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詳解村田產(chǎn)品ESD保護(hù)裝置的構(gòu)造和原理
發(fā)布時(shí)間:2017-03-09 責(zé)任編輯:sherry
【導(dǎo)讀】本文針對(duì)村田的陶瓷基體、半導(dǎo)體基體、各種ESD(靜電放電·浪涌)保護(hù)裝置·對(duì)策元件的構(gòu)造和原理進(jìn)行說(shuō)明。
陶瓷基體
村田提供的陶瓷基體ESD保護(hù)裝置使用被稱為「電極間放電方式」的機(jī)理。這個(gè)產(chǎn)品的內(nèi)部電極是反向構(gòu)造,通常是絕緣狀態(tài),施加高電壓時(shí),內(nèi)部電極間產(chǎn)生放電,電流流入地下。產(chǎn)品的特性受內(nèi)部電極間的距離和材料等控制。與電壓可變阻抗方式的抑制型相比,端子間靜電容量小,具有優(yōu)良的循環(huán)耐性,主要用于智能手機(jī)的天線和高速數(shù)據(jù)通信線。
導(dǎo)體基體
半導(dǎo)體基體的ESD保護(hù)裝置使用被稱為齊納二極管方式的機(jī)理。二極管是P型半導(dǎo)體(電子不足的狀態(tài))和N型半導(dǎo)體(電子有余量的狀態(tài))的結(jié)合物。
二極管在P型半導(dǎo)體側(cè)連接正極(正向偏壓),電子受正極吸引,通孔受負(fù)極吸引,因此電流流入。另一方面,在N型半導(dǎo)體側(cè)連接正極(反向偏壓),電子受正極吸引,通孔受負(fù)極吸引,P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體之間產(chǎn)生空隙層,電流無(wú)法流入。
但是,施加更高的反向偏壓時(shí),在空隙層共同結(jié)合的電子被切斷,與其他電子的沖突不斷循環(huán),電流突然流入。將這個(gè)突然流入的電流產(chǎn)生的電壓稱為擊穿電壓。
硅材料的ESD保護(hù)裝置利用了這個(gè)二極管的技術(shù),施加大于擊穿電壓的過(guò)電壓(ESD),電流流入地下。與陶瓷基體的產(chǎn)品相比,端子間的容量變大,具有更好地ESD保護(hù)性能。
結(jié)語(yǔ)
即使只是說(shuō)我們身邊存在的電子設(shè)備、電氣設(shè)備,需要ESD保護(hù)裝置的地方也有很多,使用合適的ESD對(duì)策與產(chǎn)品的穩(wěn)定息息相關(guān)。村田的ESD保護(hù)裝置具有高性能、高可靠性,提供能夠符合各種設(shè)備·用途的豐富產(chǎn)品陣容。
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