【導(dǎo)讀】太空中的電子系統(tǒng)暴露在大量危險(xiǎn)之中。除此之外，如果沒有地球保護(hù)磁場(chǎng)使粒子偏轉(zhuǎn)，沒有地球大氣層吸收太陽及宇宙射線，系統(tǒng)將暴露在更大強(qiáng)度的波輻射及粒子輻射中。半導(dǎo)體器件特別容易受到粒子輻射的影響，這可能會(huì)導(dǎo)致組件或系統(tǒng)故障。
但即使是無源組件可能也會(huì)出現(xiàn)放氣等問題。此外，散熱也更具挑戰(zhàn)性，因?yàn)閷?duì)流散熱在太空中不管用，所以設(shè)計(jì)人員只能通過將熱量傳導(dǎo)至表面后輻射散掉。
本文將探討這些問題，具體涉及航天電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。這里的重點(diǎn)甚至可進(jìn)一步聚焦到那些“新太空”應(yīng)用，它們需要“耐輻射”組件及電路，而非更穩(wěn)健的“防輻射”器件與電路。耐輻射要求降低了組件或電路承受反射宇宙輻射的能力，例如，組件總電離劑量 (TID) 以更低額定值為單位。然而，作為輻射穩(wěn)健性程度降低的交換，組件成本也有望降低。
雖然半導(dǎo)體器件的選擇是開發(fā)耐輻射電源系統(tǒng)的關(guān)鍵，但它只是可部署在組件和電路層面的眾多設(shè)計(jì)策略中的一個(gè)。本文將討論軟開關(guān)在耐輻射電源系統(tǒng)中的基本戰(zhàn)略及多種優(yōu)勢(shì)。
粒子輻射及其它危害的影響
就我們的目的而言，波輻射包括射線和電磁波。關(guān)于波輻射的直覺是由人類感官所能探知到的事物引導(dǎo)的，即用我們的眼睛所感受到的可見光、我們感覺有熱度的紅外光，以及在紫外線灼傷我們的皮膚時(shí)我們所感受到的紫外線。
一般來說，波輻射的屬性與光的屬性相似，包括反射、吸收、折射和傳播。然而，宇宙（波）輻射的波長(zhǎng)可延伸到可見光光譜的上方和下方。能見度以下的輻射包括微波和射頻。能見度以上的輻射包括紫外線、X 射線和伽馬射線。在圖 1 中，請(qǐng)注意波長(zhǎng)和相關(guān)能量，這是測(cè)量輻射暴露的關(guān)鍵參數(shù)。
波輻射和粒子輻射并不是完全分開的兩件事，但它們對(duì)電子系統(tǒng)的影響是不同的。單個(gè)粒子的質(zhì)量很小，但可加速到很高的速度。此外，它們還可以攜帶電荷，當(dāng)負(fù)電荷電子從原子軌道剝離時(shí)，通常為正電荷。
通過粒子輻射，我們可以看到物理損壞，特別是對(duì)半導(dǎo)體晶體晶格的損壞，這種損壞是永久和/或累積性的。在電子被拖入損耗區(qū)，使非導(dǎo)電區(qū)導(dǎo)電的地方，會(huì)出現(xiàn)暫時(shí)性的破壞。正離子取代晶體基質(zhì)中的摻雜原子時(shí)，也會(huì)出現(xiàn)永久性損壞，有時(shí)會(huì)使半導(dǎo)體在錯(cuò)誤的時(shí)間或地方導(dǎo)電，這也會(huì)通過電路故障造成永久性損壞。
太空危險(xiǎn)重重。大部分輻射損壞都是日積月累的，所以任務(wù)時(shí)間長(zhǎng)短是一個(gè)因素。當(dāng)電子設(shè)備離開地球體系時(shí)，輻射強(qiáng)度會(huì)提升，所以軌道或深空暴露也是影響因素。
太空真空中的另一個(gè)影響因素是，我們用于在地面散熱的有效對(duì)流不起作用。傳導(dǎo)的作用是傳播熱能，但多余的熱量最終必須輻射到寒冷的太空中。一個(gè)復(fù)雜的因素是，暴露在陽光下的表面，溫度會(huì)變得非常高，大約為 250?F (120?C)，而陰影覆蓋的表面則非常冷，大約為 -238?F (-150?C)。衛(wèi)星系統(tǒng)的散熱設(shè)計(jì)很復(fù)雜。
圖 1：輻射光譜（插圖由哈佛大學(xué)提供）[1]。
構(gòu)建堅(jiān)固耐輻射電源電子器件的策略
即使在當(dāng)前快節(jié)奏的新太空商業(yè)環(huán)境中，發(fā)射更換報(bào)廢衛(wèi)星的成本也非常高昂，因此謹(jǐn)慎設(shè)計(jì)尤為重要。我們真的希望獲得我們力所能及的最高可靠性。
