【導讀】本文主要介紹了由于米勒電容器引起的寄生導通效應，以及如何使用有源米勒鉗位電路來減輕寄生效應。在操作IGBT時面臨的常見問題之一是由于米勒電容器而導致的寄生導通。在0至+15 V型柵極驅(qū)動器（單電源驅(qū)動器）中，這種影響是明顯的。
本文主要介紹了由于米勒電容器引起的寄生導通效應，以及如何使用有源米勒鉗位電路來減輕寄生效應。在操作IGBT時面臨的常見問題之一是由于米勒電容器而導致的寄生導通。在0至+15 V型柵極驅(qū)動器（單電源驅(qū)動器）中，這種影響是明顯的。
介紹
使用IGBT時，面臨的常見問題之一是由于米勒電容器而導致的寄生導通。在0至+15 V型柵極驅(qū)動器（單電源驅(qū)動器）中，這種影響是明顯的。由于這種柵極-集電極耦合，在IGBT關(guān)斷期間產(chǎn)生的高dV / dt瞬變會引起寄生導通（門極電壓尖峰），這有潛在的危險（圖1）。
通過米勒電容器的寄生導通：
當以半橋方式導通上部IGBT S1時，下部IGBT S2兩端會發(fā)生電壓變化dVCE / dt。電流流過S1的寄生米勒電容器CCG，柵極電阻RGATE和內(nèi)部柵極電阻RDRIVER。圖1顯示了流過電容器的電流。該當前值可以通過以下公式來近似：
該電流在柵極電阻兩端產(chǎn)生電壓降。如果該電壓超過IGBT柵極閾值電壓，則會發(fā)生寄生導通。應該注意的是，IGBT芯片溫度升高會導致柵極閾值電壓略有降低。
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