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半導體清洗技術(shù)

發(fā)布時間:2010-01-29

中心議題:
  • 半導體清洗技術(shù)的進展
  • 當前與未來的挑戰(zhàn)
解決方案:
  • 濕法清洗
  • 廣泛使用臭氧水
晶圓清洗是半導體制造典型工序中最常應用的加工步驟。就硅來說,清洗操作的化學制品和工具已非常成熟,有多年廣泛深入的研究以及重要的工業(yè)設(shè)備的支持。所以,硅清洗技術(shù)在所有具實際重要性的半導體技術(shù)中是最為成熟的。第一個完整的、基于科學意義上的清洗程序在1970年就提出了,這是專門設(shè)計用于清除Si表面的微粒、金屬和有機污染物。

此后,硅清洗技術(shù)經(jīng)歷了持續(xù)的發(fā)展改進,包括早期用氣相等效物替代在濕化學品中進行的部分清洗操作。難以置信的是,現(xiàn)代先進的Si清洗仍然依賴于大體上同一組化學溶液,不過它們的制備和送至晶圓的方法與最初提出的已大不相同。此外,傳統(tǒng)上用濕清洗化學品做的表面選擇清洗/修整功能現(xiàn)在是在氣相中做的。

引入半導體器件技術(shù)的一系列新材料以及各種非平面新器件結(jié)構(gòu)對清洗技術(shù)提出了重大挑戰(zhàn)。各種硅清洗方法雖然已較為成熟,但它們不能滿足正在出現(xiàn)的新興需求。本文簡要綜述了半導體晶圓清洗技術(shù)的過去發(fā)展情況、當前趨勢和未來需求。

半導體清洗技術(shù)的進展

第一個完整的、基于科學意義上的Si表面清洗方法幾乎在40年前就已提出。此后,半導體清洗方法就從實驗技術(shù)積累進展到對制造良率和半導體產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展有極端重要意義的科學技術(shù)領(lǐng)域。

半導體清洗技術(shù)的關(guān)注點隨時間而改變。早年關(guān)注的是大微粒和金屬污染物,實際上,當時半導體器件故障常常是由于襯底晶圓中的高缺陷密度引起,而不是表面污染引起的。隨著微粒和金屬污染的數(shù)量級逐漸減小,以及對這方面的污染控制非常有效,現(xiàn)在更多注意的是有機污染和表面狀態(tài)相關(guān)問題。如圖1指出的,用簡單的燈清洗法可以把有機污染從Si表面除去。此外,應特別注意溶解在水內(nèi)和氣相的臭氧在控制有機污染中的作用。另一問題是對清洗方法目標監(jiān)察的多樣性,因為FEOL和BEOL清洗要求不同,后者關(guān)注的是CMP后清洗。


就清洗媒介來說,濕法清洗仍然是現(xiàn)代先進晶圓清洗工藝的主力。雖然Si技術(shù)中的清洗化學材料與最初RCA的配方相差不大,但整體工藝最明顯的改變包括:采用了非常稀釋的溶液;簡化工藝;廣泛使用臭氧水。

基于APM(NH4OH:H2O2:H2O)的化學材料在微粒去除方面仍占主宰地位,但如果沒有兆頻超聲波強化,其作用就不是很有效?;谧畛鮎CA(HPM:HCl:H2O2:H2O)配方的去除金屬的化學材料差不多都放棄了。與潔凈得多的抗蝕劑和化學材料結(jié)合在一起的創(chuàng)新化學是在這一領(lǐng)域成功的關(guān)鍵。此外,幾何圖形非常密集的器件制造的污染控制也推動了各種創(chuàng)新技術(shù)的研發(fā),例如包括超臨界CO2(SCCO2)清洗。

就干法清洗來說,它正用于有選擇的、大多是表面清理的步驟。例子之一是無水HF(AHF)/乙醇溶解工藝,它在多種應用中能有效地從Si表面除去本來有的或化學生成的氧化物。圖2是各種表面加工運作中執(zhí)行AHF/乙醇溶解工藝的25片晶圓和3片晶圓商品反應器的示意圖。圖3中的AFM結(jié)果說明,執(zhí)行工藝沒有損傷Si表面。


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干燥晶圓是任何濕法清洗程序的組成部分。廣泛認可的基于IPA的晶圓干燥方法使清洗工藝的這一關(guān)鍵部分有了很大的進步,這些方法采用Marangoni干燥及其衍生方法。

無論在批次清洗工藝還是在單晶圓清洗工藝中,傳統(tǒng)的浸沒清洗仍起主導作用。在單晶圓清洗工藝時,這一趨勢由于太陽電池清洗技術(shù)的需求而強化。該技術(shù)中,由于被加工襯底的剪切數(shù)目(shearnumber),可選用批次加工方法。圖2所示反應器說明,可以使選擇氣相清洗化學過程與批次加工兼容。但同時,單晶圓清洗方法(如旋轉(zhuǎn)清洗)正推進到高端應用領(lǐng)域。