怎么實(shí)現(xiàn)？
答案不止一個(gè)，創(chuàng)建堅(jiān)固的航空電子系統(tǒng)的解決方案是多方面的。
根據(jù)耐輻射性選擇組件。一些業(yè)界一流的半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)提高了耐輻射性。雙極性半導(dǎo)體可根據(jù)其位移損壞等級(jí)進(jìn)行選擇。可以選擇本來就耐輻射的寬帶隙 (GaN) FET。有些部件根本不適合在太空環(huán)境中使用，如某些環(huán)氧樹脂和鋁電解質(zhì)容器，它們會(huì)在真空中釋放氣體。
為了說明批次之間的差異，可以對(duì)一個(gè)批次進(jìn)行抽樣測(cè)試，看看其輻射性能。如果通過測(cè)試，本次生產(chǎn)的器件即可放心使用。
物理冗余?？蓤?zhí)行多個(gè)系統(tǒng)實(shí)例。一個(gè)發(fā)生故障，可以設(shè)計(jì)讓另一個(gè)系統(tǒng)來接管。在一些系統(tǒng)中，有三個(gè)系統(tǒng)并行運(yùn)行。如果其中一個(gè)與另外兩個(gè)不一致，其輸出即可忽略。有時(shí)提供有四個(gè)冗余系統(tǒng)，如果一個(gè)系統(tǒng)出現(xiàn)故障，可換用一個(gè)備用系統(tǒng)。
功率 MOSFET 可降額，因此可以考慮不可避免的 VGS 閾值降級(jí)，該器件在工作年限之后仍能正常工作。
屏蔽可用于保護(hù)敏感電子器件，但如果粒子能量足夠高，屏蔽的級(jí)聯(lián)粒子會(huì)使問題增加。
如果故障可恢復(fù)，可以添加電路來監(jiān)控性能，斷開并重啟出問題的系統(tǒng)。
無論設(shè)計(jì)策略和電源拓?fù)淙绾危教祀娮酉到y(tǒng)都必須進(jìn)行環(huán)境及輻射性能分析、仿真和測(cè)試。
耐輻射設(shè)計(jì)要求限制了組件的選擇。監(jiān)控器、安全保護(hù)機(jī)制、電源斷開及復(fù)位電路的性能的增加不能導(dǎo)致最終解決方案的效率、尺寸和重量超出要求。
拓?fù)溥x擇和開關(guān)模式的影響
通過選擇合適的電源系統(tǒng)架構(gòu)來平衡設(shè)計(jì)折中很重要。拓?fù)浜烷_關(guān)模式，如軟開關(guān)（相對(duì)于硬開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器），可以使系統(tǒng)對(duì)振蕩等寄生效應(yīng)不那么敏感，振蕩會(huì)增加開關(guān)組件上的電壓應(yīng)力。
拓?fù)溥x擇是新太空設(shè)計(jì)中的重要實(shí)例，開關(guān)模式會(huì)影響電源轉(zhuǎn)換執(zhí)行的所有重要規(guī)范，其中包括功率密度、效率、瞬態(tài)響應(yīng)、輸出紋波、電磁干擾 (EMI) 發(fā)射與成本等。
主要開關(guān)損耗項(xiàng)可歸因?yàn)楣╇婃湼叨?MOSFET 通過柵極充電要求及漏 - 源電容的導(dǎo)通行為。開關(guān)損耗隨開關(guān)頻率的增加而增加，從而可限制開關(guān)頻率。體內(nèi)二極管導(dǎo)通損耗將進(jìn)一步降低硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器的電源轉(zhuǎn)換效率。雖然 GaN FET 沒有物理體內(nèi)二極管，但確實(shí)有幾伏特的反向傳導(dǎo)模式鉗位，因此很難管理 GaN 死區(qū)傳導(dǎo)期。
在同步硬開關(guān)降壓拓?fù)渲?，高?cè) MOSFET 在其電壓最大（見圖 2a）并在接通部分工作周期過程中傳導(dǎo)最大電流時(shí)接通。因此，高側(cè)開關(guān)的功耗在開關(guān)切換過程中達(dá)到最大值。輸入電壓越大，功耗越高，因此在相同的轉(zhuǎn)換器中，高電壓比應(yīng)用的轉(zhuǎn)換器（例如，28V 至 3.3V）的效率往往比在要求較低轉(zhuǎn)換比（例如，5V 至 2.5V）的電路中的低。
