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系統(tǒng)時(shí)鐘源的比較選擇及高性能PLL的發(fā)展趨勢(shì)

發(fā)布時(shí)間:2008-10-30 來源:安森美半導(dǎo)體

中心論題:

  • 常見的系統(tǒng)時(shí)鐘源
  • PLL合成器相對(duì)于晶振模塊的替代優(yōu)勢(shì)
  • 擁有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的時(shí)鐘產(chǎn)生和時(shí)鐘分配解決方案
  • 高性能PLL的發(fā)展趨勢(shì)

解決方案:

  • 擴(kuò)展的頻率范圍和更低的抖動(dòng)噪聲,可作為晶體振蕩器的替代模塊
  • 在替代同樣屬于硅器件的競(jìng)爭(zhēng)性產(chǎn)品方面,PLL時(shí)鐘器件也在往更高性能發(fā)展

在所有電子系統(tǒng)中,時(shí)鐘相當(dāng)于心臟,時(shí)鐘的性能和穩(wěn)定性直接決定著整個(gè)系統(tǒng)的性能。典型的系統(tǒng)時(shí)序時(shí)鐘信號(hào)的產(chǎn)生和分配包含多種功能,如振蕩器源、轉(zhuǎn)換至標(biāo)準(zhǔn)邏輯電平的部件以及時(shí)鐘分配網(wǎng)絡(luò)。這些功能可以由元器件芯片組或高度集成的單封裝來完成,如圖1所示。

系統(tǒng)時(shí)鐘源需要可靠、精確的時(shí)序參考,通常所用的就是晶體。本文將比較兩種主要的時(shí)鐘源——晶體振蕩器(XO,簡(jiǎn)稱晶振)模塊和鎖相環(huán)(PLL)合成器,并探討高性能PLL的發(fā)展趨勢(shì)。
 
                                                            
                                                                     圖1:安森美半導(dǎo)體提供的完整時(shí)鐘解決方案。

常見的系統(tǒng)時(shí)鐘源
現(xiàn)今非常復(fù)雜的系統(tǒng)設(shè)計(jì)可能需要分配多個(gè)邏輯標(biāo)準(zhǔn)和多個(gè)頻率的時(shí)鐘信號(hào)副本。某些板子也可能需要在幾個(gè)要求零延遲緩存和沿(上升下降沿斜率)調(diào)整緩存的元件之間有精確的沿和同步特性。時(shí)鐘的多個(gè)副本可能需要一個(gè)扇出緩存用于多路輸出分配。時(shí)鐘的倍頻器可能需要一個(gè)PLL合成器。所有這些要求可以結(jié)合在一個(gè)有挑戰(zhàn)性的時(shí)鐘樹型設(shè)計(jì)中。

對(duì)于晶振模塊和PLL合成器這兩種主要的系統(tǒng)時(shí)鐘源而言,它們各有其優(yōu)劣勢(shì)。典型的系統(tǒng)晶振時(shí)鐘源通常使用的是石英晶體諧振器,盡管這種分立的雙器件解決方案(由單獨(dú)的晶體和IC組成)是可被替代的。為使振蕩器工作,石英晶體必須處于動(dòng)態(tài)信號(hào)環(huán)路中,由增益放大反向器補(bǔ)償晶振損耗、調(diào)節(jié)相位偏移并匹配阻抗。增益放大器也必須驅(qū)動(dòng)信號(hào)到標(biāo)準(zhǔn)邏輯輸出電平的轉(zhuǎn)換,以便系統(tǒng)時(shí)鐘分配網(wǎng)絡(luò)使用,且最終由時(shí)鐘接收器使用。 圖2顯示的是典型的晶體振蕩器時(shí)鐘的結(jié)構(gòu)示意圖。
 