當前與未來的挑戰(zhàn)

為了半導體清洗技術(shù)能滿足不斷出現(xiàn)的新需求,必須對現(xiàn)有工藝進行調(diào)整和修改。隨著縱向尺寸持續(xù)縮小,清洗操作過程中的材料損失和表面粗糙就會成為必須關(guān)注的領(lǐng)域。將微粒去除而又沒有材料損失和圖形損傷是最基本的要求,因此必須考慮周全并有所折衷。像兆頻超聲攪動這樣的物理輔助手段對結(jié)構(gòu)損傷和圖形坍塌等有潛在影響,正在對其改進,以便在保持微粒去除工藝效率的同時不對圖形完整性產(chǎn)生有害影響。考慮到表面形態(tài)的原子級惡化都可能對器件性能會有致命影響,即使像DI水清洗等這些看起來最良性的清洗程序元素也必須重新評估。

為了減少某些器件機構(gòu)中的圖形坍塌及相關(guān)損傷,氣相化學作用(例如前面談到的與有機溶劑蒸汽混合的無水HF(AHF))可望越來越有用。

為了應對硅表面的非平面性問題,晶圓清洗技術(shù)至少受到三個不同前沿加工技術(shù)的挑戰(zhàn)。首先涉及的是CMOS加工。在器件幾何形狀不斷減小時,尖端數(shù)字CMOS技術(shù)方面的挑戰(zhàn)是保持柵結(jié)構(gòu)有足夠的電容密度,這是在柵長度減小時維持足夠高驅(qū)動電流所需要的。一個途徑是采用比SiO2介電常數(shù)高的柵電介質(zhì),另一途徑是通過三維結(jié)構(gòu)MOS柵極以增加柵面積又不增加單元電路面積,再一個途徑就是二者的結(jié)合。

不管哪一種解決方案成為標準,柵氧化前清洗和RIE后密集分布刻蝕在SOI硅中的垂直“鰭”(圖4a)的清理都將成為重要的工藝元素。圖4b顯示了圍繞“鰭”制作的MOSFET例子。



MEMS加工提出了另一些不同的挑戰(zhàn)。MEMS制造的特點是,它含有3D精細圖形的深刻蝕,并要求橫向深刻蝕埋層氧化物的釋放加工工藝。用常規(guī)的濕法刻蝕和清洗技術(shù)是不能完成從這種非常緊密的幾何圖形除去可能的刻蝕殘留物,并確保懸臂梁和膜片的無靜摩擦操作的。已經(jīng)研究用無水HF/甲醇(AHF/MeOH)(圖2)犧牲層氧化物刻蝕工藝作為后者的可行解決方法。

特殊的電應用(如高溫、大功率以及超高速)和光應用(如藍光發(fā)射或UV檢測)中有不斷增長的提高性能的需求,這要求大大地改進硅以外的許多半導體的制造技術(shù)。這些材料的例子包括鍺,因為它有高于Si的電子遷移率,有可能與高-k柵介質(zhì)集成;加工應力溝道SiMOSFET所需的SiGe;以及碳化硅SiC,其帶隙很寬。除了最先進的GaAs外,像GaN、InAs、InSb、ZnO等等一些Ⅲ-Ⅴ族半導體也越來越引起人們的興趣。

表面清洗正成為此類半導體加工中不斷出現(xiàn)的問題。這是因為襯底晶體的低劣質(zhì)量(而不是其表面潔凈度)不再是限定與那些材料有關(guān)的制造良率的主導因素。隨著各種半導體材料襯底單晶質(zhì)量的提高,考慮因素就會變化,會對清洗技術(shù)給予更加密切的關(guān)注。

半導體器件技術(shù)飛速地擴展進入主流硅邏輯和模擬應用以外的領(lǐng)域。在顯示技術(shù)、太陽電池板技術(shù)和一些其它大面積光電系統(tǒng)中,其表面需要加工的材料可能包括玻璃、ITO(銦錫氧化物)或柔性塑料襯底等等。即使在主流硅IC和Ⅲ-Ⅴ族光學應用中,非半導體襯底也有明顯的優(yōu)點,因此得到大力的追蹤研究。例如,藍寶石(單晶Al2O3)是半導體器件制造中重要性越來越大的一種襯底。所有這些材料的清洗均具有重要意義。

多年來開發(fā)的硅清洗技術(shù)是解決其它半導體材料表面加工挑戰(zhàn)的基礎(chǔ)。各種新材料的出現(xiàn)必將推動半導體清洗技術(shù)的發(fā)展。
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