圖 2：輻射光譜（插圖由哈佛大學(xué)提供）[2]。
軟開關(guān)的優(yōu)勢(shì)
替代方案（軟開關(guān)）將大幅降低這些開關(guān)損耗。軟開關(guān)技術(shù)需要的控制電路更復(fù)雜，因?yàn)殚_關(guān)時(shí)序必須與開關(guān)波形協(xié)調(diào)。
軟開關(guān)的一個(gè)實(shí)例是零電壓開關(guān) (ZVS) 技術(shù)，可提高一系列電源拓?fù)溟g的轉(zhuǎn)換效率。顧名思義，當(dāng)開關(guān)的電壓為零或接近零時(shí)，ZVS 會(huì)高側(cè) MOSFET上實(shí)現(xiàn)（見圖 2b）。這在高側(cè) MOSFET 導(dǎo)通間隔期間打破了功耗與電壓轉(zhuǎn)換比之間的聯(lián)系。
支持 ZVS 技術(shù)的鉗位開關(guān)的工作允許轉(zhuǎn)換器在高低側(cè)開關(guān)都關(guān)閉時(shí)，在輸出電感器中存儲(chǔ)少量能量。轉(zhuǎn)換器可使用這種在其它方面浪費(fèi)的能量為高側(cè) MOSFET 的寄生電容放電，并為同步 MOSFET 的寄生電容充電。
將 MOSFET 的寄生電容從開關(guān)的導(dǎo)通行為中去除，可降低 MOS FET 針對(duì) CGD 進(jìn)行選擇的敏感性，因此，設(shè)計(jì)人員可將工作重心從導(dǎo)通電阻與柵極電容等傳統(tǒng)品質(zhì)因數(shù)轉(zhuǎn)向?qū)娮琛?/p>
這種在接通過程中驅(qū)動(dòng)高側(cè) MOS FET 的方法可避免刺激開關(guān)寄生電感和電容，這些電感和電容易產(chǎn)生諧振，在硬開關(guān)拓?fù)渲姓T導(dǎo)大型電壓尖峰和振蕩（見圖 3a）。通過消除尖峰并防止振蕩（見圖 3b），ZVS 不僅可消除功耗項(xiàng)，而且還可消除 EMI 發(fā)射源。
此外，從開關(guān)行為中消除電壓尖峰可讓設(shè)計(jì)人員選擇 RDSON 較低的較低電壓 MOSFET，從而提高效率。
圖 3：硬開關(guān)與軟開關(guān)波形（插圖由《電子設(shè)計(jì)》提供）[2]。
軟開關(guān)的功能非常廣泛。例如，Vicor 在其耐輻射電源模塊解決方案中使用軟開關(guān)技術(shù)，為專門用于 MEO 和 LEO 衛(wèi)星應(yīng)用的高性能通信 ASIC 供電（見圖 4）。系統(tǒng)模塊使用 ZVS 升降壓拓?fù)錇?BCM? 和 VTM? 的 PRM? 與 ZVS 及 ZCS 正弦振幅轉(zhuǎn)換器 (SAC) 提供支持。
VTM 尺寸小，可以盡可能靠近 ASIC 布置。在應(yīng)對(duì)現(xiàn)代 ASIC、FPGA、CPU 和 GPU 消耗的大電流時(shí)，優(yōu)化配電網(wǎng)絡(luò) (PDN) 至關(guān)重要。Vicor 模塊將軟開關(guān)解決方案、耐輻射有源組件和符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的無源組件進(jìn)行了完美結(jié)合。
為緩解單事件功能中斷 (SEFI) 問題，所有耐輻射模塊都包括并聯(lián)運(yùn)行的完全冗余供電鏈。如果一個(gè)供電鏈因單個(gè)事件而出現(xiàn)故障，其保護(hù)電路將強(qiáng)制斷電復(fù)位。在復(fù)位間隔期間，冗余供電鏈將承擔(dān)全部負(fù)載，而且復(fù)位后，兩個(gè)供電鏈將再次并聯(lián)運(yùn)行。
圖 4：高功率諧振（ZVS 和 ZCS）拓?fù)淠K。
在眾多因素中，拓?fù)浜烷_關(guān)模式的選擇是設(shè)計(jì)新太空電源轉(zhuǎn)換器時(shí)的重要因素。
來源：Vicor
作者：Ken Coffman
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