                                                                        
                                                                              圖2:典型的晶體振蕩器時(shí)鐘。

從工作原理上講,石英晶體振蕩器是利用石英晶體(二氧化硅的結(jié)晶體)的壓電效應(yīng)制成的一種諧振器件。若在石英晶體的兩個(gè)電極上加一電場(chǎng),晶片就會(huì)產(chǎn)生機(jī)械變形。反之,若在晶片的兩 側(cè)施加機(jī)械壓力,則在晶片相應(yīng)的方向上將產(chǎn)生電場(chǎng),這種物理現(xiàn)象稱為壓電效應(yīng)。如果在晶片的兩極上加交變電壓,晶片就會(huì)產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng),同時(shí)晶片的機(jī)械振動(dòng)又會(huì)產(chǎn)生交變電場(chǎng)。在一般情況下,晶片機(jī)械振動(dòng)的振幅和交變電場(chǎng)的振幅非常微小,但當(dāng)外加交變電壓的頻率為某一特定值時(shí),振幅明顯加大,比其他頻率下的振 幅大得多,這種現(xiàn)象稱為壓電諧振。
晶體振蕩器的頻率精確性(針對(duì)特定數(shù)據(jù)表目標(biāo))一般表示以+/-PPM(每百萬零件)范圍偏差的均值。更精確的晶體振蕩器可能更昂貴,如更高頻晶體振蕩器。單獨(dú)的頻率精確度特性由有效位數(shù)和不確定性偏差范圍、單位以PPM表示。有各種精確性和精度不同的晶體振蕩器模塊。晶體振蕩器的邊緣抖動(dòng)或相位噪聲是精確性和精度的獨(dú)立參數(shù)。晶體振蕩器時(shí)鐘模塊總時(shí)鐘抖動(dòng)的單位是皮秒(ps),而相位噪聲僅當(dāng)規(guī)定超過邊帶頻率范圍時(shí)有效。

對(duì)于晶體振蕩器時(shí)鐘而言,它通常局限在一個(gè)頻率工作,而且經(jīng)常只有一個(gè)單端邏輯輸出引腳或一個(gè)差分輸出對(duì)。振蕩工作可能在晶振基本模式或諧振超調(diào)模式中進(jìn)行。

晶體振蕩器時(shí)鐘的優(yōu)點(diǎn)包括結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單和噪聲低,以及可為客戶提供精確的定制頻率等方面;但另一方面,它的缺點(diǎn)也比較明顯,例如其頻率僅由晶體決定,通常是特定晶體被制成客戶所需的振蕩器,導(dǎo)到生產(chǎn)成本高、交貨周期較長(zhǎng),不利于客戶加快產(chǎn)品上市時(shí)間,而且難以獲得非標(biāo)準(zhǔn)的頻率。此外,晶體振蕩器也存在著可靠性等方面的問題。在這種情況下,許多客戶多年來都在尋找著適合的晶體振蕩器的替代方案。

與晶體振蕩器相比,PLL合成器是一種更為復(fù)雜的系統(tǒng)時(shí)鐘源。其中,單從PLL來講,它通常由相頻檢測(cè)器(PFD)、電荷泵、低通濾波器 (LPF)和壓控振蕩器(VCO)等組成。而通用的PLL合成器時(shí)鐘產(chǎn)生器一般需要外部晶體以及放大反向器,并再通過完全集成的PLL和邏輯電路來完成。PLL合成器還可以實(shí)現(xiàn)其它更高的功能和特性,如晶體頻率倍頻、輸出相位校準(zhǔn)、多個(gè)輸出副本和對(duì)輸出進(jìn)行分頻等。圖3顯示 的是典型PLL合成器的結(jié)構(gòu)示意圖。
 
                                                          
                                                                    圖3:典型的PLL合成器時(shí)鐘結(jié)構(gòu)示意圖。

對(duì)于PLL合成器來說,先進(jìn)的芯片電路集成讓PLL合成器提供寬泛的扇出功能,用于時(shí)鐘信號(hào)副本的分配。如PLL合成器能提供20個(gè)差分輸出對(duì),或運(yùn)行到40個(gè)單端時(shí)鐘接收器??蛇x扇出使能功能, 并可結(jié)合倍頻或分頻,得到獨(dú)立封裝中廣泛輸出的靈活性。

