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運(yùn)放的信號疊加電路與求差電路
實際應(yīng)用中,常要獲取兩個信號的差值或?qū)Χ鄠€模擬信號進(jìn)行疊加混合,這時就要使用信號疊加電路和求差電路。圖一所示的反相比例和同相比例電路是比例運(yùn)算電路的基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),以此為基礎(chǔ),利用疊加原理和戴維南定理就可以構(gòu)造出信號疊加電路和求差電路。
2022-10-09
運(yùn)放 信號疊加電路 求差電路
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SPARC:用于先進(jìn)邏輯和 DRAM 的全新沉積技術(shù)
泛林集團(tuán)發(fā)明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術(shù),用于制造具有改進(jìn)電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是,它可以沉積超薄層,并且在高深寬比的結(jié)構(gòu)中保持性能,還不受工藝集成的影響,可以經(jīng)受進(jìn)一步處理。SPARC 將泛林無與倫比的等離子技術(shù)與化學(xué)和工藝工程相結(jié)合,實現(xiàn)了先進(jìn)邏輯和 DRAM 集成設(shè)計...
2022-10-09
SPARC DRAM 沉積技術(shù)
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INS5699C全面滿足智能電表應(yīng)用中RTC指標(biāo)要求
隨著我國經(jīng)濟(jì)社會高速發(fā)展,居民用電量和企事業(yè)單位用電量也隨之急劇增長,傳統(tǒng)的電網(wǎng)采集系統(tǒng)已經(jīng)無法滿足需求,新的智能電量采集系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生。電表集中器,也叫智能電表數(shù)據(jù)集中器,是智能電量采集系統(tǒng)中上下行通信的橋梁,在智能電量采集系統(tǒng)中占據(jù)重要的地位。
2022-10-09
INS5699C 智能電表 RTC指標(biāo)
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紅外熱成像儀對放大器的芯片結(jié)溫的仿真測試
隨著 GaN 功率放大器向小型化、大功率發(fā)展,其熱耗不斷增加,散熱問題已成為制約功率器件性能提升的重要因素。金剛石熱導(dǎo)率高達(dá) 2000 W/(m?K),是一種極具競爭力的新型散熱材料,可用作大功率器件的封裝載片。
2022-10-08
紅外熱成像儀 放大器 芯片結(jié)溫
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走向特定領(lǐng)域的EDA
似乎越來越多的公司正在創(chuàng)建自定義 EDA 工具,但尚不清楚這一趨勢是否正在加速以及它對主流EDA行業(yè)意味著什么。
2022-09-30
EDA 芯片
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【干貨】強(qiáng)大的4開關(guān)升降壓BOB電源,可升可降、能大能小
基于電感器的開關(guān)架構(gòu)電源有3中常見的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),分別是BUCK降壓電源、BOOST升壓電源以及BUCK-BOOST負(fù)壓電源,今天介紹的第4中拓?fù)洹?開關(guān)BOB電源,在手機(jī)、汽車、嵌入式等領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用,它的基本工作原理是怎樣的呢?有什么優(yōu)勢呢?
2022-09-27
BOB電源 升壓電源 負(fù)壓電源
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最新的1200V CoolSiC MOSFET中的.XT技術(shù)如何提高器件性能和壽命
由于碳化硅(SiC)器件的低導(dǎo)通損耗和低動態(tài)損耗,英飛凌CoolSiC? MOSFET越來越多地被用于光伏、快速電動車充電基礎(chǔ)設(shè)施、儲能系統(tǒng)和電機(jī)驅(qū)動等工業(yè)應(yīng)用。但與此同時,工程師也面臨著獨特的設(shè)計挑戰(zhàn)。實現(xiàn)更小的外形尺寸,同時保持功率變換系統(tǒng)的散熱性能,是相互矛盾的挑戰(zhàn),但英飛凌創(chuàng)新的.XT技術(shù)...
2022-09-27
CoolSiC MOSFET .XT技術(shù)
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采用MEMS技術(shù)制備的全硅法珀傳感器
近年來,微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)的發(fā)展,為光纖傳感領(lǐng)域注入新活力,將其與光纖結(jié)合為高靈敏度壓力測量提供可能。光纖MEMS法珀傳感器具有高一致性、可大批量生產(chǎn)、性能優(yōu)易穩(wěn)定等特點。
2022-09-26
MEMS技術(shù) 全硅法珀傳感器
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如果把開關(guān)電源的頻率無限提升..........
估計很多新手工程師在設(shè)計開關(guān)電源計算變壓器時發(fā)現(xiàn),把電源的開關(guān)頻率提高后變壓器磁芯更加不容易飽和,或者說可以用更小的磁性做出同樣功率的電源,甚至在想把開關(guān)頻率無限制提高來無限制縮小變壓器的體積。
2022-09-26
開關(guān)電源 頻率
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