本文介紹了一種L波段單級(jí)高線性低噪聲放大器的工作原理和設(shè)計(jì)方法。與傳統(tǒng)的接收機(jī)射頻前端放大器主要考慮低噪聲和高增益特性不同，文中選用了低成本、低功耗的SiGe NPN BJT器件設(shè)計(jì)高三階交截點(diǎn)的低噪聲放大器。設(shè)計(jì)中利用了微波CAD工具對(duì)電路進(jìn)行仿真與優(yōu)化，同時(shí)對(duì)生成的微帶印刷電路板進(jìn)行了電磁仿真。

 

隨著無(wú)線通信事業(yè)的不斷發(fā)展，人們對(duì)無(wú)線系統(tǒng)的射頻接收機(jī)提出了越來(lái)越高的要求，比如低功耗、低噪聲、大動(dòng)態(tài)范圍、高靈敏度和高線性度等。因此，處于接收機(jī)最前端的放大器對(duì)于提高系統(tǒng)性能起到了關(guān)鍵作用。傳統(tǒng)的研究主要集中在如何獲得低噪聲和高增益特性上，對(duì)接收前端放大器高線性度問(wèn)題的研究常常被忽略。

Ansoft公司的Designer軟件包是集電路和電磁仿真于一體的強(qiáng)大CAD工具。設(shè)計(jì)中，利用該軟件對(duì)放大器的三階互調(diào)和噪聲等性能進(jìn)行仿真和優(yōu)化，同時(shí)對(duì)生成的PCB進(jìn)行了電磁仿真，得到了令人滿意的設(shè)計(jì)結(jié)果。這種低成本、低功耗和高線性的LNA可廣泛應(yīng)用于PCS波段以及CDMA蜂窩移動(dòng)手機(jī)中。

 

1　高線性低噪聲放大器原理設(shè)計(jì)

 

1. 1　系統(tǒng)考慮與主要指標(biāo)要求

 

在移動(dòng)通信系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，低噪聲放大器處于接收機(jī)的射頻最前端，如圖1所示。因此，系統(tǒng)的噪聲性能和線性度主要取決于該前端放大器的噪聲性能和線性特性。這里設(shè)計(jì)的放大器主要技術(shù)指標(biāo)：工作頻率范圍f =1950 MHz;增益G 》14dB;噪聲系數(shù)Nf 1dB》+ 5 dBm;輸出三階交截點(diǎn)OIP3 》 + 24dBm輸入輸出回波損耗RLCEO）時(shí)，噪聲系數(shù)會(huì)由于電壓擊穿而開(kāi)始惡化。設(shè)計(jì)所選器件的最小擊穿電壓為2.3V，因此，在綜合考慮各種特定指標(biāo)要求的情況下選擇C-E極間偏置電壓Vce=2.0V和集電極偏置電流Ic=8 mA。

 

 

電阻R3將電源電壓由3V降低到2.1V， R2給晶體管的基極提供電壓偏置， R1起到改善放大器穩(wěn)定度的作用。圖2所示偏置電路簡(jiǎn)單實(shí)用，并提供適當(dāng)數(shù)量的負(fù)反饋用于補(bǔ)償由于器件的離散性和整個(gè)寬溫（ -40℃～+85℃）工作范圍內(nèi)直流增益β的變化。其反饋原理是：假如溫度變化或器件離散性使直流增益β產(chǎn)生變化而導(dǎo)致器件電流增加，則電阻R3壓降會(huì)增加，這樣基極電壓VB會(huì)減少，從而器件電流減小，因此提供了直流負(fù)反饋，使器件的靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定。

 

 

1. 3　穩(wěn)定性的改善

 

S參數(shù)描述的線性二端口器件絕對(duì)穩(wěn)定充分必要條件是： （a） K》1; （ b） | Δ | 1=10Ω以及與發(fā)射極并聯(lián)的電感L3，改善了LNA的穩(wěn)定因子K，使之大于1，特別是在800MHz～1200MHz頻率范圍。C5=10pF作為旁路電容，在低頻時(shí)的影響比在2GHz時(shí)的小，因此在低頻段，LNA輸出端負(fù)載電阻R1=10Ω起到了改善穩(wěn)定性的作用。

 

 

1. 4　輸入輸出匹配電路設(shè)計(jì)

 

由于器件的S12≠0，所以由L2、C2組成的輸出匹配電路和串接在發(fā)射極的電感有利于改善輸入回波損耗和噪聲匹配，因而能夠消除由器件輸入端的射頻元件帶來(lái)的不利影響。輸入匹配電路由10pF的隔直電容C1和在基極提供電流偏置的電感L1組成，因此避免了使用調(diào)諧元件對(duì)電路進(jìn)行煩瑣的優(yōu)化設(shè)計(jì)，以達(dá)到對(duì)輸入回波損耗和噪聲系數(shù)的平衡。

 

 

1. 5　噪聲系數(shù)的改善

 

所選器件在放大器正常工作頻率范圍內(nèi)具有良好的噪聲性能，可與價(jià)格昂貴的PHEMT和GaAsMESFET器件相媲美。在2GHz左右，最小噪聲系數(shù)的偏置電流大約是5mA。然而，要得到+25dBm的OIP3，所需最小電流大約是8mA。考慮到偏置電流對(duì)噪聲系數(shù)的影響，在設(shè)計(jì)中必須對(duì)噪聲系數(shù)和三階交截點(diǎn)進(jìn)行折衷考慮。另外，在發(fā)射極串接電感L3改善了放大器的線性度但同時(shí)也帶來(lái)噪聲性能的惡化，其惡化程度如圖5所示。因此，設(shè)計(jì)中也要對(duì)串接電感L3進(jìn)行優(yōu)化，以平衡放大器的三階交截點(diǎn)和噪聲系數(shù)。

