產(chǎn)品特性：

• 具有極低的輸入電容 (典型值55pF) 和總體柵極電荷 (1nC)，以提升DC-DC升壓設(shè)計(jì)的效率
• 采用飛兆半導(dǎo)體專有的PowerTrench工藝技術(shù)
• 在緊湊 (1.6mm x 1.6mm) 和低側(cè)高 (0.55mm) MicroFET™ 薄型封裝中，集成了兩個(gè)分立器件
• 具有寬泛的擊穿電壓 (20V-1000V) 范圍

適用范圍：

• 手機(jī)、醫(yī)療、便攜和消費(fèi)應(yīng)用設(shè)計(jì)的升壓轉(zhuǎn)換電路

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升壓開關(guān)產(chǎn)品FDFME3N311ZT，有助提高手機(jī)、醫(yī)療、便攜和消費(fèi)應(yīng)用設(shè)計(jì)的升壓轉(zhuǎn)換電路效率。該器件結(jié)合了30V集成式N溝道PowerTrench® MOSFET和肖特基二極管，具有極低的輸入電容 (典型值55pF) 和總體柵極電荷 (1nC)，以提升DC-DC升壓設(shè)計(jì)的效率。FDFME3N311ZT 采用飛兆半導(dǎo)體專有的PowerTrench工藝技術(shù)，通過仔細(xì)優(yōu)化動(dòng)態(tài)性能來降低開關(guān)損耗。其肖特基二極管的反向泄漏電流隨溫度升高的變化小，可以防止轉(zhuǎn)換器效率隨封裝溫度升高而降低。該器件在緊湊 (1.6mm x 1.6mm) 和低側(cè)高 (0.55mm) MicroFET™ 薄型封裝中，集成了兩個(gè)分立器件，不但能夠滿足緊湊型DC-DC升壓設(shè)計(jì)的需求，而且相比先前的升壓開關(guān)產(chǎn)品節(jié)省36% 的電路板空間。

FDFME3N311ZT提供30V的擊穿電壓，可為手機(jī)等應(yīng)用驅(qū)動(dòng)多達(dá)7個(gè)或8個(gè)白光LED(實(shí)際數(shù)字取決于所選擇的LED和設(shè)計(jì)保護(hù)帶)。白光LED通常用作手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備的顯示器的背光照明，一般以串聯(lián)方式連接，以確保每個(gè)LED具有相同的正向電流和亮度。以每個(gè)LED的正向電壓約為3-3.5V計(jì)算，使用這款升壓開關(guān)將有助于逐步提高現(xiàn)有的電池升壓輸出電壓(大多數(shù)情況下為單一鋰電池)。

這款升壓開關(guān)是飛兆半導(dǎo)體多元化的MOSFET產(chǎn)品系列的最新成員，該產(chǎn)品系列具有寬泛的擊穿電壓 (20V-1000V) 范圍和先進(jìn)的封裝技術(shù)等特點(diǎn)，能夠解決現(xiàn)時(shí)設(shè)計(jì)所面對(duì)的各種復(fù)雜的功率和空間難題。