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用于優(yōu)化ESD RF前端設(shè)計(jì)的SEED方法(第3部分)

發(fā)布時(shí)間:2021-11-26 來源:Qorvo 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】通常,系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員使用反復(fù)試驗(yàn)的方法來添加 ESD 保護(hù)。那是否存在負(fù)面影響呢??jī)H使用組件級(jí) ESD 規(guī)范不足以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。我們的目標(biāo)是預(yù)測(cè)最終手機(jī)設(shè)計(jì)的 ESD 性能,以創(chuàng)建一個(gè)提供 ESD 保護(hù)的萬無一失、一次性過關(guān)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。


本博文系列共分為 3 部分,這是最后一部分,全面介紹靜電放電 (ESD) 和移動(dòng)設(shè)備 ESD 系統(tǒng)設(shè)計(jì)。


●     第 1 部分介紹了 ESD 的基本概念及其與系統(tǒng)設(shè)計(jì)的關(guān)系。

●     第 2 部分為 ESD 系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供了戰(zhàn)略指導(dǎo),介紹了用于板載 ESD 保護(hù)的工具和組件。

●     第 3 部分(本篇博文)將介紹系統(tǒng)高效 ESD 設(shè)計(jì) (SEED) 建模技術(shù)和 RF 前端 (RFFE) 設(shè)計(jì)的考慮因素。

 

綜合各種因素


通常,系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員使用反復(fù)試驗(yàn)的方法來添加 ESD 保護(hù)。那是否存在負(fù)面影響呢??jī)H使用組件級(jí) ESD 規(guī)范不足以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。我們的目標(biāo)是預(yù)測(cè)最終手機(jī)設(shè)計(jì)的 ESD 性能,以創(chuàng)建一個(gè)提供 ESD 保護(hù)的萬無一失、一次性過關(guān)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。


最佳方法之一是使用模型來仿真 IEC 61000-4-2 接觸放電脈沖,這樣您就可以在確定 ESD 性能之后才投入時(shí)間和成本,用于實(shí)際的原型設(shè)計(jì)。


為此,我們采用系統(tǒng)高效 ESD 設(shè)計(jì) (SEED)方法。如果您有興趣了解有關(guān) SEED 的更詳細(xì)信息,可以進(jìn)一步閱讀 ESD 工業(yè)委員會(huì)白皮書系統(tǒng)級(jí) ESD 第 1 部分:常見誤區(qū)及推薦的基本方法。


SEED 是一種板載和片上 ESD 保護(hù)的協(xié)同設(shè)計(jì)方法,它有助于分析和實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí) ESD 穩(wěn)健性能。該方法要求對(duì) ESD 應(yīng)力事件期間的外部 ESD 脈沖之間的相互作用、完整的系統(tǒng)級(jí)板設(shè)計(jì)以及設(shè)備引腳特性有一個(gè)全面的了解。.

 

板載保護(hù)與片上保護(hù)


有關(guān)一級(jí)和二級(jí) ESD 保護(hù)的細(xì)分以及 RFFE 保護(hù)的戰(zhàn)略,請(qǐng)參閱本博文系列第 2 部分。


SEED 建模和仿真的主要步驟


SEED 方法需要對(duì)系統(tǒng)的各種組件和軌跡進(jìn)行建模和仿真。總體來說,使用 SEED 方法的建模和仿真步驟包括:

 

第 1 步:收集系統(tǒng)信息,例如:


●     PC 板 Gerber 文件,包括 PC 板材料規(guī)格(堆疊文件、傳輸線規(guī)格等)

●     瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS)、電感和電容的器件型號(hào)(S?參數(shù)、I-V 特性、ESD 額定值、IV-TLP 特性等)

●     RF 前端模塊 I/O 引腳的片上 ESD 保護(hù)模型(IV-TLP 測(cè)量、S?參數(shù)、ESD 額定值等)

 

第 2 步:運(yùn)行瞬態(tài)和 RF 仿真,對(duì) ESD 保護(hù)器件在系統(tǒng)級(jí) ESD 應(yīng)力和正常工作期間的行為進(jìn)行建模。


建模和仿真工具


當(dāng)今的 RF 工程師使用多種設(shè)計(jì)工具。僅舉幾個(gè)例子,包括:


●     Keysight Technologies高級(jí)設(shè)計(jì)系統(tǒng) (ADS)

●     National Instruments AWR 設(shè)計(jì)環(huán)境–Microwave Office

●     SPICE 仿真軟件


這些工具均適用于您的 ESD SEED 仿真。


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具體步驟:如何進(jìn)行 SEED 仿真


讓我們通過一個(gè)簡(jiǎn)單的示例來說明如何使用 SEED 方法來設(shè)計(jì) ESD 保護(hù)。


首先,您需要確定系統(tǒng)中所需的隔離阻抗,以確保 IC 引腳的峰值 ESD 電流和電壓在片上(次級(jí)鉗位)保護(hù)能力的范圍內(nèi)。這通過利用 IEC 應(yīng)力模型和板載 TVS 組件的傳輸線脈沖 (TLP) 數(shù)據(jù)(初級(jí)鉗位)和 IC 接口引腳(次級(jí)鉗位)創(chuàng)建仿真來完成。


最終,您的目標(biāo)是確認(rèn)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng) ESD 保護(hù)所需的組件。為此,需完成以下步驟:


1. 創(chuàng)建 ESD 脈沖。

2. 加載 Gerber 文件。

3. 將所有其他組件加載到建模軟件中。

4. 運(yùn)行仿真以確定 RFFE 引腳處的 IEC 應(yīng)力水平。

5. 確定實(shí)現(xiàn)板載 ESD 保護(hù)所需的組件。

6. 將組件添加到模型中。

7. 重新運(yùn)行仿真以驗(yàn)證添加的組件是否有效。

8. 通過 ESD 測(cè)試后,進(jìn)行最終的 PC 板布局。


讓我們對(duì)每一步進(jìn)行詳細(xì)闡述。


第 1 步:使用 IEC 61000-4-2 規(guī)范值來創(chuàng)建 ESD 脈沖


將如下所示的 RLC(電阻-電感-電容)電路的模型原理圖加載到仿真工具中,并驗(yàn)證是否得到如下所示的波形。該模型將仿真 ESD 脈沖。請(qǐng)注意,某些值可能需要調(diào)整才能獲得精確的波形。


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第 2 步:加載 Gerber 文件


接下來,使用 3D Gerber 布局文件來評(píng)估 PC 板的走線。將這些文件放入建模軟件中。對(duì)布局軌跡進(jìn)行建模,例如微帶線的尺寸。


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第 3 步:將所有其他組件加載到建模軟件中


這些組件包括:


●     TLP I/O 器件引腳數(shù)據(jù)

●     匹配組件

●     傳輸線組件


第 4 步:運(yùn)行仿真


加載完所有組件后,您希望查看結(jié)果如何。此時(shí),您要確定 RFFE 引腳的 IEC 應(yīng)力水平。如果該水平值超出內(nèi)部 IC 保護(hù)的能力,那么您將需要添加板載 ESD 保護(hù),例如隔直電容、TVS 二極管等。


第 5 步:確定實(shí)現(xiàn)板載 ESD 保護(hù)所需的組件


我們?cè)诒鞠盗胁┪牡牡?2 部分中介紹了 ESD 保護(hù)的不同組件和戰(zhàn)略。比較可用的各個(gè)保護(hù)組件,以確定最適合您設(shè)計(jì)的組件。


例如,假設(shè)仿真顯示您的系統(tǒng)需要額外的板載保護(hù)。下圖顯示了通過比較 TLP 模型的數(shù)據(jù)查看的幾個(gè)組件。橙色線是采用 Qorvo RFFE 模塊端口的 TLP 模型。其他三個(gè) TLP 模型是正在評(píng)估的 TVS 組件。根據(jù)以下 TLP 數(shù)據(jù),組件 1 和組件 2 是兩個(gè)最佳選擇。它們都符合我們的系統(tǒng)要求;然而,進(jìn)一步分析了位移回跳區(qū)域后,我們選擇組件 1,因?yàn)樗挠|發(fā)電壓更低。觸發(fā)電壓更低意味著 TVS 不太可能通過削弱系統(tǒng)信號(hào)性能影響我們的設(shè)計(jì)。


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我們選擇了 TVS 組件后,將其放置在正確的板載位置也非常重要。如下圖所示,將 TVS 移近 ESD 入口點(diǎn)可以最大限度地降低 ESD 能量。PC 板的走線可根據(jù) TVS 位置增加和減少第一個(gè)峰值電流的幅度。


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第 6 步:將組件添加到模型中


一旦選擇了 ESD 保護(hù)元件(在我們的示例中為 TVS 二極管),您需要將它們添加到仿真中,如下所示。


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第 7 步:重新運(yùn)行仿真以驗(yàn)證添加的板載 ESD 組件是否有效


現(xiàn)在所有數(shù)據(jù)都加載到您的仿真中,您可以運(yùn)行瞬態(tài)模擬,分析 RF 路徑的電流/電壓曲線,并調(diào)整內(nèi)部引腳(例如模塊引腳)上的最小殘留值以及系統(tǒng)性能。


注意:緊湊型仿真器支持使用 S 參數(shù)數(shù)據(jù)進(jìn)行瞬態(tài)模擬。S 參數(shù)數(shù)據(jù)也可以在需要時(shí)轉(zhuǎn)換為集總模型。


最終目標(biāo)是您的系統(tǒng)設(shè)計(jì)能通過 IEC 應(yīng)力測(cè)試。不同的應(yīng)用將需要不同的組件或戰(zhàn)略,而在設(shè)計(jì)階段初期對(duì)它們進(jìn)行建模將有助于提高通過 IEC 認(rèn)證的可能性。


第 8 步:進(jìn)行最終的 PC 板布局


一旦您的設(shè)計(jì)通過了仿真,您就可以進(jìn)行最終的系統(tǒng) PC 板布局。使用 SEED 的不同之處在于,您直到完成板載 ESD 保護(hù)仿真與建模之后才進(jìn)行系統(tǒng) PC 板布局——而不是在設(shè)計(jì)階段的初期。


使用 SEED 提高通過 ESD 認(rèn)證的可能性


SEED 能夠更好地理解系統(tǒng)性能和 IC ESD 設(shè)計(jì)功能。IV-TLP 曲線提供有關(guān)片上、模塊內(nèi)和板載 ESD 功能的所需信息。將瞬態(tài)模擬添加到曲線圖上,即可評(píng)估片上和板載 ESD 保護(hù)器件的整體行為,以及它們?cè)谙到y(tǒng)級(jí) ESD 應(yīng)力下的協(xié)同表現(xiàn)。這樣,從硬件開發(fā)的初始階段就能夠放心地構(gòu)建最佳協(xié)同設(shè)計(jì)——最終可提高效率并降低總體設(shè)計(jì)成本。


來源:Qorvo



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