試生產中。其中臺積電聲言將跳過28nm，而直接進入20nm，采用領先半代的工藝技術策略。

所以中芯國際及華立不但要加緊尋找技術合作伙伴，進行自主的突破技術，而且一定要快，否則想從“虎口奪牙”，要爭取更大的市場份額會有一定難度。然而，從長遠看中國發(fā)展半導體業(yè)不必太在乎是全球第幾名，而是在于從整體上提高中國半導體業(yè)的基礎水平，使產業(yè)鏈更加完善，能讓大部分企業(yè)能實現盈利而生存下來及芯片的自給率真正提高到一定水平。