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飛兆開發(fā)出頂部冷卻的Dual Cool封裝用于MOSFET器件
為了滿足高電流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飛兆半導體公司 (FaIRchild SemicONductor) 開發(fā)出用于MOSFET 器件的Dual Cool封裝，Dual Cool封裝是采用嶄新封裝技術的頂部冷卻PQFN器件，可以通過封裝的頂部實現(xiàn)額外的功率耗散。
2010-11-01
Dual Cool封裝 MOSFET器件 PQFN器件 飛兆半導體
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UMZ 250：SCHURTER擴大SMD保險絲額定電流范圍適用于電路保護
SCHURTER擴大了250 VAC、IEC時間滯后小型SMD保險絲UMZ 250的額定電流。這款帶有接線柱的SMD保險絲現(xiàn)在可有從80 mA到4 A的18種不同額定電流。這是范圍從0.08A 到0.25A的6種額定電流選擇的一種擴展。
2010-10-28
UMZ 250 SMD保險絲 SCHURTER 電路保護
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泰科電子推出表面貼裝PolySwitch器件針對汽車電子產品小型化趨勢
泰科電子（Tyco Electronics）近天宣布其PolySwitch系列中nanoASMD、microASMD、miniASMD、ASMD和AHS表面貼裝產品 (SMD)已經通過認證，可以幫助汽車制造商達到行業(yè)安全和可靠性標準，同時降低了系統(tǒng)成本和提高了電子設計的效率和可靠性。這些汽車等級 PolySwitch器件已經通過汽車行業(yè)AEC-Q200標準對...
2010-10-28
泰科 PolySwitch 汽車電子 小型化
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靜電對家電制造的影響以及設計預防
現(xiàn)在，靜電已成了人們的親密“伴侶”，對這種放電現(xiàn)象已經習慣，盡管它有時給人們帶來不適，但這一切對人體來說并沒有產生什么直接的危害。但對于電子設備而言卻不同了，半導體器件的高密度、高增益對靜電放電越來越敏感，MOS 電路的擊穿僅為100 V，而新的器件僅為30 V 左右。靜電放電(ESD)的危害性及...
2010-10-28
靜電防護 RC電路 單二極管電路 RCD電路
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信息化設備的防雷技術
闡述了雷擊電磁脈沖(LEMP)對信息設備的危害。以計算及實例說明LEMP的危害與雷擊點的距離成反比。雷擊概Ⅳ與雷擊點高度h的平方成正比。Ⅳ 越高，LEMP的危害就越大。LEMP是信息防雷的重點，應采取屏蔽接地技術。有效防止LEMP的入侵，完善信息防雷保護，提高抗LEMP的能力。
2010-10-27
雷擊電磁脈沖 常規(guī)防雷信息防雷 雷擊概率 直擊雷保護 電子信息系統(tǒng)屏蔽接地技術
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IC及系統(tǒng)級保護功能
TOPSwitch-HX(U1)集成了用戶自定義保護功能，可在輸入欠壓、過壓及輸出過載條件下避免電源及負載受損。熱關斷功能具有自動恢復特性，自動重啟動功能可防止輸出短路和反饋開環(huán)。這些保護功能的實現(xiàn)方式將在下面介紹。
2010-10-27
IC 系統(tǒng)級保護
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LED開路保護器
近年來，采用1～3W大功率LED做的燈具逐年增加，其功率可從幾瓦到上百瓦。大功率LED燈具都采用LED串聯(lián)的結構，用恒流供電，一般1WLED的工作電流為250～350mA，3WLED的工作電流為600～700mA，電流大的可達900～1000mA。本文介紹安森美公司的新器件NUD4700及SMD公司在2008推出的SMD602等LED開路保護器
2010-10-26
LED 開路保護器 NUD4700 SMD602
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射頻/微波電路中的薄膜無源器件
多層陶瓷工藝可能會導致不同批次產品以及同一批次不同產品之間的某些參數(shù)出現(xiàn)差異，而這些參數(shù)對射頻設計人員來說是十分重要的，如Q值、ESR，絕緣電阻的變化以及電容值在整個指定的容差范圍內的變化。盡管在許多應用場合中，這些參數(shù)變化并不會產生負面影響，目前在薄膜元件生產領域的技術突破為，...
2010-10-26
薄膜 無源器件 ESR CVD
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LVD系列：CRYDOM推出低電壓隔離直流固態(tài)開關
Crydom 新推出了“LVD”系列直流輸出低電壓隔離固態(tài)開關，當電池電壓低于預設的直流電壓值時，它可以將 12 或 24 伏特的電池系統(tǒng)從其負載中斷開。一旦電池充電后恢復到了正常值，LVD 還將自動重新連接負載電路。LVD 系列采用行業(yè)標準的耐用型密封面板安裝包，其中附帶螺紋接線端子。
2010-10-26
CRYDOM 低電壓 直流 固態(tài)開關
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