 

 

1. 6　高三階交截點(diǎn)的設(shè)計(jì)

 

兩種技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)OIP3 》 +25dBm的設(shè)計(jì)要求，即在發(fā)射極串接電感以及增加在B-E結(jié)的電荷儲(chǔ)量。

 

（1）發(fā)射極串接電感

 

在發(fā)射極串接電感，可以改善放大器的穩(wěn)定度和線性度，但同時(shí)也影響器件的輸入輸出匹配和噪聲匹配?？紤]到實(shí)際射頻放大器電路尺寸很小，外接電抗元件難于實(shí)現(xiàn)，因此設(shè)計(jì)中采用二節(jié)并聯(lián)的微帶線接地（如圖6所示）作為反饋元件以等效電路所需的電感量，從而改善了放大器的三階交截點(diǎn)，當(dāng)然這樣也會(huì)減小放大器的增益以及引起噪聲性能在一定程度上的惡化。優(yōu)化設(shè)計(jì)表明：為了使放大器的OIP3提高約4.5dBm，增益卻減小了約3.5dB．

 

 

（2）增加B-E結(jié)電荷儲(chǔ)存

 

在雙音測(cè)試中，輸入兩個(gè)等幅、頻率分別為f1和f2的正弦信號(hào)，差頻1MHz。因此，器件非線性二階互調(diào)產(chǎn)物f2 - f1以1MHz的速率調(diào)制B-E結(jié)和C-E結(jié)的電壓。而發(fā)射極電流是B-E結(jié)電壓的指數(shù)函數(shù)，即Ie≈Iese（qVBE/KT），所以低頻互調(diào)產(chǎn)物f2-f1出現(xiàn)在器件的終端將會(huì)以f2 - f1的速率改變晶體管的工作點(diǎn)，這樣反過(guò)來(lái)也影響了失真產(chǎn)物的電平。所以，如果在B-E結(jié)間增加一個(gè)相對(duì)大的電容，則可以旁路掉這個(gè)低頻產(chǎn)物f2-f1， 那么B-E結(jié)的電壓波動(dòng)將會(huì)減少，因而減少了三階互調(diào)產(chǎn)物。在圖2中， C3=0.1μF起到了旁路低頻互調(diào)產(chǎn)物f2-f1的作用。同理， C6= 0.1μF也是用于旁路低頻互調(diào)產(chǎn)物f2-f1的，但效果不如在基極改善明顯。

 

 

設(shè)計(jì)中采用集總電感進(jìn)行基極偏置并把直流偏置網(wǎng)絡(luò)與射頻信號(hào)分開(kāi)，而不用高阻抗微帶線實(shí)現(xiàn)，這樣在低頻端晶體管B-E結(jié)電荷儲(chǔ)存與終端之間獲得低阻抗，使偏置回路與射頻回路取得更好的分隔效果。電感L1=15nH在幾十兆赫茲頻段產(chǎn)生的阻抗可忽略，但在1950 MHz卻能獲得足夠大阻抗，使LNA在正常工作頻率范圍內(nèi)把晶體管基極與偏置網(wǎng)絡(luò)分開(kāi)。

 

2　印刷電路板的電磁仿真

 

通過(guò)上一節(jié)對(duì)放大器的分析和優(yōu)化設(shè)計(jì)，將最終得到的電路制作在FR4（εr=4.5， h=0.8 mm）基片上。

 

 

考慮到實(shí)際制作的PCB可能與原理設(shè)計(jì)的情況不完全一致，因此為了進(jìn)一步了解電路性能，也為了更好地調(diào)試實(shí)際電路，有必要對(duì)放大器PCB進(jìn)行電磁仿真。Designer工具中的電磁仿真模塊可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電路PCB的電磁仿真。首先，在AutoCAD繪圖工具中創(chuàng)建LNA的Layout印刷電路布線圖?？紤]到DC偏置網(wǎng)絡(luò)和射頻扼流電感已將偏置電路與射頻信號(hào)較好地分隔開(kāi)，實(shí)際操作時(shí)將針對(duì)放大器的AC等效電路進(jìn)行電磁建模，如圖10所示;其次，是定義介質(zhì)基片材料的各種特性參數(shù)（必須與電路仿真原理圖中定義的基片材料一致） ;接著是從AutoCAD繪圖工具中導(dǎo)入放大器的PCB電磁仿真模型;然后定義輸入輸出端口激勵(lì)和器件的S參數(shù)模型;在這些工作完成之后，就可以對(duì)上述模型進(jìn)行仿真設(shè)置并運(yùn)行仿真;最后是對(duì)結(jié)果進(jìn)行分析和處理。

 

 

3　結(jié)　語(yǔ)

選用性能優(yōu)良的SiGe NPN BJT器件，利用仿真工具設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了低成本、低功耗和高線性的單級(jí)LNA。測(cè)試結(jié)果：放大器輸出三階交調(diào)點(diǎn)+ 25 dBm、噪聲系數(shù)1.0dB、輸出1dB壓縮點(diǎn)+ 5.5dBm和增益14.5dB以及輸入輸出回波損耗均優(yōu)于10 dB。因此，達(dá)到了設(shè)計(jì)指標(biāo)要求。