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AUIRF7739L2/7665S2: IR 推出適用于汽車的DirectFET 2功率MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2010-01-29 來(lái)源:電子元件技術(shù)網(wǎng)

產(chǎn)品特性:
  • 堅(jiān)固可靠
  • 符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的封裝
  • 完全不含鉛
  • 可降低整體系統(tǒng)級(jí)尺寸和成本
應(yīng)用范圍:
  • 汽車應(yīng)用

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 今天推出適用于汽車的AUIRF7739L2 和AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。這兩款產(chǎn)品以堅(jiān)固可靠、符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的封裝為汽車應(yīng)用實(shí)現(xiàn)了卓越的功率密度、雙面冷卻和極小的寄生電感和電阻。

IR 的這些首款汽車用 DirecFET2 件完全不含鉛,與傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝元件相比,可降低整體系統(tǒng)級(jí)尺寸和成本,實(shí)現(xiàn)更優(yōu)異的性能和效率。

IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 結(jié)合了經(jīng)過(guò)實(shí)踐驗(yàn)證的 DirectFET 封裝技術(shù)帶來(lái)的卓越可靠性和性能,以及 IR 的最新溝道硅工藝。新款 DirectFET2 器件在應(yīng)用于下一代車輛平臺(tái)時(shí)可以達(dá)到最佳表現(xiàn),實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 、柵極電荷 (Qg) 或邏輯電平操作,從而極大提升性能和效率,并縮減了系統(tǒng)尺寸和元件數(shù)量。”

采用新款大罐式封裝的 AUIRF7739L2 具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻,在給定 PCB 區(qū)域 40V 電壓時(shí)的導(dǎo)通電阻典型值僅為 0.7mΩ 。此外,與 D2PAK 相比,大罐式封裝的占位面積可以減少60%,厚度可以降低85%。這款器件可提供卓越的功率密度和效率,非常適合高負(fù)載電機(jī)控制應(yīng)用,包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 和微型混合動(dòng)力車的電池開(kāi)關(guān)和集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī) (ISA) ,以及底盤、傳動(dòng)系統(tǒng)和動(dòng)力系統(tǒng)等。

AUIRF7665S2 小罐器件可提供極低的柵極電荷,表現(xiàn)出非常小的寄生效應(yīng),以及快速、高效的開(kāi)關(guān)性能。DirectFET2 MOSFET 是汽車開(kāi)關(guān)應(yīng)用的理想選擇,包括D類音頻放大器的輸出級(jí)電路,以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和燃油噴射系統(tǒng)。

AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 均符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn),是在 IR 要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念下研制而成的,所采用的環(huán)保材料既不含鉛,也符合有害物質(zhì)管制指令 (RoHS)。

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