本屆研討會(huì)特邀報(bào)告

 

Tutorial 專(zhuān)題講座

題目：開(kāi)關(guān)電源高頻下磁元件的機(jī)會(huì)與對(duì)策

時(shí)間：2021-9-10 

演講人：陳為，教授&博士

福州大學(xué)，中國(guó)

概述：磁性元件技術(shù)對(duì)功率變換器的各項(xiàng)指標(biāo)都有關(guān)鍵影響，隨著變換器工作頻率的不斷提高，磁元件技術(shù)的重要性日顯突出。報(bào)告將介紹高頻功率電磁技術(shù)的研究?jī)?nèi)容、主要技術(shù)瓶頸、對(duì)策以及技術(shù)和產(chǎn)品的發(fā)展趨勢(shì)，包括磁芯損耗，繞組損耗，電磁干擾，平面化和集成化磁性元件以及功能參數(shù)測(cè)試等方面。

 

Keynote 主題演講

（一）題目：華為數(shù)字能源十大技術(shù)趨勢(shì)

時(shí)間：2021-9-9

演講人：張曉飛，博士

華為數(shù)字能源，中國(guó)

概述：在擁抱變革的語(yǔ)境下，能源產(chǎn)業(yè)前行路上如何才能少走彎路，乃至避免南轅北轍？找準(zhǔn)技術(shù)方向是關(guān)鍵?；谠跀?shù)字和能源兩大領(lǐng)域的持續(xù)深耕、技術(shù)創(chuàng)新和深厚積累，華為數(shù)字能源技術(shù)領(lǐng)域瞄準(zhǔn)了十大技術(shù)趨勢(shì)：“CDE的極致要求”“100%新能源并網(wǎng)”“極速、自由‘無(wú)感’充電”“第三代半導(dǎo)體加速替代硅器件”“安全的儲(chǔ)能系統(tǒng)”“配電電力電子化”“EV多融合”“熱管理智能化”“AI不可獲取”“綜合智慧能源”，這“十大趨勢(shì)”涉及到能源領(lǐng)域轉(zhuǎn)型升級(jí)的方方面面，將會(huì)引領(lǐng)數(shù)字能源的技術(shù)新格局。

 

（二）題目：雙柵結(jié)構(gòu)中SiC FET的電路保護(hù)

時(shí)間：2021-9-10

演講人：Anup Bhalla, V.P. Engineering

United Silicon Carbide Inc.，美國(guó)

概述：Interest in solid state circuit breakers and solid state power controllers has grown rapidly in recent years. SiC JFETs have long been considered ideal devices for this application, given their ability to have low on-state resistance, without compromising their ability to limit current when needed. We examine the use of normally-off SiC FETs in a dual gate configuration to simplify the development of high current circuit breakers.

 

（三）題目：數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)節(jié)能解決方案的挑戰(zhàn)和最新進(jìn)展

時(shí)間：2021-9-11

演講人：章進(jìn)法，博士

臺(tái)達(dá)電子，中國(guó)

概述：隨著數(shù)字化轉(zhuǎn)型和數(shù)據(jù)服務(wù)的需求持續(xù)增加，數(shù)據(jù)中心對(duì)電力的需求持續(xù)提升，電力消耗的費(fèi)用也已成為系統(tǒng)運(yùn)營(yíng)的主要成本。因此，如何提高電能使用效率和系統(tǒng)整體電能轉(zhuǎn)換效率已成為數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)的重要驅(qū)動(dòng)力。報(bào)告將探討數(shù)據(jù)中心從系統(tǒng)電源架構(gòu)到機(jī)架電源架構(gòu)的節(jié)能解決方案，以及主板高效率和高密度電源解決方案所面臨的挑戰(zhàn)和最新的技術(shù)進(jìn)展。

 

 

Best of PCIM Europe Digital Days 2021題目

 

●All SiC Module with 1700V Rated 2nd Generation Trench Gate SiC-MOSFETs

●Comparison of Three Methods Gate Bias Reduction, Series Ballast Resistor and BaSIC(EMM) to Improve Short Circuit Capability of 1.2 kV SiC Power MOSFETs

●Enhancement of Switching Performance and Output Power Density in 3.3 kV Full SiC Power Module

●Active Short Circuit Capability of Half-Bridge Power Modules Towards E-Mobility Applications

●Measures to Improve Efficiency, Peak Power Density and Current Density in an Automotive SiC Drive Train Inverter – Sensitivity Analysis of Design Parameters

●Evaluation of Quasi 2-level Modulation for MV Applications

●New Multi-Level Multiplexed Power Converter Topology for Medium-Voltage Power Drives

●Ideal Flyback Topology

 

 

回顧PCIM Asia 2020國(guó)際研討會(huì)

 

上屆PCIM Asia國(guó)際研討會(huì)共吸引298名現(xiàn)場(chǎng)聽(tīng)眾和144名線(xiàn)上聽(tīng)眾參與，以演講或墻報(bào)陳述形式共發(fā)表61篇學(xué)術(shù)論文。焦點(diǎn)議題涵蓋電力電子領(lǐng)域的熱點(diǎn)話(huà)題、前沿技術(shù)、最新科研成果和行業(yè)發(fā)展前景。

 

 

PCIM Asia國(guó)際研討會(huì)匯聚世界各地的行業(yè)人士積極參與。上屆研討會(huì)迎來(lái)67名演講者，分別來(lái)自德國(guó)、韓國(guó)、加拿大、美國(guó)、日本、瑞士、臺(tái)灣、希臘、英國(guó)、中國(guó)等國(guó)家和地區(qū)。其中39名演講者來(lái)自ABB Power Grids、Analog Devices、中車(chē)集團(tuán)、臺(tái)達(dá)電子、富士電機(jī)、英飛凌、三菱電機(jī)、賽米控、安森美半導(dǎo)體和Power Integrations等企業(yè)，其余28名演講者分別來(lái)自清華大學(xué)、謝菲爾德大學(xué)、大阪大學(xué)、多倫多大學(xué)、塞薩洛尼基亞里斯多德大學(xué)和上海大學(xué)等學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)。

 

 

本屆PCIM Asia將首次在深圳國(guó)際會(huì)展中心舉行，由廣州光亞法蘭克福展覽有限公司、上海浦東國(guó)際展覽公司和德國(guó)美賽高法蘭克福展覽有限公司聯(lián)合舉辦。

掃碼報(bào)名，保留參會(huì)席位！

 

 

組團(tuán)參會(huì)，請(qǐng)直接聯(lián)系PCIM Asia 會(huì)務(wù)組：

Zoey Lin 林小姐

電話(huà)：+86 20 3825 1558 ext 246

zoey.lin@china.messefrankfurt.com

www.pcimasia-expo.com.cn