PLL合成器相對(duì)于晶振模塊的替代優(yōu)勢(shì)
對(duì)于相同的時(shí)鐘應(yīng)用而言,PLL合成器時(shí)鐘可使用較為廉價(jià)的低頻晶體,這種晶體能夠工作在比晶振模塊更低的諧波頻率。通常頻率越高的晶體的價(jià)格也越貴,并且可能需要更長(zhǎng)的交貨周期。

此外,采用單個(gè)PLL合成器IC即可替代系統(tǒng)中的多個(gè)晶振模塊,這就無需扇出緩沖器或轉(zhuǎn)換器,從而帶來穩(wěn)固的成本降低。相對(duì)于晶振模塊,PLL合成器能夠提供多個(gè)邏輯系列輸出等級(jí)、優(yōu)化扇出板面積,并憑借使用更少的機(jī)械元件而提供了系統(tǒng)的可靠性。

總的來看,在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中采用PLL合成器,能夠獲得具有競(jìng)爭(zhēng)力的相位噪聲和穩(wěn)定性能,具有更寬的頻率輸出范圍和更高的設(shè)計(jì)靈活性,能夠減少所用元器件數(shù)量,從而減少物料清單(BOM),降低系統(tǒng)總成本,并縮短產(chǎn)品的交貨周期。

擁有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的時(shí)鐘產(chǎn)生和時(shí)鐘分配解決方案
在時(shí)序產(chǎn)品市場(chǎng),安森美半導(dǎo)體擁有寬廣的產(chǎn)品線,并持續(xù)進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品陣容拓展。以時(shí)鐘分配器件為例,安森美半導(dǎo)體的產(chǎn)品包括ECLinPSTM、ECLinPS MAXTM和GigaCommTM等系列。安森美半導(dǎo)體是射極耦合邏輯(ECL)產(chǎn)品的的市場(chǎng)和性能領(lǐng)先者,不僅歷史最為悠久(歷經(jīng)超過25年的發(fā)展),并且擁有最大的ECL產(chǎn)品陣容,超過競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手3倍。此外,安森美半導(dǎo)體擁有極佳的工藝技術(shù),并擁有業(yè)界領(lǐng)先的測(cè)試和評(píng)估方法,保證了產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。安森美半導(dǎo)體更持續(xù)進(jìn)行產(chǎn)品創(chuàng)新和性能提升。

例如,安森美半導(dǎo)體近期針對(duì)計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)和消費(fèi)應(yīng)用中的差分時(shí)鐘HCSL輸出提供新的時(shí)鐘分配器件—— NB4N121K 和 NB4N111K。這兩款器件適合100、133、166、200、266、333 和400 MHz等典型頻率,為內(nèi)存模塊 (FBDIMM)頻率應(yīng)用。這兩款器件采用先進(jìn)CMOS 工藝技術(shù)制造,性能遠(yuǎn)超競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品——產(chǎn)生僅 0.3 皮秒 (ps) 的相加相位抖動(dòng)和不足100 ps的輸出至輸出skew。(每個(gè)差分對(duì)的最大傳輸延遲變異Δtpd為100 ps。)競(jìng)爭(zhēng)性器件的典型抖動(dòng)超過 1 ps時(shí),Skew遠(yuǎn)高于 100 ps。因此,安森美半導(dǎo)體最新的 ECLinPS? 器件為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供更多的設(shè)計(jì)余量。兩款器件的時(shí)鐘輸入引腳還內(nèi)部整合了 50 歐姆 (Ω) 的片內(nèi)端接 (ODT) ,減少元件數(shù)量和簡(jiǎn)化電路板布線。

