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高性能電解電容器是LED長(zhǎng)壽命的保障
LED是一種壽命極長(zhǎng)的電光源，其使用壽命可以達(dá)到10萬(wàn)小時(shí)。但是，在實(shí)際應(yīng)用中，LED的壽命并不能達(dá)到理想的長(zhǎng)度，有的甚至使用不到一年就已經(jīng)損壞。究其原因，鋁電解電容器是導(dǎo)致LED驅(qū)動(dòng)電路壽命達(dá)不到要求的關(guān)鍵元素。如果能做出長(zhǎng)壽命電解電容器，使電解電容器的壽命與LED壽命基本相同。那么，電...
2013-05-16
電解電容
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安森美推出降低30%開(kāi)關(guān)損耗的截止型IGBT器件
近日，安森美半導(dǎo)體推出新的第二代場(chǎng)截止型(FSII)IGBT器件，降低開(kāi)關(guān)損耗達(dá)30%，因而提供更高能效，并轉(zhuǎn)化為更低的外殼溫度，為設(shè)計(jì)人員增強(qiáng)系統(tǒng)總體性能及可靠性的選擇。這些新器件針對(duì)目標(biāo)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，相比現(xiàn)有器件能降低外殼溫度達(dá)20%。
2013-05-16
安森美 IGBT 開(kāi)關(guān)損耗
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孰優(yōu)孰劣:氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管VS硅功率器件?
工程師常常認(rèn)為當(dāng)應(yīng)用需要更高電壓時(shí)，使用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)在性能方面才更具優(yōu)勢(shì)。但是，如果只是考慮開(kāi)關(guān)品質(zhì)因數(shù)，相比先進(jìn)的MOSFET器件，200V的eGaN FET器件的優(yōu)勢(shì)好像減弱了。GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管與硅功率器件中低壓降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的性能到底怎樣？且聽(tīng)本文細(xì)細(xì)分解。
2013-05-16
氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 硅功率器件
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僅有120ns最大傳播延遲的門(mén)驅(qū)動(dòng)光電耦合器
近日，Avago Technologies推出二組新高速門(mén)驅(qū)動(dòng)光電耦合器產(chǎn)品ACPL-P/W345和ACPL-P/W346，這些器件在設(shè)計(jì)上為用來(lái)保護(hù)和驅(qū)動(dòng)功率MOSFET或碳化硅MOSFET的1A和2.5A門(mén)驅(qū)動(dòng)光電耦合器，適合如變頻器、電機(jī)控制和開(kāi)關(guān)電源(SPS)等高頻率應(yīng)用。相較于Avago前一代產(chǎn)品，ACPL-P/W345和ACPL-P/W346在傳播延遲...
2013-05-15
光電耦合器 傳播延遲
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電源轉(zhuǎn)換新時(shí)代的來(lái)臨：IR開(kāi)始商業(yè)裝運(yùn)GaN器件
IR在業(yè)內(nèi)率先商業(yè)付運(yùn)可大幅提高現(xiàn)有電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率的GaN功率器件，預(yù)示著電源效率革命性改善新時(shí)代的到來(lái)。相比當(dāng)今最先進(jìn)的硅功率器件技術(shù)，氮化鎵技術(shù)平臺(tái)能夠?qū)⒖蛻舻碾娫磻?yīng)用的性能指數(shù)(FOM)提升10倍。
2013-05-15
IR GaN 電源轉(zhuǎn)換
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硅功率MOSFET前景堪憂？
30年前硅功率MOSFET的出現(xiàn)使市場(chǎng)快速接受開(kāi)關(guān)電源，硅功率MOSFET成為很多應(yīng)用的必選功率器件。近些年來(lái)，MOSFET不可避免地進(jìn)入到性能瓶頸期；然而與此同時(shí)，增強(qiáng)型GaN HEMT器件在開(kāi)關(guān)性能和整個(gè)器件帶寬有突破性改善，迅速占領(lǐng)市場(chǎng)。硅功率MOSFET在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的發(fā)展已經(jīng)走到盡頭了嗎？
2013-05-15
MOSFET 電源轉(zhuǎn)換 GaN
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IGBT在太陽(yáng)能應(yīng)用中的高能效設(shè)計(jì)
對(duì)于太陽(yáng)能逆變器來(lái)說(shuō)，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)能比其他功率元件提供更多的效益，其中包括高載流能力、以電壓而非電流進(jìn)行控制，并能使逆并聯(lián)二極管與IGBT配合。本文將介紹如果利用全橋逆變器拓?fù)浼斑x用合適的IGBT，使太陽(yáng)能應(yīng)用的功耗降至最低。
2013-05-14
IGBT 太陽(yáng)能 逆變器 高能效
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第三講：基于MOSFET的高能效電源設(shè)計(jì)
通過(guò)結(jié)合改進(jìn)的電源電路拓?fù)浜透拍钆c改進(jìn)的低損耗功率器件，開(kāi)關(guān)電源行業(yè)在提高功率密度、效率和可靠性方面，正在經(jīng)歷革新性發(fā)展。MOSFET是中低電壓電源應(yīng)用的首選功率器件，可以提高溝槽密度，并無(wú)需JFET阻抗元件，因此能夠使特征導(dǎo)通阻抗降低30%左右，降低同步整流的能量損耗，極大的提高了電源能...
2013-05-14
MOSFET 高能效 電源
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EMC領(lǐng)軍企業(yè)揮師西部 大舉搶占軍工、航天、通信市場(chǎng) ——直面中國(guó)制造業(yè)向西部的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)移，先入為主，占領(lǐng)中國(guó)西部市場(chǎng)！
“ 中國(guó)(西部)EMC應(yīng)用技術(shù)展”是電磁兼容技術(shù)面向航天、軍工、通信領(lǐng)域的國(guó)際盛會(huì)。 成都，中國(guó)西部大開(kāi)發(fā)的龍頭城市，中國(guó)重要的基礎(chǔ)電子裝備基地、航天、軍品電子中心。
2013-05-13
EMC
- 功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（二）——熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)
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- 貿(mào)澤電子與Analog Devices聯(lián)手推出新電子書(shū)探討電子設(shè)計(jì)中的電源效率與穩(wěn)健性
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