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【分享】EMC理論基礎(chǔ)知識(shí)——電磁屏蔽

發(fā)布時(shí)間:2019-06-25 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】屏蔽是利用屏蔽體來(lái)阻擋或減小電磁能傳輸?shù)囊环N技術(shù),是抑制電磁干擾的重要手段之一。屏蔽有兩個(gè)目的:一是限制內(nèi)部輻射的電磁能量泄漏出該內(nèi)部區(qū)域,二是防止外來(lái)的輻射干擾進(jìn)入某一區(qū)域。
 
1、屏蔽效能的概念
 
屏蔽是利用屏蔽體來(lái)阻擋或減小電磁能傳輸?shù)囊环N技術(shù),是抑制電磁干擾的重要手段之一。屏蔽有兩個(gè)目的:一是限制內(nèi)部輻射的電磁能量泄漏出該內(nèi)部區(qū)域,二是防止外來(lái)的輻射干擾進(jìn)入某一區(qū)域。
 
電磁場(chǎng)通過(guò)金屬隔離材料時(shí),電磁場(chǎng)的強(qiáng)度將明顯降低,這種現(xiàn)象就是金屬材料的屏蔽作用。我們可以用同一位置無(wú)屏蔽體時(shí)電磁場(chǎng)的強(qiáng)度與加屏蔽體之后電磁場(chǎng)的強(qiáng)度之比來(lái)表征金屬材料的屏蔽作用,定義屏蔽效能(Shielding Effectiveness,簡(jiǎn)稱SE):
 
【分享】EMC理論基礎(chǔ)知識(shí)——電磁屏蔽
 
2、屏蔽體上孔縫的影響
 
實(shí)際上,屏蔽體上面不可避免地存在各種縫隙、開(kāi)孔以及進(jìn)出電纜等各種缺陷,這些缺陷將對(duì)屏蔽體的屏蔽效能有急劇的劣化作用。上節(jié)中分析的理想屏蔽體在30MHz以上的屏蔽效能已經(jīng)足夠高,遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)工程實(shí)際的需要。真正決定實(shí)際屏蔽體的屏蔽效能的因素是各種電氣不連續(xù)缺陷,包括:縫隙、開(kāi)孔和電纜穿透等。
 
3、孔縫屏蔽的總體設(shè)計(jì)思想
 
根據(jù)小孔耦合理論,決定孔縫泄漏量的因素主要有兩個(gè):孔縫面積和孔縫最大線度尺寸。如果兩者皆大,泄漏則最為嚴(yán)重;面積小而最大線度尺寸大則電磁泄漏仍然較大??卓p主要分為四類:
 
(1)機(jī)箱(機(jī)柜)接縫
 
這類縫雖然面積不大,但其最大線度尺寸即縫長(zhǎng)卻非常大,由于維修、開(kāi)啟等限制,致使該類縫成為電子設(shè)備中屏蔽難度最大的一類孔縫,采用導(dǎo)電襯墊等特殊屏蔽材料可以有效地抑制電磁泄漏。該類孔縫屏蔽設(shè)計(jì)的關(guān)鍵在于合理地選擇導(dǎo)電襯墊材料,并進(jìn)行適當(dāng)?shù)淖冃慰刂啤?/div>
 
(2)通風(fēng)孔
 
這類孔面積和最大線度尺寸較大,通風(fēng)孔設(shè)計(jì)的關(guān)鍵在于通風(fēng)部件的選擇與裝配結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)。在滿足通風(fēng)性能的條件下,應(yīng)盡可能選用屏效較高的屏蔽通風(fēng)部件。
 
(3)觀察孔與顯示孔
 
這類型孔面積和最大線度尺寸較大,其設(shè)計(jì)的關(guān)鍵在于屏蔽透光材料的選擇與裝配結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)。
 
(4)連接器與機(jī)箱接縫
 
這類縫的面積與最大線度尺寸均不大,但由于在高頻時(shí)導(dǎo)致連接器與機(jī)箱的接觸阻抗急劇增大,從而使得屏蔽電纜的共模傳導(dǎo)發(fā)射變大,往往導(dǎo)致整個(gè)設(shè)備的輻射發(fā)射出現(xiàn)超標(biāo),為此應(yīng)采用導(dǎo)電橡膠等連接器導(dǎo)電襯墊。
 
由于輻射源分為近區(qū)的電場(chǎng)源、磁場(chǎng)源和遠(yuǎn)區(qū)的平面波,因此屏蔽體的屏蔽性能依據(jù)輻射源的不同,在材料選擇、結(jié)構(gòu)形狀和對(duì)孔縫泄漏控制等方面都有所不同。在設(shè)計(jì)中要達(dá)到所需的屏蔽性能,則需首先確定輻射源,明確頻率范圍,再根據(jù)各個(gè)頻段的典型泄漏結(jié)構(gòu),確定控制要素,進(jìn)而選擇恰當(dāng)?shù)钠帘尾牧?,設(shè)計(jì)屏蔽殼體。
 
