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IR上市導(dǎo)通電阻僅0.95mΩ的25V耐壓功率MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2010-04-19 來源:技術(shù)在線

產(chǎn)品特性:
  • 導(dǎo)通電阻為標(biāo)準(zhǔn)0.95mΩ
  • “業(yè)界最高”FOM
  • 柵極電荷量為標(biāo)準(zhǔn)50nC
  • 最大漏電流為37A
應(yīng)用范圍:
  • 采用同步整流方式的降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器電路的同步整流端開關(guān)

美國國際整流器公司(International Rectifier,IR)上市了導(dǎo)通電阻僅為標(biāo)準(zhǔn)0.95mΩ(柵源間電壓為+10V時(shí))的25V耐壓n通道功率MOSFET“IRF6798MPBF”。這是一款采用該公司自主開發(fā)的封裝技術(shù)“Direct FET”的功率MOSFET。外形尺寸為6.35mm×5.05mm×0.676mm。適用于采用同步整流方式的降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器電路的同步整流端開關(guān)。

據(jù)稱,該功率MOSFET的導(dǎo)通電阻與全部柵極電荷量的乘積FOM(figure of merit,優(yōu)值)為“業(yè)界最高”。全部柵極電荷量為標(biāo)準(zhǔn)50nC。最大柵源間電壓為±20V,最大漏電流為37A。批量購買1萬個(gè)時(shí)的單價(jià)為1.50美元。

此外,該公司還同時(shí)上市了導(dǎo)通電阻為標(biāo)準(zhǔn)3.0mΩ(柵源間電壓為10V時(shí))、全部柵極電荷量為標(biāo)準(zhǔn)13nC的n通道功率MOSFET “IRF6706S2PBF”。適用于采用同步整流方式的降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器電路的控制端開關(guān)。最大柵源間電壓為±20V,最大漏電流為17A。外形尺寸為4.85mm×3.95mm×0.74mm。批量購買1萬個(gè)時(shí)的單價(jià)為0.60美元。
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