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VJ0805/1206/1210/1808/1812：Vishay的高可靠性MLCC
Vishay日前宣布，其 HVArc Guard表面貼裝 X7R 多層陶瓷片式電容器 (MLCC) 現(xiàn)可提供可選聚合體端子。該器件專(zhuān)為耐受較高機(jī)械應(yīng)用而設(shè)計(jì)，旨在減少機(jī)械破碎相關(guān)的電容器故障。
2008-09-19
VJ0805 VJ1206 VJ1210 VJ1808 VJ1812 MLCC 多層陶瓷片式電容器
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法國(guó)改光伏法規(guī) 太陽(yáng)能市場(chǎng)受影響
據(jù)報(bào)道，法國(guó)政府已經(jīng)通過(guò)法國(guó)國(guó)會(huì)的批準(zhǔn)，對(duì)該國(guó)光伏發(fā)電法規(guī)進(jìn)行有史以來(lái)最大的一次修改，這無(wú)疑是對(duì)法國(guó)以及歐洲太陽(yáng)能發(fā)電產(chǎn)業(yè)一次巨大的沖擊。
2008-09-16
光伏發(fā)電 太陽(yáng)能
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我國(guó)遭美"337調(diào)查" LED企業(yè)上升至10家
2008年8月30日，我國(guó)又有6家LED企業(yè)即半導(dǎo)體照明企業(yè)，被控涉嫌專(zhuān)利侵權(quán)而將面臨美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(U.S.ITC)的“337調(diào)查”。加上此前已有6家中國(guó)大陸LED企業(yè)被起訴且其中4家被列入ITC“337調(diào)查”名單，今年以來(lái)，我國(guó)已有12家LED企業(yè)遭遇海外知識(shí)產(chǎn)權(quán)糾紛(不包括我國(guó)臺(tái)灣地區(qū)企業(yè))。
2008-09-16
知識(shí)產(chǎn)權(quán) LED Rothschild 337調(diào)查
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中能打破多晶硅技術(shù)壟斷 成中國(guó)硅料第一股
紐約證券交易所前不久突然發(fā)布了一則令全球光伏行業(yè)為之震動(dòng)的消息，總部位于香港的太陽(yáng)能硅芯片供應(yīng)商協(xié)鑫硅業(yè)(GCL)已向美國(guó)證券交易委員會(huì)(SEC)遞交了IPO 申請(qǐng)，而這家公司的業(yè)務(wù)主體正是江蘇中能。
2008-09-11
多晶硅
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南方芯源在西安成立研發(fā)中心西安芯派
2008年8月18日，Samwin公司投資發(fā)起設(shè)立的西安芯派科技有限公司正式成立，主要從事MOSFET全新溝通工藝，電源管理IC及射頻技術(shù)應(yīng)用三個(gè)方面的產(chǎn)品研發(fā)。該中心的成立將進(jìn)一步提高Samwin產(chǎn)品的技術(shù)先進(jìn)度。
2008-08-20
西安芯派 Samwin MOSFET 南方芯源
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賽維LDK與印度光伏老大簽5年供應(yīng)合同
剛剛成為全球最大硅片生產(chǎn)商的賽維LDK太陽(yáng)能有限公司(下稱(chēng)“賽維LDK”)昨日宣布，公司近日與印度的XL Telecom & Energy公司簽訂了為期5年的太陽(yáng)能多晶硅片供應(yīng)合同。后者是印度最大的太陽(yáng)能企業(yè)。
2008-08-20
多晶硅 太陽(yáng)能
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STCL1120系列:意法半導(dǎo)體低功耗硅振蕩器
意法半導(dǎo)體推出STCL1120系列硅振蕩器，新產(chǎn)品啟動(dòng)快速，抗振動(dòng)、沖擊和抗電磁干擾（EMI）能力強(qiáng)，電流消耗低，片選控制功能使電源管理比其它品牌的硅振蕩器更加容易，能效更高。
2008-06-24
STCL1120 硅振蕩器 控制設(shè)備
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STCL1120系列:意法半導(dǎo)體低功耗硅振蕩器
意法半導(dǎo)體推出STCL1120系列硅振蕩器，新產(chǎn)品啟動(dòng)快速，抗振動(dòng)、沖擊和抗電磁干擾（EMI）能力強(qiáng)，電流消耗低，片選控制功能使電源管理比其它品牌的硅振蕩器更加容易，能效更高。
2008-06-24
STCL1120 硅振蕩器 控制設(shè)備
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STW55NM60ND：意法半導(dǎo)體快速恢復(fù)MOSFET產(chǎn)品
意法半導(dǎo)體推出快速恢復(fù)MOSFET晶體管新產(chǎn)品系列，用于包括再生能源控制器在內(nèi)的以能效為中心的應(yīng)用需求。新產(chǎn)品在現(xiàn)有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上提高了開(kāi)關(guān)性能，同時(shí)還使導(dǎo)通電阻實(shí)現(xiàn)超過(guò)18%的降幅。
2008-05-06
STW55NM60ND MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管
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