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微波功率半導(dǎo)體器件的新進(jìn)展和新應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2009-08-26

新聞事件:
  • 半導(dǎo)體分立器件年會(huì)對(duì)微波功率半導(dǎo)體器件的進(jìn)展和應(yīng)用進(jìn)行了介紹
事件影響:
  • 微波功率半導(dǎo)體器件目前擁有每年20億美元的全球市場(chǎng)
  • 這些新進(jìn)展和新應(yīng)用勢(shì)必會(huì)推動(dòng)微波率半導(dǎo)體器件的進(jìn)一步發(fā)展

8月20日,深圳,由中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)主辦,分立器件分會(huì)、華強(qiáng)電子網(wǎng)等聯(lián)合承辦的“2009中國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)年會(huì)”上,中國(guó)電科集團(tuán)南京電子器件研究所,單片集成電路與模塊國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室邵凱先生對(duì)于微波功率半導(dǎo)體器件的進(jìn)展和應(yīng)用進(jìn)行了介紹。微波功率半導(dǎo)體器件目前擁有每年20億美元的全球市場(chǎng),在很多應(yīng)用中它是不可缺少的非常重要的一類半導(dǎo)體器件。它的應(yīng)用主要分為三大類:以手機(jī)射頻功放為代表的輸出功率小于5W,工作頻率為S波段以下的中功率射頻器件;以移動(dòng)通信基站功放為代表的大功率射頻器件;以及主要用于通信、雷達(dá)等領(lǐng)域的X波段及更高頻率的微波毫米波功率器件。它涉及到的半導(dǎo)體材料包括第一代的硅,第二代的砷化鎵、磷化銦以及第三代的氮化鎵和碳化硅等。不同材料適合不同應(yīng)用。目前砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(GaAs HBT)是手機(jī)射頻功放的主流技術(shù);移動(dòng)通信基站功放則主要用硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)器件(Si LDMOS);微波毫米波功放主要用砷化鎵贗配高電子遷移率晶體管(GaAspHEMT)。但其它材料和器件結(jié)構(gòu)也在參與激烈競(jìng)爭(zhēng),尤其是第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的出現(xiàn)帶來(lái)了新的希望。

在本次會(huì)議上,全國(guó)200多位行業(yè)主管部門領(lǐng)導(dǎo)、專家及業(yè)界代表匯聚深圳,緊緊圍繞金融危機(jī)下中國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)機(jī)遇及趨勢(shì),分立器件新技術(shù)新工藝的發(fā)展,新型分立器件在汽車電子、節(jié)能照明等領(lǐng)域的應(yīng)用前景進(jìn)行了深入探討。工業(yè)和信息化部電子信息司丁文武副司長(zhǎng)、中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)徐小田秘書長(zhǎng)、中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件分會(huì)趙小寧秘書長(zhǎng)、中國(guó)科學(xué)院許居衍院士等領(lǐng)導(dǎo)、專家出席了本次會(huì)議并發(fā)言。


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