綜上所述,孔縫抑制的設(shè)計(jì)要點(diǎn)歸納為:
 
(1)合理選擇屏蔽材料;
 
(2)合理設(shè)計(jì)安裝互連結(jié)構(gòu)。
 
4、孔洞泄漏的評(píng)估
 
機(jī)箱上不可避免地會(huì)有各種孔洞,這些孔洞最終決定了屏蔽體的屏蔽效能(假設(shè)沒(méi)有電纜穿過(guò)機(jī)箱)。一般可以認(rèn)為,屏蔽機(jī)箱在低頻時(shí)的屏蔽效能主要取決于制造屏蔽體的材料。在高頻時(shí)的屏蔽效能主要取決于機(jī)箱上的孔洞和縫隙。當(dāng)電磁波入射到一個(gè)孔洞時(shí),孔洞的作用是相當(dāng)于一個(gè)偶極天線;當(dāng)縫隙的長(zhǎng)度達(dá)到1/2時(shí),其輻射效率最高(與縫隙的寬度無(wú)關(guān))。也就是說(shuō),它可以把入射到縫隙的全部能量輻射出去,如下圖所示。
 
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在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū),如果孔洞的最大尺寸L小于λ/2,一個(gè)厚度為0的材料上的縫隙的屏蔽效能為:
 
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如果L大于λ/2,則SE=0(dB)。
 
SE:屏蔽效能(dB)
 
L:孔洞的長(zhǎng)度(mm)
 
H:孔洞的寬度(mm)
 
f:入射電磁波的頻率(MHz)
 
這個(gè)公式計(jì)算的是最壞情況下(造成最大泄漏的極化方向)的屏蔽效能,實(shí)際情況下屏蔽效能可能會(huì)更高一些。
 
在近場(chǎng)區(qū),孔洞的泄漏還與輻射源是磁場(chǎng)源有關(guān)。當(dāng)輻射源是電場(chǎng)源時(shí),孔洞的泄漏比遠(yuǎn)場(chǎng)小(屏蔽效能高);而當(dāng)輻射源是磁場(chǎng)源時(shí),孔洞的泄漏比遠(yuǎn)場(chǎng)大(屏蔽效能低)。對(duì)于不同電路阻抗Zc的輻射源,計(jì)算公式如下:
 
若ZC>(7.9/Df):(電場(chǎng)源)
 
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若ZC<(7.9/Df):(電場(chǎng)源)
 
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SE:屏蔽效能(dB)
 
L:孔洞的長(zhǎng)度(mm)
 
H:孔洞的寬度(mm)
 
f:入射電磁波的頻率(MHz)
 
這個(gè)公式計(jì)算的是最壞情況下(造成最大泄漏的極化方向)的屏蔽效能,實(shí)際情況下屏蔽效能可能會(huì)更高一些。
 
需要注意的問(wèn)題是,對(duì)于磁場(chǎng)輻射源,孔洞在近場(chǎng)區(qū)的屏蔽效能與電磁波的頻率沒(méi)有關(guān)系,也就是說(shuō),很小的孔洞也可能導(dǎo)致較大的泄漏。這時(shí)影響屏蔽效能的一個(gè)更重要參數(shù)是孔洞到輻射源的距離??锥淳嚯x輻射源越近,泄漏越大。這個(gè)特點(diǎn)往往導(dǎo)致屏蔽體發(fā)生意外的泄漏。因?yàn)樵谄帘误w上開(kāi)孔的其中一個(gè)目的是通風(fēng)散熱,這意味著孔洞設(shè)計(jì)都靠近發(fā)熱源附近,而發(fā)熱源往往是大電流的載體,在其周圍有較強(qiáng)的磁場(chǎng)。結(jié)果,無(wú)意識(shí)地將孔洞開(kāi)在強(qiáng)磁場(chǎng)輻射源的附近。因此,在設(shè)計(jì)中,要注意孔洞和縫隙要遠(yuǎn)離電流載體,例如線路板、電纜和變壓器等。
 
以下是兩點(diǎn)設(shè)計(jì)孔洞的要注意的點(diǎn):
 
當(dāng)N個(gè)尺寸相同的孔洞排列在一起,并且相距較近(距離小于λ/2)時(shí),孔洞陣列的屏蔽效能會(huì)下降,下降數(shù)值為10lgN。
 
因?yàn)榭锥吹妮椛溆蟹较蛐裕虼嗽诓煌嫔系目锥床粫?huì)明顯增加泄漏,利用這個(gè)特點(diǎn)可以在設(shè)計(jì)時(shí)將孔洞放在屏蔽機(jī)箱的不同面,避免某一個(gè)面的輻射過(guò)強(qiáng)。
 
 
 
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