而在時(shí)鐘產(chǎn)生器件方面,安森美半導(dǎo)體的PureEdgeTM產(chǎn)品系列被證明是業(yè)內(nèi)現(xiàn)有最佳的基于鎖相環(huán)(PLL)且具有低相位噪聲的時(shí)鐘產(chǎn)生技術(shù)。安森美半導(dǎo)體新的PureEdgeTM亞皮秒均方根(RMS)抖動(dòng)PLL時(shí)鐘采用5 mm × 7 mm模塊配置,與晶體振蕩器和壓控晶體振蕩器引腳兼容,不僅可作為昂貴的晶體振蕩器的替代解決方案,且比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的PLL產(chǎn)品具有更佳的性能和成本。從表1中可以看出安森美半導(dǎo)體的PLL合成器(晶體+PLL)在相位抖動(dòng)性能上比晶振及同類的競(jìng)爭(zhēng)器件擁有明顯的優(yōu)勢(shì)。
 
 
                                                     
                                                               表1:不同競(jìng)爭(zhēng)器件的抖動(dòng)性能比較

高性能PLL的發(fā)展趨勢(shì)
如上所述,PLL合成器與傳統(tǒng)的晶體振蕩器相比擁有多種優(yōu)勢(shì)。接下來,我們將結(jié)合安森美半導(dǎo)體近期推出的幾款高性能PLL時(shí)鐘器件,探討高性能PLL的發(fā)展趨勢(shì)。

這其中很重要的趨勢(shì)就是擴(kuò)展的頻率范圍和更低的抖動(dòng)噪聲,可作為晶體振蕩器的替代模塊。例如,安森美半導(dǎo)體推出的NBXDBA012、NBXDBA014和NXTBA015LN1TAG等幾款時(shí)鐘模塊均具有擴(kuò)展的頻率范圍和極低的相位抖動(dòng)。例如,NBXDBA012是一款設(shè)計(jì)用于滿足當(dāng)今3.3 V低壓正射極耦合邏輯(LVPECL)時(shí)鐘產(chǎn)生應(yīng)用的雙頻率晶體振蕩器。這器件使用了高Q基本晶體和PLL時(shí)鐘乘法器,能夠提供可供選擇的106.25 MHz或212.5 MHz頻率,并能提供超低抖動(dòng)和相位噪聲的LVPECL差分輸出。它在12 kHz到20 MHz頻率的抖動(dòng)和相位抖動(dòng)僅為0.4 ps,適合1X和2X光纖信道(Fiber Channel)以及主總線適配器應(yīng)用。NBXDBA014的一些重要參數(shù)與NBXDBA012相同,只是它所提供的2個(gè)可供選擇的頻率分別為62.5 MHz和125 MHz。與NBXDBA012、NBXDBA014不同,NXTBA015LN1TAG是一款200/206 MHz PECL時(shí)鐘模塊,它的一項(xiàng)重要特性是具有可選擇的5%輸出頻率變化,允許方便地調(diào)整系統(tǒng)時(shí)序裕量。它在200 MHz的均方根(RMS)相位抖動(dòng)也為極低的0.4 ps。

在替代同樣屬于硅器件的競(jìng)爭(zhēng)性產(chǎn)品方面,PLL時(shí)鐘器件也在往更高性能發(fā)展。例如,安森美半導(dǎo)體的NB3N3001和NB3N3011這兩款適合光纖信道和串行ATA(SATA)應(yīng)用的高性能PLL時(shí)鐘產(chǎn)生器帶來優(yōu)于競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品50%的相位抖動(dòng)。其中,NB3N3001可產(chǎn)生106.25 MHz和212.5 MHz頻率,而NB3N3011可產(chǎn)生100 MHz和106.25 MHz頻率。這兩款器件具是備LVPECL差動(dòng)輸出的3.3 V時(shí)鐘產(chǎn)生器,采用先進(jìn)CMOS工藝,在相位噪聲上的表現(xiàn)大幅超越競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品,可以媲美昂貴的表面聲波(SAW) 晶振器。其中,NB3N3001僅0.3 ps的相位抖動(dòng)比起競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品的0.7 ps具有重要優(yōu)勢(shì),為系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師寶貴的時(shí)序成本預(yù)算保留了更充裕的空間。這兩款器件的引腳排列與功能相同的競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品ICS843001與ICS843011完全兼容,可以直接替代代,從而為客戶帶來具備更佳性能和成本的另一選擇。
 
