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SiB455EDK:Vishay 推出新款12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2010-01-06 來源:EDN

產(chǎn)品特性:
  • P溝道器件最低的導(dǎo)通電阻
  • 占位面積1.6mm x 1.6mm
  • ESD保護(hù)電壓高達(dá)1500V
  • RoHS指令2002/95/EC
應(yīng)用范圍:
  • 手機(jī)、智能手機(jī)、PDA和MP3播放器等手持設(shè)備中的負(fù)載、功放和電池開關(guān)

日前,Vishay Intertechnology宣布,推出新款12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強(qiáng)的PowerPAK SC-75封裝,占位面積為1.6mm x 1.6mm,具有業(yè)內(nèi)P溝道器件最低的導(dǎo)通電阻。 

SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的最新產(chǎn)品,使用了自對(duì)準(zhǔn)工藝技術(shù),在每平方英寸的硅片上裝入了10億個(gè)晶體管單元。這種最先進(jìn)的技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超精細(xì)、亞微米的節(jié)距工藝,將業(yè)內(nèi)最好的P溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻減小了一半。 

SiB455EDK具有超低的導(dǎo)通電阻,在4.5 V、2.5 V、1.8 V和1.5 V下的導(dǎo)通電阻分別為27mΩ、39mΩ、69mΩ和130mΩ,比前一代領(lǐng)先的12V P溝道器件在4.5 V、2.5 V、1.8 V下的導(dǎo)通電阻分別低55%、52%和39%。


該MOSFET可用做手機(jī)、智能手機(jī)、PDA和MP3播放器等手持設(shè)備中的負(fù)載、功放和電池開關(guān)。SiB455EDK的低導(dǎo)通電阻意味著更低的導(dǎo)通損耗,小尺寸的PowerPAK SC-75封裝能夠?qū)⒐?jié)省下來的空間用于實(shí)現(xiàn)其他功能,或是讓終端產(chǎn)品變得更加小巧。 

新器件也是僅有的同時(shí)具有10V柵源電壓和可在1.5V電壓下導(dǎo)通的12V MOSFET,因此該器件可用在由于浪涌、尖峰、噪聲或過壓引起柵極驅(qū)動(dòng)電壓波動(dòng)的應(yīng)用中,同時(shí)也為更小的輸入電壓提供更安全的設(shè)計(jì)。 

為減少由ESD引起的現(xiàn)場(chǎng)故障,器件的典型ESD保護(hù)電壓高達(dá)1500V。MOSFET符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定和RoHS指令2002/95/EC。

新款SiB455EDK TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,將在2010年第一季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為14周到16周。

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