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Si8499DB:Vishay推出P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

發(fā)布時間:2010-04-29 來源:電子元件技術(shù)網(wǎng)

Si8499DB產(chǎn)品特性:
  • 采用芯片級MICRO FOOT®封裝
  • 采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)
  • 將業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET所能實現(xiàn)的最低導(dǎo)通電阻減小了一半
  • 符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)范
  • 符合RoHS指令2002/95/EC
應(yīng)用范圍:
  • 智能手機、PDA和MP3播放器等個人手持設(shè)備

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面積內(nèi),這款20V器件提供業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET最低的導(dǎo)通電阻。

新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的首款芯片級產(chǎn)品。這種最先進的技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)超精細、亞微米的節(jié)距工藝,將業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET所能實現(xiàn)的最低導(dǎo)通電阻減小了一半:在4.5V、2.5V、2V和1.8V電壓下的導(dǎo)通電阻分別為32 m?、46m?、65m?和120m?。

Si8499DB采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù),器件的芯片級封裝具有最大的裸片與占位比,在非常緊湊的器件內(nèi)提供了超低導(dǎo)通電阻。MICRO FOOT封裝所需的PCB面積只有TSOP-6的1/6,而導(dǎo)通電阻則很相近,從而為其他產(chǎn)品功能騰出空間,或是使終端產(chǎn)品變得更小。

MOSFE的低導(dǎo)通電阻意味著負載、充電器和電池開關(guān)中更低的壓降,使智能手機、PDA和MP3播放器等個人手持設(shè)備能夠更快地充電,在兩次充電之間的電池壽命更長。

MOSFET符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)范,符合RoHS指令2002/95/EC。

Si8499DB TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,并已實現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十六周。
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