                                                    
                                                                      圖4:NB3N3001的簡(jiǎn)化邏輯結(jié)構(gòu)示意圖。

此外,在HCSL時(shí)鐘產(chǎn)生器方面,安森美半導(dǎo)體提供具有4種可供選擇頻率的高性能PLL器件,如NB3N3002和NB3N5573。這兩款器件能夠提供的輸出頻率均為25/100/125/200 MHz,并都支持PCI Express (PCIe)和以太網(wǎng)要求。NB3N3002提供低于1 ps的相位抖動(dòng),而NB3N5573 與功能相競(jìng)爭(zhēng)的器件ICS557-03引腳兼容,能夠替代這器件。在沒有采用擴(kuò)頻功能下,NB3N5573提供更佳的抖動(dòng)性能,使其在不需要同步狀態(tài)信息 (SSM)下更發(fā)揮價(jià)值。

而在晶體至HCSL/LVPECL時(shí)鐘產(chǎn)生器方面,安森美半導(dǎo)體的NB3N3003和NB3N3004也都提供四種可供選擇的頻率,分別是100/133/166/200 MHz 和200/266/333/400 MHz。這兩款器件都可HCSL/LVPECL差分輸出,支持PCI Express和以太網(wǎng)要求,并支持?jǐn)U頻(-0.5, -1.0, -1.5% @32 KHz)。

除了上述應(yīng)用的高性能PLL時(shí)鐘器件,安森美半導(dǎo)體還率先提供能在-45℃至85℃全工業(yè)溫度范圍操作的可編程PLL合成時(shí)鐘NB124XX/A。該系列是多用途合成時(shí)鐘源,它的內(nèi)部VCO工作在200至400 MHz (12429)或400至800 MHz (12430/12439)的頻率范圍。通過無論是串行或是并行配置,VCO頻率能夠被設(shè)定和分頻,以提供PECL輸出所需的精細(xì)頻率間隔度。PLL環(huán)路濾波器已經(jīng)完全集成,所以無需外部元件。它的應(yīng)用市場(chǎng)包括服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)以及通用應(yīng)用。

除了NB124XX/A這種支持全工業(yè)溫度范圍的PLL合成時(shí)鐘,安森美半導(dǎo)體還推出一種可配置多協(xié)議時(shí)鐘產(chǎn)生器,它支持的協(xié)議包括1/8光纖信道、1/4光纖信道、HDTV、PCIe、OC3-OC48和XAUI等很多種協(xié)議,非常適合于多業(yè)務(wù)接入平臺(tái)和多速率時(shí)鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù)單元(CDR)應(yīng)用。

此外,針對(duì)手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)等應(yīng)用對(duì)時(shí)鐘器件在低功率、小封裝和更低電磁干擾(EMI)等方面的要求,安森美半導(dǎo)體也提供相應(yīng)的極低功率專用擴(kuò)頻時(shí)鐘產(chǎn)生器,包括NB2XXXA系列的多款器件。這些器件具有專有的全數(shù)字調(diào)制技術(shù),其EMI降低多達(dá)14 dBm,采用極小的3 mm × 3 mm 6引腳TSOP封裝,其共用占位面積允許在調(diào)制和擴(kuò)頻方面進(jìn)行變更,而不會(huì)導(dǎo)致布線改變。這系列器件適合于手機(jī)、PDA和打印機(jī)等應(yīng)用。

 

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